Elektronika va sxemalar fanidan yakuniy nazorat test
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR FANIDAN YAKUNIY NAZORAT TEST
Aktiv rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ..... xizmat qiladi
*asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun
asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun
bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
Analog signallarga ishlov berganda bipolyar tranzistor qaysi rejimda ishlaydi?
a) *aktiv
b) berk
c) to’yinish
d) invers
3. Arsenid galliyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi.
a) *1,43 eV
b) >3 eV
c) 1,12 eV
d) 0,67 eV
4. Asosiy zaryad tashuvchilarda ishlaydigan diodni ko’rsating.
a) *shottki baryerli diod
b) gann diodi
c) tunnel diod
d) o’girilgan diod
5. Baza zaryad tashuvchilarni ... xizmat qiladi.
a) *uzatish uchun
b) injeksiyalash uchun
c) ekstraksiyalash uchun
d) to’plash uchun
6. Bipolyar transistor
a) *elektr o’zgartiruvchi asbob
b) elektr yoritgich asbob
c) fotoelektrik asbob
d) termoelektrik asbob
7. Bipolyar tranzistor...
a) *ikkita p-n o’tish va uchta elektrodga ega
b) bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
c) bitta p-n o’tish va uchta elektrodga ega
d) faqat p-n o’tishga ega, elektrodlari yo’q
8. Bipolyar tranzistor... ishlatiladi.
a) *elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
b) optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
c) elektr signallarni optik signallarga aylantirish uchun
d) issiqlik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
9. Bipolyar tranzistor o’tishlarining effektiv tasirlashuvi qanday ta’minlanadi?
a) *baza qalinligi noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan
b) baza qalinligi noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan katta bo’lishi kerak
c) baza n-turli bo’lishi kerak
d) baza p-turli bo’lishi kerak
10. ....... bipolyar tranzistorning aktiv rejimi amalga oshadi
a) *emitter o’tish to’g’ri, kollektor o’tish esa teskari siljitilganda
b) ikkala o’tish to’g’ri yo’na-lishda silji-tilganda
c) ikkala o’tish teskari yo’na-lishda silji-tilganda
d) emitter o’tish teskari, kollektor o’tish ham teskari siljitilganda
11. ...... bipolyar tranzistorning berk rejimi amalga oshadi
a) *ikkala o’tish teskari yo’nalishda siljitilganda
b) emitter o’tish teskari, kollek-tor o’tish ham teskari siljitilganda
c) emitter o’tish to’g’ri, kollektor o’tish esa teskari siljitilganda
d) ikkala o’tish to’g’ri yo’nalishda siljitilganda
12. ...... bipolyar tranzistorning invers rejimi amalga oshadi
a) *emitter o’tish teskari, kollek-tor o’tish to’g’ri siljitilganda
b) emitter o’tish to’g’ri, kollektor o’tish esa teskari siljitilganda
c) ikkala o’tish to’g’ri yo’na-lishda silji-tilganda
d) ikkala o’tish teskari yo’nalishda silji-tilganda
13. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida p-n o’tishlar toklarining bir-biriga tasiri yo’q?
a) *berk
b) invers
c) aktiv
d) to’yinish
14. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter toki bilan boshqariladi?
a) *aktiv
b) to’yinish
c) berk
d) invers
15. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter tokiga sust bog’liq?
a) *to’yinish
b) berk
c) invers
d) aktiv
16. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter tokini boshqaradi?
