Kelgusida, tranzistor kanali uzunligi 5 nmgacha kamaytirilganda,
tranzistordagi kvant hodisalar uning xarakteristikalariga katta ta’sir ko‘rsata
boshlaydi va xususan, stok – istok orasidagi tunnellashuv toki 1 sm
2
yuzada
ajraladigan energiyani 1 kVt ga etkazadi.
Planar texnologiyaning zamonaviy protsessorlar, xotira qurilmalari va
boshqa raqamli IMSlar hosil qilishdagi yutuqlari o‘lchamlari 90 nm, 45 nm va
hatto 28 nmni tashkil etuvchi IMSlar ishchi elementlarini hosil qilish imkonini
yaratganligi
bugungi
kunda
ko‘pchilik
tadqiqotchilar
tomonidan
nanotexnologiyalarning qo‘llanilish natijasidek qaralmoqdaligini aytib o‘tamiz.
Bu mavjud ISO/TK 229 nuqtai – nazaridan to‘g‘ri. Lekin, planar jarayon
birinchi IMSlar paydo bo‘lishi bilan, o‘tgan asrning 60 – yillarida hech qanday
nanotexnologiyalar mavjud bo‘lmagan vaqtda paydo bo‘ldi va shundan beri
prinsipial o‘zgargani yo‘q.
Hozirgi kunda telekommunikatsiya va axborotlashtirish tizimining
rivojlanish darajasi tom ma’noda mikroelektronika va nanoelektronika
maxsulotlarining ularda qo‘llanilish darajasiga bog‘liq.
Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli,
hozirgi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan bir qatorda elektronikaning
yangi yo‘nalishi – nanoelektronika jadal rivojlanmoqda.
