Statik tavsiflar bu tajriba asosida olingan trazistorda oqadigan toklar va Kyu=O bo‘lganda uning n-p o‘tishidagi kuchlanishlar o‘rtasidagi bog‘lash chizmalari. Yuqorida aytilganidek, tranzistorda oqadigan o‘zgarmas toklar, berilgan kuchlanishlar bilan bog‘lamasi nochiziqli, ya’ni statik volt-amperli tavsiflari nochiziqli. 10-rasmdan kelib chiqadiki, kirish va chiqish toklar va kuchlanishlar tranzistorni ulash har xil shemalar uchun har xildir. Ulanish shemalarni har qaysisi statik tavsiflarni to‘rt oilasmi bilan ifodalashi mumkin. Amalda umumiy baza (UB) va umumiy emitter (UE) shemalar uchun Odatda kirish va chiqish tavsiflari bilan foydalanishadi. UB shema bo‘yicha ulangan tranzistorning statik tavsiflarini ko‘rib chiqamiz, unga kirish zanjiri bo‘lib emitter zanjiri hisoblansa, chiqish zanjiri esa kollektor zanjiri, ya’ni:
Ichiq=Ik; Uchiq=Ukb.
12-rasm.
Kirish tavsifi quyidagi nisbat bilan yoziladi:
Ie=F(Ube) | Ukb= const
Bunda ular 12-rasmda ko‘rsatilgan ko‘rinishga ega. Ukb bo‘lganda olingan tavsif ko‘rinishi yakka xol n-p o‘tishni volt-amperli tavsifini to‘g‘ri shoxiga tegishli.
U kb=O bo‘lganida kirish tavsiflari koordinati boshlanishiga nisbatan chap tomonga suriladi. Buni shunday tushuntirsa bo‘ladi, agar KO‘ga teskari kuchlanish berilsa, bunda emitterli va kollektorli o‘tishlari oralig‘ida kuchlanish bo‘yicha teskari bog‘lama hosil bo‘ladi, ya’ni KO‘da teskari kuchlanishni o‘zgarishi EO‘da to‘gri kuchlanishni o‘zgarishiga olib keladi, va haqiqatda EO‘ (Ueb) beriladigan kuchlanishga teng emas. Bog‘lash elementi ya’ni e-B zanjiri va K-B zanjiri uchun umumiy elementi bo‘lib baza toki oqadigan bazaning hajmiy qarshiligi Ub xizmat qiladi. Bazaning hajmiy qarshiligi bo‘yicha oqib, bazali tok kuchlanishni pasayishini yaratadi va emitterli o‘tishga berilgan haqiqiy kuchlanish emitterli batareya kuchlanishidan Ib Ub miqdoriga kam bo‘lib qoladi, ya’ni
Ueu=Uub- IbUb.
Agar KO‘ga teskari kuchlanish berilsa, bunda u kengayadi, buning ustiga asosan baza tomoniga (chunki bazada aralashmalar konsentratsiyasi kam) va baza eni W kamayadi. Wni kamayishi baza qalinligida asosiy bo‘lmagan tashuvchilarni rekombinatsiya jarayonini kamaytirishga olib keladi, ya’ni baza tokining rekombinatsiyali tashkil etuvchisining kamayishi oshadi.
Shunday qilib, kollektorli o‘tishni teskari kuchlanishini o‘zgarishi Ueu o‘zgarishiga olib keladi, demak emitter tokini o‘zgartirishgan. Natijada, Ukb=0 bo‘lmaganida chizmadan olingan tavsiflar, chap tomonga yuradi va EO‘ orqali tokning diffuziyali tashkil etuvchisi Ukb=0 ham bo‘lganda oqadi. Ie=0 bo‘ladi, agar EO‘ga teskari kuchlanish Ueu=0 bo‘lsa. Shuni ta’kidlash kerakki, teskari kolletorli kuchlanishni oshirish ta’siri faqat Ukb katta miqdorlari bo‘lmaganida kirish tavsiflarni sezilarli siljishga olib keladi.
