Kompyuterni tashkil etilishi

Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o’tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo’lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. Pardali va Gibrid mikrosxemalarPardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko’rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko’rinishida cho’kmalar hosil qilish yo’li bilan olinadi.Parda hosil qilish usuli va unga bog’liq bo’lgan qalinligiga ko’ra yupqa pardali IS (parda qalinligi 1 – 2 mkm gacha) va qalin pardali IS (parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va katta) larga bo’linadi. Gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati: keng nomenal turaga ega bo’lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. Zamonaviy axborot va kommunikatsiya texnologiyalari raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirishni keng qo‘llanishini talab qiladi.

Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o’tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo’lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. Pardali va Gibrid mikrosxemalarPardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko’rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko’rinishida cho’kmalar hosil qilish yo’li bilan olinadi.Parda hosil qilish usuli va unga bog’liq bo’lgan qalinligiga ko’ra yupqa pardali IS (parda qalinligi 1 – 2 mkm gacha) va qalin pardali IS (parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va katta) larga bo’linadi. Gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati: keng nomenal turaga ega bo’lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. Zamonaviy axborot va kommunikatsiya texnologiyalari raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirishni keng qo‘llanishini talab qiladi.