O‘rtacha kirish toki IKIR.O‘RT VA DKning aniqlik parametrlaridan hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli DK larda 1÷7·103 nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi RG orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi sinfaz signaldek tutadi. KU.SF marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi RK yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada RK qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati VA ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsiyentini oshirish uchun, RK rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar YOKI maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.
7.3-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi.
BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor toklarining o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning differensial qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun (7.3) formulada RK o‘rniga RDIF qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda ruxsat etilgan maksimal qiymati to-piladi. Tashqi yuklama ulanganda kuchaytirish koeffitsiyentining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi RYu bilan aniqlanadi, ya’ni (7.3) formulada RK o‘rniga RYu qo‘yilishi kerak.
DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni kuchaytirish koeffitsiyentidan, sinfaz tashkil etuvchini so‘ndirish koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari VA kiradi.
Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi RYu e’tiborga olin-maganda DKning chiqish qarshiligi
.
Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma-ket ulangan bo‘ladi. RE=0 bo‘lganda:
.
β = 100, rE = 250 Om va rB = 150 Om bo‘lsin, bunda RKIR = 5,35 kOm bo‘ladi.
β ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga IB0 bog‘liq. Shuning uchun kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsiyenti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi (7.4-rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti
.
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
.
bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib:
.
7.4-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi.
Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β marta ortar ekan.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo‘llab VA oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali r–n o‘tish bilan boshqariladigan n – kanalli MTlar asosidagi DKning an’anaviy sxemasi 7.5-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan RI rezistor asosida hosil qilingan.
7.5-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi.
RSIL1 va RSIL2 rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga boshlang‘ich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi teskari siljitilgan r – n o‘tishning differensial qarshiligidan iborat bo‘ladi va 108 ÷ 1010 Om ni tashkil etadi.
Ba’zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun n – kanalli r–n o‘tish bilan boshqariladigan MT va n–p–n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. DKlarning barcha ko‘rilgan turlari har xil OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi.
|