IUkb I>5В bo‘lganida tavsiflar amaliy birlashadi, chunki kollektorli o‘titshni kengayoishi faqat baza tokini kamaytirmasdan, balki qarshiligini oshirishga ham olib keladi. UB sxemasi bo‘yicha ulangan (13-rasm) tranzistorning chiqish tavsiflarini statik yurishini ko‘rib chiqamiz:
Ik=F(Ukb)| Ie=const
13-rasm.
Ie=0 olingan tavsif ko‘rinishi yakkaxon n-p o‘tishni voltamperli tavsifini teskari shoxiga to‘g‘ri keladi. Bunday xolatda Ik=Iko, bunda Iko-nolli kollektor toki.
Agar I>0 bo‘lsa, bunda emitterdan bazaga injektirilgan zaryad tashuvchilar hisobiga kollektor tokining miqdori oshadi. Bunday holatda, Ukb=0 bo‘lganida ham kollektor toki oqadi. Kollektor tokini miqdorini nolgacha kamaytirish uchun, kollektorli o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berish kerak, bunda o‘tishni potensial to‘sig‘i pasayadi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuv- chilarning oqimi oqadi bu oqimlar teng bo‘ladi.
Kollektorda teskari kuchlanishni oshirganda, bunda olingan tavsiflar, katta bo‘lmagan ko‘tarilishga ega bo‘ladi, ya’ni kollektorda kuchlanishni oshirganda kollektor toki ko‘payadi. Buni shunday tushuntirilsa bo‘ladi, teskari kolletorli kuchlanishni oshirgan sari, kollektorli o‘tish eni ko‘payadi (asosan baza tomoniga), baza qalinligida asosiy bo‘lmagan tashuvchilarni rekombinatsiyasi kamayadi baza tokini rekombinatsiyali tashkil etuvchisi kamayadi va kollektor toki Ik=Ie-IbIe=const bo‘lganida birmuncha oshadi. Emitter tokining o‘zgarishini bir xil intervallarda olingan tavsiflari notekis joylashadilar: emitter tokining miqdori qancha katta bo‘lsa, tavsiflar birbiroviga yaqinroq joylashadilar. Buni shunday tushuntirsa bo‘ladi, emitter tokini oshib borishi rekombinaysiyani ko‘paytirishga olib keladi, demak, kollektorli tokni kamayishiga.
Ik katta miqdorlarda, kollektorli o‘tishda zaryad tashuvchilarni ko‘chikli ko‘paytirish hisobiga krollektorli kuchlanish oshadi.
Tranzistor ishlashda kuchlanish kollektorli o‘tishni Ik teskari boshqarmaydigan tok katta rol o‘ynaydi, u esa har qanday emitter tokining miqdorida kollektor tokini bir qismi hisoblanadi.
Iko asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning toki bo‘lgani uchun, uning soni bevosita haroratga bog‘liqligi sababli, bunda uning borligi tranzistorni ishlashini haroratga nostabilligini oldindan belgilaydi.
Umumiy emitterli (UE) sxemasi bo‘yicha ulangan tranzistorning statik kirish tavsiflari yo‘lini ko‘rib chiqamiz: Ib-F(Ub)| Uko-const.
Bunday holatda ularning ko‘rinishi 14-rasmda ko‘rsatilganidek bo‘ladi.
14-rasm.