a) *invers
b) aktiv
c) aktiv
d) berk
17. Bipolyar tranzistorning qaysi soasida kiritmalar konsentrasiyasi eng katta bo’ladi?
a) *emitter
b) baza
c) kollektor
d) barcha soxalarda teng
18. Bipolyar tranzistorning qaysi sohasida kiritmalar konsentrasiyasi eng kichik bo’ladi?
a) *baza
b) barcha soxalarda teng
c) emitter
d) kollektor
19. ...... bipolyar tranzistorning to’yinish
a) *ikkala o’tish
b) ikkala o’tish teskari
c) emitter o’tish teskari,
d) emitter o’tish to’g’ri,
20. Varikapning ishchi rejimi qachon amalga oshadi?
a*teshilish rejimiga o’tmagan teskari siljitish
b) elektr teshilish rejimi
c) to’g’ri va teskari siljitishlarning davriy almashishi
d) to’g’ri siljitilgan
21. Volt-amper xarakteristikasida manfiy differensial qarshilikka ega diod turi?
a) *tunnel diod
b) shottki diodi
c) varikap
d) Stabilitron
22. Germaniyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi.
a) *0,67eV
b) 1,43eV
c) >3eV
d) 1,12eV
23. Diodli tiristor...
a) *uchta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
b) uchta p-n o’tish va uchta elektrodga ega
c) uchta p-n o’tish va to’rtta elektrodga ega
d) bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
24. Diffuziya - bu……….
a) *kosentrasiyalar farqi tufayli zaryad tashuvchilarning harakati
b) elektr maydon ta’sirida zaryad tashuvchilar-ning harakati
c) erkin zaryad tashuvchilarning paydo bo’lish hodisasi
d) erkin zaryad tashuvchilar-ning yo’qolish hodisasi
25. Diodning ideallashgan VAX si…. e’tiborga olmaydi
a) *tok hosil bo’lishiga diod p-n o’tishining qo’shgan hissasini
b) diod r-bazasidagi asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasini
c) diod n – bazasidagi asosiy zaryad tashuvchilar konsentra-siyasini
d) diod ikkala bazasidagi asosiy bo’lma-gan zaryad tashuvchilar konsentrasiyasini
26. Diodning issiqlik teshilishi - bu
a) *p-n o’tish qiziganda teskari tokning boshqarilmay-digan qaytmas jarayon natijasida ortishi
b) diod to’g’ri ulanganda tokning keskin ortishi
c) p-no’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi
d) valent elektron-larning p-sohadan n -sohaga tunnel o’tish natijasida tokning keskin ortib ketishi
27. Diodning ko’chkili teshilishi - bu
a) *p-n o’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi
b) valent elektronlarning p-sohadan n-sohaga tunnel o’tish natijasida tokning keskin ortib ketishi
c) p-no’tish qiziganda teskari tokni boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi
d) diod to’g’ri ulanganda tokning keskin ortishi
28. Diodning tunnel teshilishi - bu
a) *valent elektronlarning p-sohadan n -sohaga tunnel o’tishi natijasida tokning keskin ortib ketishi
b) p-no’tish qiziganda teskari tok boshqarilmay qaytmas jarayon natijasida ortishi
c) diod to’g’ri ulanganda tokning keskin ortishi
d) p-no’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi
29. Dielektrik – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi
a) *absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o’zgarmaydi
b) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi
c) absolyut nol temperaturada nolga teng emas va temperatura ortishi bilan kamayadi
d) absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi
30. Dielektrikning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi.
a) *>3 eV
b) 1,12 eV
c) 0,67 eV
d) 1,43 eV
31. Invers rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ...... xizmat qiladi
a) *bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
b) bazadan asosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun
c) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injek-siyalash uchun
d) asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun
32. Injeksiya-bu………..
a) *n-p o’tish to’g’ri ulanganda elektronlar oqimi n sohadan p sohaga harakatlanadi, kovaklar esa teskari yo’nalishda harakatlanadi
b) p-n o’tish teskari ulanganda asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning harakati
c) erkin zaryad tashuvchilarning xaotik issiqlik harakati
d) konsentrasiyalar farqi tufayli zaryad tashuvchilarning harakati
33. Kollektor zaryad tashuvchilarni ... xizmat qiladi.
a) *to’plash uchun
b) uzatish uchun
c) injeksiyalash uchun
d) ekstraksiyalash uchun
34. Kompensasiyalangan yarimo’tkazgich - bu
a) *donor kirish-malar konsen-trasiyasi akseptor kirishmalar konsentrasiyasigi teng yarimo’tkazich
b) donor kirishmali yarimo’tkazgich
c) akseptor kirishmali yarimo’tkazgich
d) kirishmasiz yarimo’tkazgich
35. Kremniyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi.
a) *1,12 eV
b) 0,67 eV
c) 1,43 eV
d) >3 eV
36. Kuchlanishni barqarorlashtirishda qo’llaniladigan diod turi?
a) *stabilitron
b) tunnel diod
c) shottki diodi
d) varikap
37. Maydoniy tranzis-torning qaysi turida stok toki faqat kanal sohasi kengligining o’zgarishi hisobiga amalga oshadi?
a) *zatvori p-no’tish bilan boshqarila-digan maydoniy tranzistor
b) p – kanali qurilgan MDYa- tranzistorda
c) n – kanali induksiyalangan MDYa tranzistorda
d) MDYa- tranzistor
38. Metall-yarimo’tkazgich o’tishli diod turi?
a) *shottki diodi
b) varikap
c) stabilitron
d) tunnel diod
39. Nurlanuvchi diod
a) *elektr yoritgich asbob
b) fotoelektrik asbob
c) termoelektrik asbob
d) elektr o’zgartiruvchi asbob
40. Nurlanuvchi diod nurining to’lqin uzunligi ...... bog’liq
a) *diod tayyorlangan materialga
b) diodga berilgan teskari kuchlanish qiymatiga
c) diodga berilgan to’g’ri kuchlanish qiymatiga
d) diodning geometrik o’lchamlariga
41. Nurlanuvchi diod... ishlatiladi.
a) *elektr signallarni optik signallarga aylantirish uchun
b) issiqlik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
c) elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
d) optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
42. Rezistor volt-amper xarakteristikasini belgilang.
a) *
b)
c)
d)
43. Rekombinasiya –bu……...
a) *erkin zaryad tashuv-chilarning yo’qolish hodisasi
b) kosentrasiyalar farqi tufayli zaryad tashuvchilar-ning harakati
c) elektr maydon ta’sirida zaryad tashuvchilar-ning harakati
d) erkin zaryad tashuvchilarning paydo bo’lish hodisasi
44. Signallarni uzatishda zanjirlarni uzish uchun (tranzistor eng katta qarshilikka ega) tranzistorning qaysi rejimi ishlatiladi?
a) *berk rejim
b) invers rejim
c) aktiv rejim
d) to’yinish rejimi
45. Signallarni uzatishda zanjirlarni ulash uchun (tranzistor eng kichik qarshilikka ega) tranzistorning qaysi rejimi ishlatiladi?
