6-mavzu: yarimo‘tkazgichlarda kontakt hodisalari yarimo‘tkazgich diodlar. Diodlar

Download 0.78 Mb. Pdf ko'rish
bet	12/16
Sana	21.10.2022
Hajmi	0.78 Mb.
	#27677

1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Bog'liq
6-Ma\'ruza (El&Sxema1 Sirtki ta\'lim uchun)
2-lekciya, 14-leciya, 12-lekciya, 5-Ma\'ruza (El&Sxema1 Sirtki ta\'lim uchun)

6.7-rasm. Gann effektini tushuntiruvchi energetik diagramma
Elektronlar (kovaklar) effektiv massasi material turiga, kristall tuzilishiga hamda zaryad
tashuvchilar energiyasiga bog‘liq, chunki kristall panjara xususiy elektr maydoni tezlanishiga
ushbu zarrachalar ta’sir etadi. GaAs kristalida elektronlarning yuqori – 2 vohadagi effektiv massasi
m
ЭФ2
=1,2m, pastki voha 1 dagisi esa m
ЭФ1
=0,07m ni tashkil etadi, bu yerda m – vakuumdagi erkin
elektronning massasi. Ikkinchi tomondan, elektronlar effektiv massasi ortgani sayin ularning
harakatchanligi
2
/
1
2
/
3
)
(
T
m
ЭФ




qonunga binoan kamayadi, bu yerda Т – kristallning
absolyut temperaturasi. Shuning uchun yuqori voha “og‘ir” elektrolarining harakatchanligi

2

100 см
2
/[V∙s], pastki voha “yengil” elektronlarining harakatchanligi esa

1

5000 sm
2
/[V∙s] ni
tashkil etadi. Shunday qilib, berilgan temperaturada o‘tkazuvchanlik zonasida bir vaqtning o‘zida
“yengil” va “og‘ir” elektronlar mavjud. Bolsman taqsimotiga muvofiq xona temperaturasida

elektronlarning ko‘p qismi pastki vohada to‘planadi. Agar diodga katta bo‘lmagan potensiallar
farqi berilsa, unda elektronlarni tezlatuvchi maydon hosil bo‘ladi (6.8-rasmda 1-2 soha).
Elektronlar
Е
ДР
1



tezlikka erishadilar va diodda
Е
qn
E
v
qn
E
j
ДР
1
1
1
)
(
)
(



tok hosil bo‘ladi. Tok hosil bo‘lishida yuqori voha elektronlarining ulushi, ular konsentratsiyasi
kichik bo‘lgani sababli, hozircha juda kichik.
6.8-rasm. Dreyf tezlikning elektr maydon kuchlanganligiga bog‘liqligi

Download 0.78 Mb.

1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Download 0.78 Mb.

Pdf ko'rish