|
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat -variant
|
| bet | 16/18 | | Sana | 24.02.2023 | | Hajmi | 343.65 Kb. | | #43390 |
Bog'liq 1-19 gacha fizika gromov-t, Sarvinoz Allayorovna. Die aktuellen Herausforderungen, Munavvar Qori Abdurashidxonovniong pedagogik qarashlari, Mirjalol kurs ishi 1, Academic-Data-304211100769, topshiriqlar, 111111111111, 2022 yil 18-iyunga qadar fanlar, 15 мажбурий, tipik masala, B2-English-test-with-answers, Axmatqulova Muborak, SHAYBONIYLAR VA ASHTARXONIYLAR DAVRIDA MADANIYAT VA ADABIYOT, zaripov, Marketing va uning asosiy vazifalari[1]18-Variant
1) Tranzistorlar va ularning tuzilishi
2) p-n o’tish hodisasida tunelli buzilish
3) Teskari ulanishda p-n o’tish hodisasi
1.Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan. Yaratilish tarixi Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi Maykl Faradey yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik hodisasini aniqladi.1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi.Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham kelishgan.Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan. Maydoniy transistor Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya-vengriyalik fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning yangi yoʻlini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Ushbu kashfiyot uchun Kanada (1925-yil 22-oktabrda) va Germaniyada (1928-yilda) patent olgan.1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl ham Buyuk Britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi.1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar Kang va Atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi. Bunday bunday tuzilishga MOS strukturasi deyiladi (Metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-semiconductor).XX asrning 90-yillaridan boshlab esa MOS-struktura bipolyar tranzistorlardan yetakchilikni tortib oldi.
2.malumot yo’q
3 . Teskari kuchlanish b o ‘sag‘aviy kuchlanishdan katta bo'lgan (UTES > UBo-s) holda p+-n+ —o ‘tishning energetik diagrammasi 2.7- rasmda keltirilgan. Bunda elektronning 1 nuqtadan 2 nuqtaga tunnel o ‘tishi strelka bilan ko‘rsatilgan. p — yarimo'tkazgichning valent zonasidagi elektron EZT emas ekanligini ta’kidlab o'tamiz. U n —yarimo'tkazgichning o ‘tkazuvchanlik zonasiga o ‘tgandan keyingina o‘zini EZTdek tutadi. Shunday qilib, valent elektronning p — sohadan n - sohaga tunnel o ‘tishi natijasida teskari tok qiymatiga ulush qo‘shuvchi elektron-kovak juftligi generatsiyalanadi. 0 ‘tkazuvchanlik elektronlarining n - yarimo‘tkazgichdan p - yarimo‘tkazgich valent zonasi vakant (bo‘sh) sathlariga tunnel o ‘tishi elektron-kovak juftliklaming rekombinatsiyalanishiga va o ‘z navbatida, teskari tokning kamayishiga olib keladi. Elektron-kovak juftliklarining р + п + W cp. Teskari kuchlanish berilganda p+-n+ — o‘tishning energetik diagrammasi. generatsiyalanish jadalligi rekombinatsiyalanish jadalligiga nisbatan ancha yuqori. Teskari kuchlanish ortishi bilan tunnellashuv intervali (oralig‘i) va undagi elektronlar soni ortishi hisobiga tunnel tok keskin ortadi. Tunnel teshilish teskari tokining teskari kuchlanish UTESK ga bog‘liqligi ko‘chkili teshilishdagiga o ‘xshash bo‘lib (2.5-rasm), tikligi kichikroqdir. p-n o ‘tishning issiqlik teshilishi undan teskari tok oqqanida issiqlik yetarlicha sochilmasligi natijasida p-n o ‘tish qizib ketishi hisobiga yuz beradi. Qizish teskari tok qiymatini oshiradi, natijada p-n o ‘tish yanada ko‘proq qiziydi, oqibatda p-n o‘tish ishdan chiqadi.
|
| |