a) *to’yinish rejimi
b) berk rejim
c) invers rejim
d) aktiv rejim
46. Signalni buzilmagan holda kuchaytirish uchun tranzistorning qaysi rejimi ishlatiladi?
a) *aktiv rejim
b) to’yinish rejimi
c) berk rejim
d) invers rejim
47. Stabilitronning ishchi rejimini belgilang(ko’rsating).
a) *elektr teshilish rejimi
b) to’g’ri va teskari siljitishlar-ning davriy almashishi
c) to’g’ri siljitilgan
d) teshilish rejimiga o’tmagan teskari siljitish
48. Stabistorning ishchi rejimini belgilang(ko’rsating).
a) *to’g’ri siljitilgan
b) teshilish rejimiga o’tmagan teskari siljitish
c) elektr teshilish rejimi
d) to’g’ri va teskari siljitishlarning davriy almashishi
49. Sxemalarda varikap ... ishlatiladi.
a) *elektr kondensator sifatida
b) barcha javoblar to’g’ri
c) o’zgaruvchan tokni o’zgarmasga aylantirish uchun
d) kuchlanishni stabilizasiyalash uchun
50. Sxemalarda stabistor ... ishlatiladi.
a) *kuchlanishni stabilizasiya-lash uchun
b) elektr kondensator sifatida
c) o’zgarmasga aylantirish uchun o’zgaruvchan tokni
d) o’zgaruvchan tokni o’zgarmasga aylantirish uchun
51. Sxemalarda yarimo’tkazgichli diod ... ishlatiladi.
a) *o’zgaruvchan tokni o’zgarmasga aylantirish uchun
b) induktivlik sifatida
c) tok stabilizasiya-lash uchun
d) elektr saqlagich sifatida
52. Sxemalarda bipolyar tranzistor... ishlatiladi.
a) *signallarni quvvatini kuchaytirish uchun
b) signallarni kechiktirish uchun
c) signallarni so’ndirish uchun
d) signallarni ajratish uchun
53. Sxemalarda MDYa- tranzistor... ishlatiladi.
a) *kuchlanish kuchaytirgichi sifatida
b) signallarni kechiktirish uchun
c) signallarni so’ndirish uchun
d) signallarni ajratish uchun
54. Sxemalarda zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan tranzistor... ishlatiladi.
a) *kuchlanish kuchaytirgichi sifatida
b) signallarni kechiktirish uchun
c) signallarni so’ndirish uchun
d) signallarni ajratish uchun
55. Termorezistor
a) *termoelektrik asbob
b) elektr o’zgartiruvchi asbob
c) elektr yoritgich asbob
d) fotoelektrik asbob
56. ..... termorezistor toki qiymati o’zgaradi
a) *atrof muxit temperaturasi o’zgarishi bilan
b) atrof muxit temperaturasi ortishi bilan
c) atrof muxit temperaturasi kamayishi bilan
d) yoritilganlik o’zgarishi bilan
57. Teskari ulangan fotodiod toki
a) *yoritilganlik ortishi bilan ortadi
b) yoritilganlik va teskari kuchlanish ortishi bi-lan ortadi
c) teskari kuchlanish ortishi bilan ortadi
d) teskari kuchlanish ortishi bilan kamayadi
58. Tetrodli tiristor...
a) *uchta p-n o’tish va to’rtta elektrodga ega
b) bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
c) uchta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
d) uchta p-n o’tish va uchta elektrodga ega
59. Tiristor ...
a) *uchta p-n o’tish va uchta elektrodga ega
b) uchta p-n o’tish va to’rtta elektrodga ega
c) bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
d) uchta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
60. To’g’irlovchi diod
a) *elektr o’zgartiruvchi asbob
b) elektr yoritgich asbob
c) fotoelektrik asbob
d) termoelektrik asbob
61. To’g’irlovchi diodning ishchi rejimini belgilang(ko’rsating).
a) *to’g’ri va teskari siljitishlar-ning davriy almashishi
b) to’g’ri siljitilgan
c) teshilish rejimiga o’tmagan teskari siljitish
d) elektr teshilish rejimi
62. Fotodiod
a) *fotoelektrik asbob
b) termoelektrik asbob
c) elektr o’zgartiruvchi asbob
d) elektr yoritgich asbob
63. Fotodiod ... ishlatiladi.
a) *optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
b) elektr signallarni optik signallarga aylantirish uchun
c) issiqlik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
d) elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
64. Fotodiod .... o’zgartiradi
a) *optik signalni elektr signalga
b) issiqlik signalni elektr signalga
c) elektr signalni elektr signalga
d) elektr sig-nalni optik signalga
64. Fotodiod .... o’zgartiradi
a) *optik signalni elektr signalga
b) issiqlik signalni elektr signalga
c) elektr signalni elektr signalga
d) elektr sig-nalni optik signalga
65. Fotorezistor
a) *fotoelektrik asbob
b) termoelektrik asbob
c) elektr o’zgartiruvchi asbob
d) elektr yoritgich asbob
66. ..... fotorezistor fototoki qiymati o’zgaradi
a) *yoritilganlik o’zgarishi bilan
b) atrof muxit temperaturasi o’zgarishi bilan
c) atrof muxit temperaturasi ortishi bilan
d) atrof muxit temperaturasi kamayishi bilan
67. Fototranzistor ... ishlatiladi.
a) *optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
b) elektr signallarni optik signallarga aylantirish uchun
c) issiqlik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
d) elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
68. Xususiy yarimo’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi ... teng.
a) *
b)
c)
d)
69. Xususiy yarimo’tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi?
a) *elektronlar va kovaklar
b) kovaklar
c) manfiy ionlar
d) musbat ionlar
70. Elektrovakuumli diod volt-amper xarakteristikasini belgilang.
a) *
b)
c)
d)
71. Elektrovakuumli triod volt-amper xarakteristikasini belgilang.
a) *
b)
c)
d)
