chastotasi, ko‘rilgan rejim esa uchib o‘tish rejimi




Download 0.78 Mb.
Pdf ko'rish
bet11/16
Sana21.10.2022
Hajmi0.78 Mb.
#27677
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   16
Bog'liq
6-Ma\'ruza (El&Sxema1 Sirtki ta\'lim uchun)
2-lekciya, 14-leciya, 12-lekciya, 5-Ma\'ruza (El&Sxema1 Sirtki ta\'lim uchun)
chastotasi, ko‘rilgan rejim esa uchib o‘tish rejimi deb ataladi.
Generatsiyalovchi diodlarning boshqa turini Gann diodlari tashkil etadi. 


Gann diodlari (GD) – bir jinsli yarimo‘tkazgichda Gann effekti hisobiga MDQka ega
yarimo‘tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GD O‘YUChli garmonik tebranilar 
generatsiyalashga qodir. 
Diod uzunligi 10
-2
÷10
-3
smli bir jinsli yarimo‘tkazgich plastinadan iborat. Plastinanig 
qarma –qarshi tomonlarida katod K va anod A deb ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann 
diodlarini hosil qilish uchun n – turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. 
Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi 3∙10
3
V/smga yaqin 
elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha 
bo‘lgan elektr tebranishlar hosil bo‘ladi. Elektr tebranishlar quvvati 10 ÷ 15 Vt gacha bo‘ladi, 
diodning FIKi esа 10÷12 % ni tashkil etadi. 
GD asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quvvati 2 Vtga yaqin (FIK 
9÷15%). Chastota ortishi bilan u 
2
/
f
qonun bo‘yicha kamayib boradi. Bunday natijalar 
nobarqaror hajmiy zaryad sohasi rejimida olingan. 
GDlari ko‘chma radiolokatorlarda, aloqa tizimlarida, shuningdek mantiqiy elementlar 
sifatida va boshqa qurilmalarda keng qo‘llaniladi. 
Bir jinsli, n – turli GaAs va InP kristallarida Gann effekti asosini vohalararo o‘tish deb 
ataluvchi davriy tok impulslari hosil bo‘lishiga olib keluvchi o‘tish tashkil etadi. Qutbli 
yarimo‘tkazgichlarda o‘tkazuvchanlik zonasi energiyalar oralig‘i bilan bir – biridan ajratilgan bir 
nechta minimumga yoki “vohaga” ega. Soddalashtirish uchun, o‘tkazuvchanlik zonasi bosh voha 
1 va ekvivalent voha 2 dan iborat deb hisoblanadi (19.4-rasm). GaAs uchun ∆W
1
=0,36 эВ, 
∆W
g
=1,43 эВ. 

Download 0.78 Mb.
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   16




Download 0.78 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



chastotasi, ko‘rilgan rejim esa uchib o‘tish rejimi

Download 0.78 Mb.
Pdf ko'rish