Uke=0 bo‘lganida olingan tavsif yo‘lini ko‘rib chiqamiz. Agar kollektorli n-doiraga nolli, bazali p-doiraga manfiy potensial berilgan (ya’ni |Uke|<|Ube|) bo‘lsa, bunda kollektorli o‘tish to‘g‘ri kuchlanishda bo‘ladi va baza orqali qisqa tutashadi va u orqali tokning diffuziyali tashkil etuvchisi (zaryadning asosiy tashuvchilari) oqadi. Batareyadan to‘g‘ri kuchlanish berilgan emitterli o‘tish orqali ham tokning diffuziyali tashkil etuvchisi oqadi, buning ustiga, UE li shema uchun berilgan Uke=O kolletor va emitter o‘rtasida qisqa tutashuvni bildirishi sababli, emitter toki ham baza orqali qisqa tutashadi. Ube o‘zgarganda bu toklarning har biri n-p o‘tishni volt-amperli tavsifini to‘g‘ri shoxini yo‘liga qarab o‘zgaradi. Bazali uchida emitterli va kollektorli toklar bir yo‘nalishda oqishadi, ya’ni Ib=Ie+Ik va Uke=O bo‘lganda olingan kirish tavsifi, ikki paralell ulangan N-p o‘tishlarni volt-amperli tavsifni to‘g‘ri shoxini ifodalaydi.
Agar kirish tavsifi qandaydir teskari kollektorli kuchlanishda |Uke|<|Ube| olinadigan bo‘lsa bunda kollektorli o‘tishga teskari kuchlanish beriladi. Bunday holatda, kollektor toki kollektor zanjiri orqali qisqa tutashadi va baza toki qarama-qarshi yo‘nalgan tashkil etuvchilarni yig‘indisi bo‘lib qoladi: rekombanitsiyali va I’ko tokini.
Ube=O bo‘lganda baza tokining rekombinatsiyali tashkil etuvchisi Ie(I-Lo)=O va baza zanjirida faqat Iko toki oqadi. Endi emitterli o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish Uke>O berilganida emitterli tok va baza tokining rekombinatsiyali tashkil etuvchisi o‘lchami bo‘yicha Iko tokdan kam paydo bo‘ladi. Baza zanjirida ayirma toki oqadi. Ube ko‘paytirganda (oshirganda) rekombinatsiyali tashkil etuvchisi oshadi, ayirma toki I’ko-Ie (I-Lo) kamayadi va Ie(I-Lo)=Ikо bo‘lganida baza toki nolga teng. Ube oshirgan sari baza toki o‘z yo‘nalishini o‘zgartiradi va baza zanjirida ayirma toki oqadi va u Ie(I-Lo)-I’ko bo‘lganida kamayadi.
Kolletorli o‘tishni teskari kuchlanishi oshirganda kirish tavsiflari koordinatalar boshlanishidan o‘ngga va pastga siljiydi. Tavsiflarni pastga siljishini shunday tushuntirilsa bo‘ladi, kollektorli o‘tishni teskari kuchlanishini oshirganda I’ko miqdorlari oshib boradi, chunki baza tomoniga o‘tishni kengaytirganda rekombinatsiyani kamaytiradi, natijada emitter tokini Lo uzatish koeffitsiyenti oshadi va I’ko miqdorlari ko‘payib boradi. Tavsiflarni o‘nga siljishini shunday tushuntirsa bo‘ladi, Baza tokining rekombinatsiyasi tarkibi kamayishi va Ie(I-Lo)=I’ko tengligi Ube katta miqdorlarida erishiladi.
Odatda spravochniklarda |Uke|<|Ube| bo‘lganida olingan kirish tavsiflarini oilasi keltiriladi, ammo baza tokining manfiy miqdorlar hududi ko‘pincha tasvirlanmaydi.
UE shemai bo‘yicha ulangan transiztorning statik chiqish tavsiflarini ko‘rib chiqamiz:
Ik=F(Uke) |Ib=const.
Ib=o bo‘lganida olingan tavsifi kollektorli o‘tishni volt-amperli tavsifini teskari shoxini Ie(I-Lo)=I’ко ochiq emitterli o‘tishidagi holatida olinganini ifodalaydi.