72. Emitter zaryad tashuvchilarini ... xizmat qiladi.
a) *injeksiyalash uchun
b) ekstraksiyalash uchun
c) to’plash uchun
d) uzatish uchun
73. Yarimo’tkazgich – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi
a) *absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi
b) absolyut nol temperaturada nolga teng emas va temperatura ortishi bilan kamayadi
c) absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi
d) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o’zgarmaydi
74. Yarimo’tkazgichli diod volt-amper xarakteristikasini belgilang.
a) *
b)
c)
d)
75. Yarimo’tkazgichli diod .. ishlatiladi.
a) *elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
b) optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
c) elektr signallarni optik signallarga aylantirish uchun
d) issiqlik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun
76. Yarimo’tkazgichli diod...
a) *bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
b) bitta p-n o’tish va uchta elektrodga ega
c) ikkita p-n o’tish va uchta elektrodga ega
d) faqat p-n o’tishga ega, elektrodlari yo’q
77. O’tkazgich – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi
a) *absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi
b) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o’zgarmaydi
c) absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi
d) absolyut nol temperaturada nolga teng emas va temperatura ortishi bilan kamayadi
78. O’zgaruvchan elektr kondensator sifatida qo’llaniladigan diod turi?
a) *varikap
b) stabilitron
c) tunnel diod
d) shottki diodi
79. Qaysi tranzistor tuzilmasida dielektrik qatlam qo’llaniladi?
a) *MDYa tranzistorda
b) barcha javoblar noto’g’ri
c) n-p-n bipolyar tranzistorda
d) p-n-p bipolyar tranzistorda
80. Qaysi tranzistorda kanali boyitilgan va kambag’allashgan rejim amalga oshadi?
a) *kanali qurilgan MDYa maydoniy tranzistor
b) p-n-p bipolyar tranzistorda
c) n-p-n bipolyar tranzistorda
d) kanali induksiyalan-gan MDYa maydoniy tranzistor
81. Qaysi tranzistorda kanali boyitilgan rejim amalga oshadi?
a) *kanali induksiyalangan MDYa maydoniy tranzistor
b) kanali qurilgan MDYa maydoniy tranzistor
c) p-n-p bipolyar tranzistorda
d) n-p-n bipolyar tranzistorda
82. Qanday bipolyar tranzistor eng tezkor ishlaydi?
a) *baza kengligi kichik, unda n- turli kiritmalar notekis taqsimlangan
b) baza kengligi kichik, unda n- turli kiritmalar tekis taqsimlangan
c) baza kengligi kichik, unda p- turli kiritmalar notekis taqsimlangan
d) baza kengligi katta, unda n- turli kiritmalar notekis taqsimlangan
83. p-yarimo’tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi ?
a) *kovaklar
b) manfiy ionlar
c) musbat ionlar
d) elektronlar
84. p-n o’tishda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi ?
a) *elektronlar va kovaklar
b) kovaklar
c) manfiy ionlar
d) musbat ionlar
85. p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor...
a) *bitta p-n o’tish va uchta elektrodga ega
b) ikkita p-n o’tish va uchta elektrodga ega
c) faqat p-n o’tishga ega, elektrodlari yo’q
d) bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega
86. p-n o’tish to’g’ri siljitilganda tashqi kuchlanishning ...
a) *manfiy uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon kamayadi
b) n-sohaga ulanuvchi qutbning axamiyati yo’q
c) musbat uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon ortadi
d) musbat uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon kamayadi
87. p-n o’tish teskari siljitilganda tashqi kuchlanishning ...
a) *musbat uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon ortadi
b) musbat uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon kamayadi
c) manfiy uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon kamayadi
d) n-sohaga ulanuvchi qutbning axamiyati yo’q
88. p-n o’tish to’g’ri ulanganda ...
a) *uning kengligi kamayadi, baryer sig’imi esa ortadi
b) uning kengligi va baryer sig’imi kamayadi
c) uning kengligi va baryer sig’imi ortadi
d) uning kengligi ortadi, baryer sig’imi esa kamayadi
89. p-n o’tish teskari ulanganda ...
a) *uning kengligi ortadi, baryer sig’imi esa kamayadi
b) uning kengligi va baryer sig’imi kamayadi
c) uning kengligi va baryer sig’imi ortadi
d) uning kengligi kamayadi, baryer sig’imi esa ortadi
90. p-n o’tish baryer sig’imi ... aniqlanadi.
a) *uning kengligi bilan
b) to’g’ri siljitish kuchlanishi
c) teshilish kuchlanishi bilan
d) fotosezgirlik bilan
91. p-n o’tish kengligi nimalarga bog’liq?
a) *teskari ulangan kuchlanishga bog’liq
b) faqat kiritmalar konsentra-siyasiga
c) faqat yarimo’tkazgich materialiga
d) faqat kiritmalarning taqsimlanish xarakteristikasiga
92. p-turdagi yarimo’tkazgich - bu
a) *akseptor kirishmali yarimo’tkazgich
b) kirishmasiz yarimo’tkazgich
c) donor kirishmalar konsentra-siyasi akseptor kirishmalar konsentrasiyasigi teng yarimo’tkazich
d) donor kirishmali yarimo’tkazgich
93. p- turdagi yarimo’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi ... teng.
a) *
b)
c)
d)
94. n- turdagi yarimo’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi ... teng.
