n – kanali qurilgan MDYA – tranzistor tuzilmasi 15.5 a – rasmda va shartli
grafik tasvirlanishi 15.5 b – rasmda keltirilgan.
Bunday tranzistorlarda istok va stok orasida joylashgan tok o‘tkazuvchi kanal
tranzistorni tayyorlash jarayonida hosil qilinadi. SHuning uchun bunday
tranzistor kanali “qurilgan” MT deb ataladi. Kanal ion legirlash usuli bilan
yarimo‘tkazgich sirtiga yaqin sohalarda yupqa qatlam hosil qilish bilan amalga
oshiriladi. Kanali qurilgan MDYA – tranzistorlar istokka nisbatan zatvorga ikki
xil ishorali kuchlanishlar berilganda ham ishlay oladi.
Agar U
ZI
= 0 bo‘lganda tranzistorga U
SI
kuchlanish berilsa, kanal orqali
elektronlar toki oqadi. Bu tok stokning boshlang‘ich toki I
S.BOSHL
deb ataladi.
Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilganda kanalda tok yo‘nalishiga
ko‘ndalang elektr maydon hosil bo‘ladi. Bu maydon ta’sirida elektronlar
kanaldan surib chiqariladi. Kanalda elektronlar soni kamayadi (kanal
kambag‘allashadi), uning qarshiligi ortadi va stok toki qiymati kamayadi.
Zatvordagi manfiy kuchlanish qiymati ortgan sari, tok qiymati kamayaveradi.
Tranzistorning bu rejimi kambag‘allashgan rejim deb ataladi. Zatvorga berilgan
manfiy kuchlanishning ma’lum qiymatida stok toki nolgacha kamayadi (berk
rejim), ushbu kuchlanish berkitish kuchlanishi U
ZI.BERK
deb ataladi.
Agar zatvorga musbat kuchlanish berilsa, ushbu kuchlanish hosil qilgan maydon
ta’sirida istok, stok hamda kristall asosdan elektronlar kanalga kela boshlaydi,
kanal o‘tkazuvchanligi va stok toki qiymati ortadi. Ushbu rejim kanali boyitilgan
rejim deb ataladi.
MDYA
tranzistorlarning
asosiy
parametrlari:
Xarakteristika
tigkligi
U
SI
=
const
bo‘lgandagi
;
Ichki
(differensial)
qarshilik
U
ZI
=
const
bo‘lgandagi
;
Kuchlanish
bo‘yicha
kuchaytirish
koeffitsienti
I
S
=
const
bo‘lgandagi
|
