N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida




Download 21.67 Kb.
bet6/8
Sana05.04.2023
Hajmi21.67 Kb.
#49030
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
2-SMESTR FIZIKA
1111, Осадочные горные породы реферат, Mavzu, Ta`lim jarayoni yaxlit tizim sifatida. Ta`lim tamoyillari-fayllar.org, Yusupov mashxurbekning (1), 1 (2), tttt, Bibliotechnyy-biznes, Ttttt, 8-мавзу, 20-mavzu. Pulning xalqaro munosabatlardagi harakati

N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida


  • N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida

  • kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud

  • p — turli yarimo‘tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlarikonsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n - turli

  • yarimo‘tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi

  • Diffuziya natijasida chegara yaqinidagi - sohada elektronlar

  • konsentratsiyasi qo‘zg‘almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidan

  • kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning

  • o‘zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo‘zg‘

  • almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu

  • qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi

  • Natijada, chegaradan

  • ikki tomonda qo‘sh elektr qatlam hosil boiadi

4.

Yarimo'tkazgich materiallari nominal darajada kichikdir tarmoqli oralig'i izolyatorlar. A ning aniqlovchi xususiyati yarim o'tkazgich moddiy bo'lishi mumkin doping qilingan uning elektron xususiyatlarini boshqariladigan tarzda o'zgartiradigan aralashmalar bilan.[1] Ularning qo'llanilishi sababli kompyuter va fotoelektrik sanoat - kabi qurilmalarda tranzistorlar, lazerlarva quyosh xujayralari- yangi yarimo'tkazgich materiallarini izlash va mavjud materiallarni takomillashtirish - bu o'rganishning muhim yo'nalishi materialshunoslik.


  • Yarimo'tkazgich materiallari nominal darajada kichikdir tarmoqli oralig'i izolyatorlar. A ning aniqlovchi xususiyati yarim o'tkazgich moddiy bo'lishi mumkin doping qilingan uning elektron xususiyatlarini boshqariladigan tarzda o'zgartiradigan aralashmalar bilan.[1] Ularning qo'llanilishi sababli kompyuter va fotoelektrik sanoat - kabi qurilmalarda tranzistorlar, lazerlarva quyosh xujayralari- yangi yarimo'tkazgich materiallarini izlash va mavjud materiallarni takomillashtirish - bu o'rganishning muhim yo'nalishi materialshunoslik.

  • Eng ko'p ishlatiladigan yarim o'tkazgich materiallari kristalli noorganik qattiq moddalar. Ushbu materiallar quyidagilarga muvofiq tasniflanadi davriy jadval guruhlari ularning tarkibiy qismi atomlar.

  • Turli xil yarimo'tkazgich materiallari ularning xususiyatlari bilan farq qiladi. Shunday qilib, bilan solishtirganda kremniy, aralash yarimo'tkazgichlar afzalliklari ham, kamchiliklari ham bor. Masalan, galyum arsenidi (GaAs) olti baravar yuqori elektronlarning harakatchanligi tezroq ishlashga imkon beradigan kremniyga qaraganda; kengroq tarmoqli oralig'i, bu esa quvvat moslamalarini yuqori haroratlarda ishlashiga imkon beradi.

Download 21.67 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8




Download 21.67 Kb.

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida

Download 21.67 Kb.