a) *
b)
c)
d)
95. n- turdagi yarimo’tkazgich - bu
a) *donor kirishmali yarimo’tkazgich
b) akseptor kirishmali yarimo’tkazgich
c) kirishmasiz yarimo’tkazgich
d) donor kirishmalar konsentrasiyasi akseptor kirishmalar konsentrasiyasigi teng yarimo’tkazich
96. n- turdagi yarimo’tkazgich - bu
a) *donor kirishmali yarimo’tkazgich
b) akseptor kirishmali yarimo’tkazgich
c) kirishmasiz yarim o’tkazgich
d) donor kirishmalar konsentrasiyasi akseptor kirishmalar konsentrasiyasigi teng yarimo’tkazich
97. n- yarimo’tkazichlar uchun qaysi zaryad tashuvchilar asosiy hisoblanadi?
a) *elektronlar
b) kovaklar
c) musbat ionlar
d) manfiy ionlar
98. n- yarimo’tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi?
a) *elektronlar
b) kovaklar
c) manfiy ionlar
d) musbat ionlar
99. n-p-n turli bipolyar tranzistorning chegaraviy chastotasi nima bilan aniqlanadi?
a) *elektronlarning bazadan uchib o’tish vaqti.
b) emitter va kollektor o’tishlar sig’imining zaryadlanishi bilan
c) elektronlar-ning kollektor o’tishdan o’tish vaqti bilan
d) barcha vaqtlar chegaraviy chastotani belgilaydi
100. Xususiy yarim o’tkazgichlarda fermi-energetik sathi qayerda joylashgan?
a) * Taqiqlangan zona o’rtasida
b) Valent zona tubida
c) Valent zona o’rtasida
d) O’tkazuvchanlik zona tubida
101. n-tur yarim o’tkazgichda Fermi energetik sathi qayerda joylashgan?
a) * Donor sathi va valent zonasi tepasining o’rtasida
b) Donor sathdan pastda
c) Donor sathda
d) O’tkazuvchanlik zonasining tubi bilan donor satxi o’rtasida
102. Vaqt o’tishi bilan yarim o’tkazgichda zaryad tashuvchilar konsentrasiyasining o’zgarishi nimaga asoslangan
a) * zaryad tashuvchlar rekombinasiyasi, diffuziyasi va dreyf ta’siriga
b) elektronlarning elektromagnit maydoni va p-n o’tishiga
c) zaryad tashuvchilarning konsentrasiyasi va zaryadiga
d) yarim o’tkazgichning solishtirma qarshiligi va zaruad tashuvchilarning yashash vaqtiga
103. Ichki fotoeffekt deb nimaga aytiladi?
a) .*Yorug’lik ta’siri oqibatida zonalarda erkin zaryad tashuvchilar paydo bo’lishi hodisasi
b) issiqlik ta’siri oqibatida zonalarda erkin zaryad tashuvchilar paydo bo’lishi hodisasi
c) deformatsiya ta’siri oqibatida zonalarda erkin zaryad tashuvchilar paydo bo’lishi hodisasi
d) elektr ta’siri oqibatida zonalarda erkin zaryad tashuvchilar paydo bo’lishi hodisasi
104. Kovak nima?
a) *Elektron bo’lmagan o’rni va musbat zaryadlangan kvazizarracha
b) musbat zaryadli elektron
c) bo’lmagan effektiv zaryadli musbat zaryad tashuvchi zarra
d) musbat zaryadli zaryad tashuvchi zarracha
105. p-n kambagallashgan sohalar kengligi
a) *
b)
c)
d)
106. p-n o’tishning to’liq potensiallar farqi
a) *
b)
c)
d)
107. p-n o’tishda injeksiya…..
a) *p-n o’tishda potensial to’siq balandligi pasaytirish hisobiga zaryad tashuvchilarning asosiy hisoblangan sohaga o’tkazish
b) p-n o’tishga kambag’allashgan soha kengligining tashqi maydon o’sishi bilan kengayishiga
c) p-n o’tishda elektr maydon ta’sirida asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning bir sohadan ikkinchi sohaga o’tishi
d) p-n o’shishda diffuziya hodisasi tufayli p sohadan n sohaga kovaklarning o’tishiga
108. Qarshiliklari teng bo’lgan ikkita fotorezistor o’zgarmas kuchlanish manbaiga ketma-ket ulandi. Fotorezistorlarning biri yoritish natijasida zanjirdagi tok kuchi bir yarim marta oshgan bo’lsa, uning qarshiligi necha marta kamaygan.
a) *3
b) 2
c) 4
d)1.5
109. o’tishning elektr sig’imi
a) *
b)
c)
d)
110. o’tishda teshilish mexanizmining turlari?
a) *Ko’chki, issiqlik va tunnel
b) ko’chki, gazlashish va tunnel’
c) Issiqlik, ionlanish va yemirilish
d) Ko’chki, toshish va tunnel’
