40- ma’ruza. Integral sxemaning foal elementlari: Bipolyar tranzistor




Download 482.46 Kb.
Pdf ko'rish
bet1/6
Sana27.05.2022
Hajmi482.46 Kb.
#22065
  1   2   3   4   5   6
Bog'liq
17- Maruza.Integral sxemaning faol elementlari BT (1)
Агроинновация Баённома умумий масалалар19.05.18, Tavsifnoma3, yol yol chiziq, Jazıw ashıq sabaq, 7.JOB INTERVIEW, СРЯ през, Elektronika va sxemalar 1 fanidan 1, 8-sinf Fizika nazorat ishi yangi


40- MA’RUZA. Integral sxemaning foal elementlari: Bipolyar tranzistor 
IMS ning barcha konstruktiv – texnalogik guruxi uchun asosiy va eng 
murakkab element tranzistordir. Yarimo’tkazgichli IMSlar bipolyar va MDYA – 
tranzistorlar hamda mikrosxemalarni tayyorlash jarayonida yaratiladigan ularning 
modifikatsiya asosida ishlab chiqiladi. IMSlarda Shottki to’siqli tez ishlovchi 
tranzistor, ko’p emmiterli, ko’p kollektorli va mikroquvvatli tranzistorlar 
qo’llaniladi. Ko’pgina bipolyar tranzistor n-p-n
+
- turdagi struktura bilan planar 
texnalogiya bo’yicha tayyorlashadi. Ayrim hollarda p-n-pturdagi tranzistorlar 
xam ishlatiladi. n-p-n
+
- turdagi tranzistorlar (kollektor - baza - emitter) p-n-p – 
turdagi tranzistor bilan solishtirganda yaxshilangan elektr tavsifga egadir. Bu bir 
qator fizik va texnalogik omillar bilan asoslangan. Elektr parametrlarining 
qiymatlari tranzistorning strukturaviy parametrlariga, ya’ni fizik struktura 
parametrlariga bog’liq bo’ladi: strukturaning geometrik o’lchamlari (kollektor va 
emmiter o’tishning yotish chuqurligi, emmiter, kollektor sohasining 
konfiguratsiyasi va o’lchamlari va x.k.z) va struktura sohasi materialining 
elektrfizik tavsiflar (kirishmalarni taqsimlanish profili, harakatchanlik, zaryad 
tashuvchilarning yashash vaqti va boshqalar). 
Tranzistor 
strukturasini 
shakillantirish 
va 
uni 
izolyatsiya 
qilish, 
tayyorlashning texnologik jarayonlari bilan aniqlansa, strukturaning elektr fizik 
parametrlari shu jumladan kirishmilarning taqsimoti texnologik operassiyalarni 
o‘tkazish usuli va ularning rejimlari bilan aniqlanadi.
Tranzistorlarni yarim o‘tkazgichli IMS strukturasini sinflash uchun qabul 
qilganidek, izolatsiya usuli va tayyorlash texnologiyasi (kirshmaning taqsimlanish 
xarakteri) bo‘yicha sinflanadi. Strukturani izolatsiya usuli bo‘yicha p-n o‘tish bilan 
izolyatsiya qilgan, delektrik qatlami bilan izolyatsiya qilgan, ulardan birgalikda 
foydalangan holda izolyatsiya qilish. Tranzistorni izolyatsiya qilish usuliga bog’liq 
bo‘lmagan holda tayyorlash texnolgiyasi bo‘yicha quydagilarga sinflanadi: planar- 

Download 482.46 Kb.
  1   2   3   4   5   6




Download 482.46 Kb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



40- ma’ruza. Integral sxemaning foal elementlari: Bipolyar tranzistor

Download 482.46 Kb.
Pdf ko'rish