|
«Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı 2-kurs 305-21 topar studentı Keńesbayev Azizbektiń
|
| bet | 1/4 | | Sana | 29.07.2023 | | Hajmi | 330.83 Kb. | | #77585 |
Bog'liq Keńesbayev Azizbek Erkaboyev Furqat
ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KOMMUNIKACIYALARÍN RAWAJLANDÍRÍW MINISTRLIGI
MUHAMMED AL-XOREZMIY ATINDAǴÍ TASHKENT INFORMACIYALÍQ
TEXNOLOGIYALARÍ UNIVERSITETI
NÓKIS FILIALÍ
TELEKOMMUNIKATSIYA TEXNOLOGIYALARI HÀM KÀSIP TÀLIM FAKULTETI
« Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı
2-kurs 305-21 topar studentı
Keńesbayev Azizbektiń
« Elektronika hám sxemaları2 »
páninen jazılǵan
ÓZ BETINSHE JUMISI
Tayarlaǵan _________________ A.Keńesbayev
Qabıllaǵan _________________ B.Fayzullayev
Nókis-2022
Tema: MT da jasalǵan kúsheytgishti izertlew
Jobası:
I.Kirisiw
II.Tiykarǵı bólim
2.1.Maydanlı tranzistorlar haqqında ulıwma túsinik
2.2. MT da jasalǵan kúsheytgishti izertlew
2.3. MT da jasalǵan turaqlı tok generatorın izertlew
III.Juwmaqlaw
IV.Paydalanılǵan ádebiyatlar
Kirisiw
Elektrod tokları tiykarǵı zaryad tasıwshılardıń kristall kólemindegi elektr maydan tásirinde ıǵıw háreketleniwine tiykarlanǵan úsh elektrodlı, kernew menen basqarılatuǵın yarım ótkezgish ásbap maydaniy tranzistor (MT) dep ataladı. MTlarda tok payda bolıwında tek bir túrli- tiykarǵı zaryad tasıwshılar (elektronlar yamasa gewekler) qatnasqanı sebepli olar geyde unipolyar tranzistorlar dep ataladı. MTlarda, BTlardagi sıyaqlı operativlikke tásir etiwshi injeksiya hám ekstraksiya nátiyjesinde noasosiy zaryad tasıwshılardıń toplanıw processleri joq.
r-n ótiw menen basqariluvchi n - kanallı MT strukturasınıń kese kesimi jáne onıń shártli belgileniwi 1 - suwretde keltirilgen.
n-túrdegi tarawdıń kanal dyeb ataladı. Kanalǵa zaryad tasıwshılar kirgizetuǵın kontakt istok (I); zaryad tasıwshılar shıǵıp ketetuǵın kontakt stok (S) dep ataladı. Zatvor (Z) basqarıwshı elektrod esaplanadı. Zatvor hám istok aralıǵına kernew berilgende júzege keletuǵın elektr maydanı kanal ótkezgishligin, nátiyjede kanaldan aǵıp ótip atırǵan júzimdi ózgertiredi. Zatvor retinde kanalǵa salıstırǵanda ótkezgishligi teris túrdegi tarawdıń qollanıladı. Jumısshı rejimde ol teris jalǵanǵan bolıp kanal menen p - n ótiw payda etedi.
а) б)
|
1 – súwret. MT tuzilmasi va shartli belgilanishi
|
Kanaldıń kese kesimi nolge teń bolatuǵın waqıttaǵı zatvor kernewi tuyıqilish kernewi UZI. BERK. dep ataladı.
Kernew tuyıqilish kernewine UZI. BERK ga teń bolatuǵın waqıttaǵı stok kernewi toyınıw kernewi USI.TO‘Y. dep ataladi.
Bu yerdan
(1.)
Waqtındaǵı tranzistordıń jumısshı rejimi tegis ózgeris rejimi, Waqtındaǵı tranzistordıń jumısshı rejimi bolsa toyınıw rejimi dep ataladı. Toyınıw rejiminde UCI kernew ma`nisiniń artıwına qaramay IC tokınıń artpaqtası derlik toqtaydı. Bul jaǵday bir waqtıniń ózinde zatvordagi UZI kernewiniń de artpaqtası menen tusintiriledi. Bul waqıtta kanal tarayadı hám IC tokın azayıwına alıp keledi. Nátiyjede IC ıǵıwrli ózgermeydi.
Kishi signal parametrlari óz-ara anlatpa menen baylanısqan.
MTda elektrodlar úshew bolǵanı sebepli, úsh túrli jalǵanıw sxemaları bar: ulıwmalıq istok (UI), ulıwmalıq stok (US) va ulıwmalıq zatvor (UZ), 2 – súwret.
Bunda MT elektrodlarınan biri sxemanıń kirisiw hám shıǵıw shınjırları ushın ulıwma, onıń ózgeriwshen tok (signal ) boyınsha potensialı bolsa nolge teń etip alınadı. Tiykarǵı jalǵanıw sxeması bolıp UI jalǵanıw xızmet etedi.
p - n ótiw menen basqarılatuǵın maydaniy tranzistorlardan ayrıqsha túrde MDYA - tranzistorlarda metall zatvor kanal payda etiwshi mudam ótkizgishli tarawdan dielektrik qatlamı járdeminde izolyatsiyalangan. Usınıń sebepinen MDYA - tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydaniy tran-zistorlar túrine kiredi. Dielektrik qatlamı SiO2 dielektrik oksidi bolǵanlıǵı sebepli, bul tranzistorlar MDYA - tranzistorlar (metall - oksid - yarım ótkizgishli struktura ) dep da ataladılar.
MDYA - tranzistorlardıń islew Principi kese elektr maydanı tásirinde dielektrik menen shegaralanǵan yarım ótkizgishtiń joqarı qatlamında ótkezgishlikti ózgertiw effektine tiykarlanǵan. Yarım ótkizgishtiń joqarı qatlamı tranzistordıń tok ótkeriwshi kanalı wazıypasın atqaradı.
p- kanalı induksiyalangan MDYA - tranzistor strukturası 3. a -súwretda jáne onıń shártli belgisi 3. b- súwretda keltirilgen.
а) b)
3 – súwret.
|
| |