111. Tranzistorlarni ulash sxermalari?
a) *Umumiy baza, umumiy kollektor, umumiy emitter
b) emitter-kollektor, umumiy baza, kollektr-kollektr
c) Ketme-ket ulash, umumiy baza, parallel ulash
d) Baza – baza, ketma-ket, parallel
112. Umumiy baza asosida ulangan ikki qutbli tranzistorga qanday kuchlanish berilganda aktiv rejimda ishlatiladi
a) *Emmiterli o’tishga to’g’ri, kollektorli o’tishga teskari
b) Kollektorli va kollektorli o’tishga to’g’ri
c) Emmiterli va kollektorli o’tishlarga teskari
d) Emmiterli va bazali o’tishlarga teskari
113. Yarim o’tkazgichli stabilitronning ishlatilishi
a) * Kuchlanishni doimiy saqlab turishda
b) O‘zgaruvchan tokni to‘g’rilashda
c) Tok va kuchlanishni kuchaytirishda
d) Kuchlanishni to‘g’rilashda
114. Qaysi diodning V.A.X.si N-simon bo’lib V.A.X.-si manfiy differensial qarshilikka ega
a) *Tunnel diodi
b) Past chastotali tug’rilovchi diod
c) Impulsli diod
d) Stabistorli diod
115. Varikap nima ?
a) *Teskari ulangan sigimi maydon kuchlanganligiga bog’liq asbob
b) To’g’ri ulangan p-n-p strukturali, kuchlanishni kuchaytiruvchi asbob
c) p-n o’tishda toki kuchlanishga teskari proporsional bo’lgan asbob
d) p-n-p strukturali qarshiligi kuchlanishga bog’liq bo’lgan asbob
116. Maydonli tranzistorining ishlash jarayoni nimaga asoslangan
a) *Yarim o’tkazgichning elektr qarshiligi, shu materialga ko’ndalang
qo’yilgan maydon bilan boshqarilib, elektr toki tashishda bir xildagi zaryad tashuvchilar ishtirokiga
b) Yarim o’tkazgichning qarshiligi ko’ndalang maydon bilan boshqarilib tok tashishda elektron va kovaklar ishtirokida
c) Yarim o’tkazgichning qarshiligi p-n-o’tishda tegishli xodisasi bilan boshqarilib elektr toki tashishda elektronlar ishtirok etishiga
d) VAX sida manfiy differensial qarshilikka ega bulgan asbobga
117. Elektr maydonda elektronga ta’sir etuvchi asosiy kuch?
a) *Kulon kuchi
b) elastik kuchi
c)
d) Tortishish kuchi
118. Elektron qurilmaning aktiv elementlariga nimalar kiradi?
a) *Diod, tranzistor, tiristor va h
b) Uning barcha tashkil etuvchi qismlari
c) Rezistor, kondensator, induktivlik
d) p-n o’tish, diod, rezistor va h
119. Elektron qurilmalarning passiv elementlariga nimalar kiradi?
a) *Rezistor, kondensator, induktiv galtak
b) Uning barcha tashkil etuvchi qismlari
c) Diod, tranzistor, tiristor va h
d) p-n o’tish, diod, rezistor va h
120. * p-n kontakt sohasida o’z elektroni va kovagini yo’qotgan turg’un ionlar joylashgan soha
a) * p-n kontakt sohasida o’z elektroni va kovagini yo’qotgan turg’un ionlar joylashgan soha
b) Donor atom va akseptor atom orasidagi soha
c) Musbat va manfiy ion orasidagi soha
d) Van-der – ;
Vaals sohasi;
121. p- turdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan soha hosil qilish uchun kremniyga qanday aralashmalar kiritish mumkin?
a) *In, Ga, Al;
b) As, P, Sb;.
c) B, As, P;
d) In, B, As;
122. Diffuziya yo’li bilan p-n o’tish olishda diffuziyaviy qatlam chuqurligining qiymati qaysi kattaliklar bilan aniqlanadi?
a) *Aralashma konsentrasiyasi, diffuziya koeffisiyenti, diffuziya vaqti va harorati;
b) Aralashma konsentrasiyasi, aralashmaning faollashuv energiyasi, namunaning qalinligi va harorati;
c) Diffuziya koeffisiyenti, aralashma turi, namunaning o’tkazuvchanligi va zichligi
d) Namunaning issiqlik o’tkazuvchanligi
123. Integrasiya darajasi lgN=5 bo’lgan IMS larda elementlar soni qancha?
a) * 100000;
b) 10000;
c) 1000;
d) 10;
124. Quyidagi ifodalardan qaysi biri p-n o’tishning to’siq sig’imini ifodalaydi?
a) * (A- p-n o’tishning yuzasi, W – uning kengligi;
b) (S –o’tkazgichning yuzasi, d-dielektrikning qalinligi;
c) C=dQ/dU;
d) ;
125. Shottki diodi …………dan iborat. (nuqtalar o’rniga mos keluvchi javobni qo’ying..
a) *Metall – yarim o’tkazgich
b) N+-no’tishdan;
c) n-p o’tishdan;
d) Barchasi to’g’ri
126. Shottki diodning asosiy afzalliklari quyidagilardan iborat:
a) *Ochilish kuchlanishi past, tezkor
b) Yasalishi oson, arzon
c) «teshilish» kuchlanishi yuqori, teskari toki katta
d) Baryer sig’imi katta
127. Integrasiya darajasi qanday oraliqda bo’lgan IMS lar katta IMS lar deyiladi?
a) * 5≥ lgN>2
b) lgN≥3;