IO bo‘lganida olingan tavsifi Ib=(Ie+Iko) bo‘lganidagi tavsifini nuqtalariga tegishli. Uning yo‘li amalda kesish hududi chegarasini belgilaydi. Kesish hududi va faol hududi oralig‘idagi hududda kolletor tokining miqdori Iko dan I’ко gacha o‘zgaradi. Ib>O bo‘lganida olingan tavsiflar koordinatalar boshlanishidan o‘tmaydi, chunki Uke=O bo‘lganiда Ib=const berilgan miqdorini olish uchun, bazaga qandaydir manfiy kuchlanish Ube berish kerak. Bunday holatda |Uke|<|Ube|, kollektorli o‘tish ochiladi, Idif-Iprov ayirmasi bo‘lgan uning orqali qandaydir manfiy tok oqadi. Bu tok juda kichik bo‘lgani sababli UE tarxi uchun, amalda chiqish tavsiflari noldan boshlanadi deb hisoblashadi. Agar kolletorli o‘tishga Ub kuchlanishga qaraganda miqdori bo‘yicha kam teskari kuchlanish berilsa, bunda u ochiq bo‘lib taraveradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar oqimiga qarshi asosiy bo‘lgan zaryad tashuvchilar oqimi harakatlanidi (tokning diffuziyali tashkil etuvchisi) va teskari kuchlanishni Uke oshirganda u kamayadi (ya’ni KO‘ da to‘g‘ri kuchlanishini pasayib ketishini kamaytirganda). Buning natijasida kollektorli o‘tish (Idif-Iprov) orqali tok oshadi. Uke ni qandaydir miqdorida tenglik hosil bo‘ladi: |Uke|=|Ube|, keyinchalik Uke ni oshirganda kollektorli o‘tishga haqiqiy teskari kuchlanish beriladi va u orqali faqat asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilari o‘tadi, uning miqdori esa asosan Ube ga bog‘liq.
Uкe teskari kuchlanishni oshirganda kollektor tokining ko‘payishini shunday tushuntirilsa bo‘ladiki, kollektor o‘tishni kengaytirganda bazada rekombinatsiya kamayadi, buning natijasida Baza toki kamayadi. Baza tokining kamayishi kollektor tok miqdorini oshiradi, chunki, Ik=Ie+Ib teng va bundan tashqari Ib=const ni ushlab turish uchun Ube oshirish kerak, bu esa emitter tokini oshishiga olib keladi, demak kollektor tokini ham.
Kollektorli o‘tishda teskari kuchlanishni oshirilishi, borib-borib kollektor tokini keskin oshishiga – KO‘ buzulishiga olib keladi.
Huddi UB li shemaga o‘xshab, UE li shema uchun olingan, kirish va chiqish tavsiflar oilasi asosiy hisoblanadi. Kuchlanish bo‘yicha teskari bog‘lamali tavsiflar va tok bo‘yicha to‘g‘ri uzatish grafik shaklida kirish oilalari yoki chiqish tavsiflar oilalari tegishlicha qurilishi mumkin.
UK li shemai bo‘yicha ulangan tranzistorning statik tavsiflari UE li shemaining tavsiflaridan juda kam farq qiladi, bu esa UE li sxemaining tavsiflari bo‘yicha UK li sxema uchun ishchi rejimlar hisobini bajarishga imkon yaratadi.
Bundan tashqari UE li sxemai uchun olingan tavsiflar qayta hisoblash yo‘li bilan barcha tok va kuchlanishlar miqdorini ancha aniqroq olishga imkon yaratadi, chunki ular Ib va Ube miqdorlarini aniq beradi, UB li va UK li sxemalar uchun esa bu kichik miqdorlarni katta miqdorlar ayirmasi sifatida aniqlashga to‘g‘ri kelar edi, bunda katta xatoga yo‘l qo‘yilar edi. Shunday qilib, UE li shema uchun tavsiflar tranzistorni ishlashi to‘g‘risida ancha aniq ma’lumotlarni beradi. bu sabablarga ko‘ra UE li sxema uchun olingan tavsiflar oilasi asosiy hisoblanadi va spravochniklarda ko‘proq keltiriladi.
|
