IIM MEning ishlash prinsipi.
Ikkita ketma-ket ulangan I2M elementlar zanjiri 11.1 – rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga berilgan kuchlanish U0KIR < U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistorning ikkala o‘tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan tok IM, qayta ulanuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi. Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VT2/ tranzistorining to‘g‘ri siljitilgan p-n o‘tishi kuchlanishiga teng bo‘ladi, ya’ni U1CHIQ = U* ≈ 0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish U1KIR > U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p2 sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor to‘yinish rejimiga o‘tadi. p2 soha potensiali injektor potensialiga deyarli teng bo‘ladi. VT2 tranzistorning emitter-baza o‘tishi to’g’ri yo‘nalishda siljiydi va elektronlarning bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi. Kollektorga kelayotgan elektronlar p2 sohadan kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada kollektor potensiali pasayadi va baza potensialidan kichik bo‘lib qoladi. VT2 tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi va element chiqishida to‘yingan tranzistor kuchlanishiga teng bo‘lgan kichik sathli kuchlanish o‘rnatiladi. Real sharoitda u 0,1÷0,2 V ga teng. Shunday qilib, I2M negiz ME uchun quyidagi munosabatlar haqiqiydir: U0 = 0,1÷0,2 V; U1 = 0,6÷0,7 V. Bundan I2M negiz ME uchun mantiqiy o‘tish UMO‘ = 0,4÷0,6 V ekanligi kelib chiqadi.
11.2 – rasm. I2M ME zanjiri.
11.2 – rasmdagi sxemadan foydalanib 2 HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin. Masalan, 11.3 – rasmda ikkita invertorni metall o‘tkazgichlar bilan tutashtirish yo‘li bilan 2YOKI-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin. Bu vaqtda ikkala invertor VT1 tranzistorda xosil qilingan yagona ko‘p kollektorli (ikki kollektorli) injektordan ta’minlanadi. Keltirilgan sxemadan ko‘rinib turibdiki, chiqishlar kirishdagi o‘zgaruvchilarga nisbatan umumiy nuqtaga parallel ulansa YOKI-EMAS mantiqiy amal bajariladi. Chiqish signallariga nisbatan esa HAM amali bajariladi. Shuni ta’kidlash kerakki, invertorlarning ikkinchi kollektorlari yordamida qo‘shimcha kirish signallarini inkor etish mantiqiy amalini ( ) bajarish mumkin, bu esa o‘z navbatida ME imkoniyatlarini kengaytiradi.
11.3 – rasm. YOKI-EMAS amalini I2M mantiqy elementlar asosida
tashkil etish sxemasi.
I2M sxemalar tezkorligi injeksiya toki II ga kuchli bog‘liq bo‘lib, tok ortgan sari ortadi. Bu vaqtda AQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDjni tashkil etadi. Element qayta ulanishining o‘rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1-2 tartibga kichik bo‘ladi. Mantiqiy o‘tish kichikligi tufayli I2M elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) bo‘ladi. Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va O‘KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qo‘llaniladi.
I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba EM dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi.
Nazorat savollari
Integral –injeksion mantiq (I2M) negiz elementi yaratilishiga nima sabab bo‘ldi?
Integral –injeksion mantiq (I2M) negiz elementi qaysi kompaniya tomonidan yaratildi?
I2M IS qanday kimyoviy modda asosida tayyorlanadi?
Funksional integratsiya nima?
IIM MEning ishlash prinsipi qanday?
I2M sxemalar tezkorligi nimaga bog‘liq?
Mantiqiy o‘tish kichikligi tufayli I2M elementining xalaqitbardoshligi qanday bo‘ladi?
|