c) lgN >5
d) lgN <5
128. Eng ko’p ishlatiladigan yarim o’tkazgichli materyallarlarga nimalar kiradi.
a) *Kremniy va germaniy
b) Bor ionli
c) Mis va aliminiy
d) Fosfor va sinyon
129. Yarim o’tkazgichli materiallarda asosiy zaryad tashuvchilarni ko’rsating?
a) *Elektronlar, kovaklar
b) Kovaklar, ionlar
c) Elektronlar
d) Ionlar
130. Berilgan tengliklardan qaysi biri xususiy yarim o’tkazgichlarga xos?
a) *ni= pi
b) ni›pi
c) ni‹ pi
d) ni»pi
131. Integral mikrosxemaning turlari.
a) *Gibrid va yarimo’tkazgich
b) Metal va yarimo’tkazgich
c) Keramika va yarimo’tkazgich
d) Yarimo’tkazgich va tola
132. Yarim o’tkazgichnining temperaturasi ko’tarilganda uning qarshiligi qanday o’zgaradi?
a) *kamayadi
b) O’zgarmaydi
c) ortadi
d) avval ortadi, keyin kamayadi
133. Tunnel diodida p-n o’tishning qanday yarim o’tkazgichlardan yasalgan bo’ladi
a) *aynigan yarim o’tkazgichlardan
b) qutblangan yarim o’tkazgichlardan
c) diffuziyalangan yarim o’tkazgichlardan
d) dreyflangan yarim o’tkazgichlardan
134 Tranzistor nechta rejimda ishlaydi?
a) *4
b) 3
c) 2
d)5
135. Tranzistorning ishlash jarayoni qanday omillarga asoslangan
a) *zaryad tashuvchilar injeksiyasi, diffuziyasi va rekombinasiyasiga
b) zaryad tashuvchilar diffuziyasi va rekombinasiyasiga
c) zaryad tashuvchilar injeksiyasi va rekombinasiyasiga
d) zaryad tashuvchilar injeksiyasi va diffuziyasi
136. Agar tranzistorning emitterga to’g’ri yo’nalishda kollektorga teskari yo’nalishda kuchlanish qo’yilsa, u qanday rejimda ishlaydi
a) *aktiv
b) teskari
c) to’g’ri
d) yopiq
137. Maydonli tranzistorlarning qarshiligi qanday elektr maydoni bilan boshqariladi?
a) *ko’ndalang
b) bo'ylama
c) parallel
d) magnit
138. Qanday maydonli tranzistor mavjud?
a) *boshqariladigan p-n – o’tishli va metall – dielektrik – yarim o’tkazgich
b) p-n – o’tishli va metall – dielektrik – yarim o’tkazgich
c) p-n – o’tishli va metall – yarim o’tkazgich
d) boshqariladigan p-n-p – o’tishli va dielektrik – yarim o’tkazgich
139. Uchta va undan ortiq p-n o`tishlarga hamda ikkita ulash uchiga ega bo`lgan elektron sxemalarida elektr tokini katta ulashda elekron kalit vazifasini bajaradigan yarim o`tkazgichli asbobga ...... deyiladi. Nuqtalar o’rniga kerakli so’zni qo’ying
a) *Tiristor
b) Tranzistor
c) Tunnel diodi
d) Gann diodi
140. Yarim o’tkazgich elektr qarshiligining elektromagnit nurlar ta’sirida o’zgarish hodisasi ...... deb ataladi. Nuqtalar o’rniga kerakli so’zni qo’ying
a) *fotoo’tkazuvchanlik
b) qarshilik
c) nurlanish
d) diffuziya
141. Yorug’lik diodi nurlanadigan p-n – o’tishdan iborat bo’lib, bunda nimaning hisobiga nurlanish chiqariladi.
a) *zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasi
b) zaryad tashuvchilar generatsiyasi
c) zaryad tashuvchilar
d) zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasi va generatsiyasi
142. p p – n – o’tish asosida yaratilgan chiziqlimas kondensatorlar nima deb ataladi
a) *varikaplar
b) varikondlar
c) fotodiodlar
d) optoparalar
143. Kirish kuchlanishining nisbiy o’zgarishini chiqish kuchlanishining, ya’ni stabilizasiya kuchlanishining nisbiy o’zgarishiga nisbati nima deb ataladi
a) *stabilizasiya koeffisiyenti
b) qarshilik koeffisiyenti
c) termooptik koeffisiyenti
d) foydali ish koeffisiyenti
144. Kirish va chiqish qismi elektr izolyasiyali optik bog’lanishga ega bo’lgan nurlanish manbai va qabul qiluvchi (fotopriyomnik. dan tashkil topgan yarim o’tkazgichli optoelektron qurilma hisoblanadi.Bu qanday qurilma?
a) *optopara
b) optron
c) fotoplyonka
d) fotokatod
145. Ko’chkili diod deb qanday diodga aytiladi?
a) *teskari rejimda ishlovchi va o’ta yuqori chastotali tebranishlar hosil qilish uchun qo’llaniladigan diodlarga
b) faqat teskari rejimda ishlovchi diodlarga
c) Yuqori va o’ta yuqori chastotali tebranishlar hosil qilish uchun qo’llaniladigan diodlarga
d) kichik chastotali tebranishlar hosil qilish uchun qo’llaniladigan diodlarga
146. Tiristorlarda qanday teshilish turlarini kuzatish mumkin
a) * barcha javoblar to’g’ri
b) issiqlik
c) tunnel
d) ko’chkisimon (ko’chkili)
147. p-n o’tishda issiqlikka aylanayotgan elektr quvvatini haroratga bog’liqligi qaysi ifodada keltirilgan
a)
b)
c)
d)
148. Nuqtalar o’rniga kerakli so’zni qo’ying. Mikrozarrachalarning (elektronlarning) to’liq energiyasi potensial to’siq balandligidan kichik bo’lsa ham, shu to’siq bo’ylab o’z energiyasini o’zgartirmasdan o’tib ketishiga …. deb ataladi
a) *Tunnel effekti
b) Gann effekti
c) Myuler effekti
d) Fermi effekti
149. Optotiristorning trinistorga nisbatan afzalligi qanday?
a) *optik bog’langan va elektrik uzilganligi har xil elektrik shovqinlardan xalos qiladi va uning qo’llanilish sohalarini oshiradi
b) har xil elektromagnitik shovqinlardan xalos qiladi va uning qo’llanilish sohalarini oshiradi
c) har xil shovqinlardan xalos qiladi va uning qo’llanilish sohalarini oshiradi
d) optik va elektrik shovqinlardan xalos qiladi va uning qo’llanilish sohalarini oshiradi
150. Quyidagi gapda nuqtalar o’rniga to’g’ri keladigan javobni tanlang: rux xalkogenlari, kadmiy va simob elementlari ...... tipidagi yarim o’tkazgichli birikmalar hisoblanadi.
