|
1. Muvozanat holatda p-n o’tish. Nomuvozanat holatda p-n o’tishBog'liq 023-22 uchun
1. Muvozanat holatda p-n o’tish. Nomuvozanat holatda p-n o’tish.
2. P-n o’tishning volt-amper xarakteristikasi. P-n o’tishning teshilish turlari.
3. P-n o’tishning elektr parametrlari. Metal-yarimo’tkazgich o’tishlar. Geteroo’tishlar
4. To’g’rilovchi diodlar
5. Stabilitron va varikaplar.
6. O’ta yuqori chastotada ishlovchi diodlar.
7. Fotodiodlar. Nurlanuvchi diodlar. Optronlar.
8. Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari.
9. Transistor tuzilmalarining energetik digrammalari. Tranzistorda elektrod toklari.
10. Bipolyar transistor ish rejimlarining elektro toklarga ta’siri. Bipolyar tranzistorning elektr modellari.
11. Bipolyar tranzistorning statik xarakteristikalari.
12. Bipolyar tranzistorning xarakteristika va parametrlarining temperaturaga bog’liqligi.
13. Tranzistor chiziqli to’rtqutblik sifatida.
14. Bipolyar tranzistorning chastota xususiyatlari. O’YuCh bipolyar ttranzistorlar.
15. Transistor teshilishi va uning barqaror ishlash sohasini kengaytirish usullari.
16. Ko’p qatlamli yarim o’tkazgich asboblar. Dinistor tuzilishi va ishlash printsipi.
17. Tiristor va simistor tuzilishi va ishlash printsipi.
18. MDYA (Maydon dielektrik yarim o’tkazgich) tuzilma va maydon effekti.
19. Kanali induksiyalangan MDYA – tranzistorlar.
20. Kanali qurilgan MDYA tranzistorlar.
21. Maydoniy tranzistorlarning matematik modellari. Maydoniy tranzistor parametrlari.
22. Stoks tokining temperaturaga bog’liqligi. Maydoniy tranzistorlarning chastota xususiyatlari.
23. O’YuCh maydoniy tranzistorlar.
24. Integral mikrosxemalar (Umumiy ma’lumotlar).
25. Yarim o’tkazgich integral mikrosxema(IMS) lar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar.
26. Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemani tayyorlash.
27. MDYa tranzitorlar asosidagi mikrosxemalarni yaratish.
|
| |