|
Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad
|
| bet | 15/41 | | Sana | 21.03.2017 | | Hajmi | 119,56 Kb. | | #529 |
1. Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad
Oksüdeerimine – on räni-oksiidi kihi tekitamine räni kristalli pinnale. Oksüdeerimine toimub termiliselt temperatuuril 1000-1300C. Kõigepealt juhitakse lahtise otsaga kvartstoru lämmastikku, millega välditakse räniplaatide kokkupuudet õhuga ja võimalikku saastumist. Seejärel minnakse üle töörežiimile, milleks avatakse üks kraanidest. Kuivhapnik, märghapnik või veeaur. Ränioksiidi kihi paksus on tavaliselt 0,5-1um.
Difusioon – on protsess, millega viiakse pooljuhi kristalli lisandid, vajaliku juhitavusega tsoonide tekitamiseks. Difusiooni nähtus põhineb aine osakeste tungimisel teise ainesse kõrgel temperatuuril (1100-1300C). Difusandid on tavaliselt kas doonor- või akseptorlisandid. Difusiooni puudusteks on: 1) Lisandite sisaldus ei ole ühtlane vaid väheneb pinnast eemaldumisel. 2) Ei saa teostada üle kolme järjestikuse difusiooni.
Epitaksia – on pooljuhtkristalli kasvatamine keemilise reaktsiooni tulemusena. Eelised on: 1) saadakse väga täpselt orienteeritud kristallstruktuur. 2) Samaaegselt kristalli kasvatamisega on võimalik sisse viia lisandeid, et nende sisaldus on ühtlane. 3) ON võimalik saada üle kolme erineva juhitavusega kihi.
Metalliseerimine – nimetatakse metallikihi pealekandmist pärast seda, kui kõik struktuurid on loodud, sellest kihist moodustatakse elementidevaheline juhtmestik.
|
| |