a) *AIIBVI
b) AIIIBV
c) AIIBV
d) AIIIBVI
151. Donorli yarim o’tkazgichlarda elektr o’tkazuvchanlik …….. hisobiga paydo bo’ladi.
a) *Asosan elektronlar;
b) Asosan kovaklar;
c) Elektronlar va kovaklar;
d) Ionlar
152. Akseptorli yarim o’tkazgichlarda elektr o’tkazuvchanlik …….. hisobiga paydo bo’ladi.
a) *Asosan kovaklar;
b) Asosan elektronlar;
c) Elektronlar va kovaklar;
d) Ionlar
153. Yarim o’tkazgichlarda tashqi ta’sir natijasida ………..generasiya jarayoni deyiladi.
a) *Zaryad tashuvchilarning paydo bo’lishiga;
b) Elektron va kovak juftining birikib yo’qolish jarayoniga;
c) Elektronlarning paydo bo’lishiga;
d) Kovaklarning paydo bo’lishiga.
154. Yarim o’tkazgichlarda elektronlarning kovaklar bilan birikib yo’qolish jarayoniga ……… deyiladi.
a) *Rekombinasiya;
b) Generasiya;
c) Termogenerasiya;
d) Fotogenerasiya.
155. Varikap sig’imining temperaturaviy koyeffisiyenti?
a)
b)
c)
d)
156. o’tishda ekstraksiya hodisasi deb nimaga aytiladi?
a) * o’tishda asosiy zaryad tashuvchilarning elektr maydon ta’sirida so’rib olinishiga
b) o’tishda elektr maydon ta’sirida asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning generasiyalash hodisasiga
c) va sohalarda asosiy zaryad tashuvchilarning generasiyalash jarayonig
d) va sohalarda zaryad tashuvchilar generasiya va rekombinasiyaning oshirilishig
157. p-n o’tishda injeksiya…..
a) *p-n o’tishda potensial to’siq balandligi pasaytirish hisobiga zaryad tashuvchilarning asosiy hisoblangan sohaga o’tkazish
b) p-n o’tishga kambag’allashgan soha kengligining tashqi maydon o’sishi bilan kengayishiga
c) p-n o’tishda elektr maydon ta’sirida asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning bir sohadan ikkinchi sohaga o’tishi
d) p-n o’shishda diffuziya xodisasi tufayli p sohadan n sohaga kovaklarning o’tishiga
158. Akseptorli aralashma nima?
a) *elektronlarni qabul qiluvchi, erkin kovaklar vujudga keltiruvchi aralashma.
b) kovaklarni effektiv qabul qiluvchi aralashma
c) erkin elektronlarni vujudga keltiruvchi xolat
d) ionlashgan yenergiyasi eng kichik aralashma
159. o’tishni qaysi usullar bilan olish mumkin?
a) * Diffuziya, epitaksiya va eritish
b) va tur yarim o’tkazgizlarni qo’shib birga yeritish usuli bilan
c) Elektronlarni dan sohaga o’tkazish
d) Biror bir turdagi yarim o’tkazgichni ikkinchi turdagi yarim o’tkazgich bilan tegishli yo’l bilan
160. o’tishga qaysi yo’nalishda kuchlanish qo’yilganda stabistorlar kuchlanishni stabillashda ishlatiladi?
a) * To’g’ri
b) Teskari
c) Ketma-ket
d) Paralel
161. Kirxgof birinchi qonunini simvolik shaklda yozing …..
a)
b)
c)
d)
162. Reaktiv qarshilik ifodasini ko’rsating.
a) *
b)
c) Z cos ;
d) Z sin
163. Zanjirning R qarshilikdan iborat bo’lgan bo’lagidagi aktiv oniy quvvat ifodasini yozing.
a) *p = u I
b) p = U I (1+ cos 21t)
c) p = U I sin 21t
d) p = U I sin 21t
164. Zanjirning L induktivlikdan iborat bo’lgan bo’lagidagi oniy quvvat ifodasini yozing.
a) *p = U I (1+ cos 21t)
b) p = u I
c) p = u I/iyuk
d) (1+ cos 21t)
165. Kompleks quvvat ifodasini ko’rsating.
a) *
b)
c)
d)
166. Keltirilgan tengliklardan qaysi biri sinusoidal o’zgaruvchan tok uchun noto’g’ri yozilgan:
a) *
b)
c)
d)
167. R,L va C elementlari
ketma-ket ulangan sinusoidal tok zanjiriga yozilgan tenglamalarning qaysi birida xato bor:
a) *
b) XL=2πfL
c)
d)
168. Quvvatni ifodalovchi formulalarning qaysi biri hato yozilgan:
a) *
b)
c)
d)
169 Keltirilgan tengliklardan qaysi biri kuchlanishlar rezonansiga to’g’ri kelmaydi:
a) *
b) J
c) UL=Uc
d)
170. Quyidagi tengliklardan qaysi biri toklar rezonansiga to’g’ri kelmaydi:
a) *ILC
|
