|
Kod gae1316 Nomi
|
bet | 8/13 | Sana | 06.07.2022 | Hajmi | 43.54 Kb. | | #24792 |
Bog'liq Syllabus elektronika sxemalar1 2021 2022 узб 12.08.2021, 3-laboratoriya ishi topshiriqlari (1), scratchga, Oysha, 10-11-sinf-togarak-ish-reja, Advantages and disadvantages for Essey, BASICENGLISHGRAMMARFORFOREIGNLANGUAGELAERNERS-DIANFADHILAWATI, 2 5201994252099256400, Mehr muhabbatMa’ruza mavzusi
|
soat
|
Bipolyar trnzistorlar.
|
4
|
14-mavzu. Ko’p qatlamli yarimo’tkazgich asboblar.
Umumiy ma’lumotlar.Shottki diod. Dinistor tuzilmasi va ishlash mehanizmi. Tiristor tuzilmasi va ishlash mehanizmi. Tiristor-tranzistorli ekvivalent sxemasi. Simistor tuzilmasi va ishlash mehanizmi. Boshqariluvchi to’g’irlagichlar. Qo’llanilish sohalari.
Ma’ruza mavzusi
|
soat
|
Ko’p qatlamli yarimo’tkazgich asboblar.
|
2
|
15-mavzu. Maydoniy tranzistorlar.
Umumiy ma’lumotlar. MTlar:p-n o’tish bilan boshqariluvchi, kanali induksiyalangan va qurilgan MDYA tranzistorlarning tuzilmalari, sxemada belgilanishi, volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog’liqligi. Qo’llanilish sohalari. O’YUCH MDYA transistor chastota va quvvat bo’yicha cheklanishlar.
Ma’ruza mavzusi
|
soat
|
Maydoniy tranzistorlar.
|
4
|
16-mavzu. Integral mikrosxemalar.
Umumiy ma’lumotlar. Yarimo’tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar. BTlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash. MDYA tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash.
|
| |