Spintronika elementlarining amaliyotda qoʻllanilishi

Spintronika elementlarining amaliyotda qoʻllanilishi

Spintronika elementlarining amaliyotda qoʻllanilishi

• 
  Spintronika elementlarini quyidagi sohalarda ishlatish mumkin:
  
• 
  Elektr energiyasini doimiy magnit maydonga va aksincha orqaga aylantiradigan kimyoviy reaksiyalarsiz qattiq holatdagi akkumulyator (yaʼni doimiy magnitni tok bilan magnitlangandek va uni orqaga qaytarib magnetizatsiya qiladigandek, harakatlanuvchi qismlarsiz tok beradi — ilgari hatto nazariy jihatdan ham imkonsiz deb hisoblangan; ammo bu yerda nazariya bilan hech qanday qarama-qarshilik mavjud emas, chunki batareyadagi tokning harakatlanuvchi qismlari spin-polyarizatsiyalangan tokning elementar tashuvchilari hisoblanadi).[2]
  
• 
  Elektron komponentlar:
  
  • 
    STT-MRAM (Spin Torque Transfer MRAM) tipli kompyuter xotirasi;
    
  • 
    „ferromagnetik (Co{\displaystyle _{84}}Fe{\displaystyle _{16}}) — kremniy — ferromagnetik (Ni{\displaystyle _{80}}Fe{\displaystyle _{20}}) − aralashmali kremniy“ koʻrinishidagi qalin strukturaga ega boʻlgan spinli tranzistorlar. Birinchi ferromagnitli qatlamdan oʻtgandan soʻng tok spin-polyarizatsiyaga ega boʻladi, ushbu polyarizatsiya (qutblanish) kremniyli qatlamdan oʻtish vaqtida qisman saqlanib qoladi (2007-yilda 350 {\displaystyle \mu }m qalinlikdagi kremniy qatlamdan oʻtganda elektronlarning 37 % ida spin polyarizatsiya saqlanib qolgan).Bu esa chiqishda spin tokining qiymatini ikki qavatli ferromagnit qatlamining magnit maydoni yordamida oʻzgartirish imkonini beradi (gigant magnit qarshiligi);
    
  • 
    Zamonaviy CMOS-sxemalarga nisbatan bir necha barobar tezroq (signal ushlanib qolish vaqti 1 ns dan kamroq), deyarli qizimaydigan (issiqlik ajralishi {\displaystyle 10^{-17}}J tartibida) va ionizatsiyalovchi nurlanish taʼsiriga chidamli boʻlgan mantiqiy sxemalar.