dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida
o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. YArim o‘tkazgichning
yuqori qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
R – kanali induksiyalangan MDYA - tranzistor tuzilmasi 15.3. a –rasmda va
uning
shartli
belgisi
15.3.
b-
rasmda
keltirilgan.
.
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan chiqish – I, stokdan chiqish – S,
zatvordan chiqish – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan chiqish.
Stok va istoklarning r
+
- sohalari n – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita r – n
o‘tish hosil qilganligi sababli, U
SI
kuchlanishining biror qutblanishida bu
o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki I
S
deyarli nolga teng
bo‘ladi.
Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutblikdagi
kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO
2
dielektrik qatlami orqali yarim
o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar
(elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar
(kovaklar) ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‘allashib,
kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi
ma’lum qiymati U
0
ga etganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak
o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‘lovchi r-
turdagi kanal shakllanadi. bo‘lganda yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi,
bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki I
S
ortadi.
15.4 – rasmda n – kanali induksiyalangan MDYA - tranzistorning stok – zatvor
va chiqish (stok) xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma’lum kuchlanish
berilganda ning ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli
ko‘rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi
kamayadi va etarlicha katta qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga intiladi. Tok
ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‘liq.
