Bipolar tranzistorlar asosidagi kuchaytirgich kaskadlar




Download 188.59 Kb.
bet7/8
Sana25.03.2024
Hajmi188.59 Kb.
#177137
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
Muxammedova Matluba elektronika mustaqil ish
G\'afforov Xurshid cyber 5-topshiriq, ELEKTRONIKA yakuniy, Abduxoshimov Qamariddin (Yorug\'lik interfrensiyasini kuzatish usullari) - Copy, Nurmuhammedova Madina labaratoriya ishi, Muxammedova Matluba labaratoriya ishi, Abdurazzoqov Nursulton elektronika mustaqil ish, Erkinov Nurbek labaratoriya ishi, Рустамов.Т Musqatil ish, IT JOB slide Davronov Baxtiyor , Xamrabayev Oybek labaratoriya ishi, Abdurazakov Nursulton 2-mustaqil, Safarbayev Sherkat elektronika mustaqil ish, QIRJIGITOV SHERBEK Musqatil ish, Nurmuhammedova Madina elektronika mustaqil ish

Bipolar tranzistorlar asosidagi kuchaytirgich kaskadlar


Kuchaytirgich kaskadlarining ishlatiladigan sxema turlari har xil bo„lishi mumkin. Bunda tranzistor UE, UK yoki UB sxemada ulangan bo„lishi mumkin. UE sxemada ulangan kaskadlar keng tarqalgan. UK sxemada ulangan kaskadlar ko„p kaskadli kuchaytirgichlarda asosan chiqish kaskadi sifatida ishlatiladi. UB ulangan kaskadlar ultraqisqa to„lqinli (UQT) va o„ta yuqori chastota (O„YUCH) to„lqin diapazonida ishlovchi generator va kuchaytirgichlarda keng qo„llaniladi.


UE sxemada ulangan bipolar tranzistor asosidagi kuchaytirgich kaskadining prinsipial sxemasi 8.11-rasmda keltirilgan. UE sxemada ulangan BT asosidagi sodda kuchaytirgichni hisoblaymiz.
Kirish signali manbai RG ichki qarshilikka ega kuchlanish generatori UG sifatida ko„rsatilgan. Signal manbai va yuklama RYu kuchaytirgichni kaskadga ajratuvchi C1 va C2 kondensatorlar orqali ulangan. Kondensatorlar, kuchaytirgichning sokinlik rejimini buzmagan holda, kirish va chiqish signallarining faqat o„zgaruvchan tashkil etuvchilari o„tishini ta‟minlaydi. RB rezistor yordamida, kuchaytirishning berilgan sinfi uchun, bazaning IB0 sokinlik toki qiymati belgilanadi.

8.11- rasm. UE sxemada ulangan BT asosidagi kuchaytirgich sxemasi.


Ushbu kaskad uchun aytib o„tilganlarning barchasi p-n-p tranzistor asosidagi kaskadlar uchun ham o„rinli bo„ladi. Bunda kuchlanish manbaining qutbini va toklar yo„nalishini o„zgartirish yetarli bo„ladi.


Kuchaytirgich kaskadning kirish kuchlanishi ΔUKIR miqdorga o„zgardi deb faraz qilaylik. Bu baza tokining ortishiga olib keladi. Tranzistorning emitter va kollektor toklari hamda kaskadning chiqish kuchlanishi ΔUCHIQ orttirma oladi. Shunday qilib, kirish kuchlanishi (toki)ning har qanday o„zgarishi chiqish kuchlanishi (toki)ning proporsional o„zgarishiga olib keladi. Qiymat jihatdan ushbu o„zgarishlar kaskadning kuchaytirish koeffitsiyenti bilan aniqlanadi.
Kichik signal rejimida kuchaytirgich kaskad kirish va chiqish qarshiliklarini, kuchaytirish koeffitsiyentini hisoblash uchun ekvivalent sxemalardan foydalanish qulay. Bunda tranzistorlar ekvivalent modellari orqali ifodalanadi. Elektr modellar qulayligi shundaki, tranzistorlar kuchaytirish xususiyatlari tahlili, ayniqsa, kichik signal rejimida, elektr zanjirlar nazariyasi qonuniyatlari asosida o„tkazilishi mumkin. Tranzis- torlar uchun bir qancha ekvivalent modellar va parametrlar tizimi taklif etilgan. Ularning har biri o„zining afzallik va kamchiliklariga ega.
Barcha parametrlarni xususiy (yoki birlamchi) va ikkilamchilarga ajratish mumkin. Xususiy parametrlar tranzistorning ulanish usulidan qat‟i nazar fizik xususiyatlarini xarakterlaydi. Ikkilamchi parametrlar tranzistorning fizik tuzilmasi bilan bevosita bog„lanmagan va turli ulanish sxemalar uchun turlicha bo„ladi.
Birlamchi asosiy parametrlar bo„lib tok bo„yicha kuchaytirish koeffitsiyenti α, emitterning rE, kollektorning rK va bazaning rB o„zga- ruvchan tokka qarshiliklari, ya‟ni ularning differensial qiymatlari xizmat qiladi. rE qarshilik EO„ qarshiligi va emitter soha qarshiligidan, rK qarshilik esa KO„ qarshiligi va kollektor soha qarshiligi yig„indisidan iborat bo„ladi. Emitter va kollektor sohalar qarshiligi o„tishlar qarshiligiga nisbatan juda kichik qiymatga ega bo„lgani sababli ular e‟tiborga olinmaydi.
Ikkilamchi parametrlarning (h va y- parametrlar) barcha tizimi tranzistorni to„rt qutbli sifatida ifodalashga asoslanadi.
UE ulangan kuchaytirgich kaskadning eng muhim parametr- larining qiymatlari 8.2-jadvalda keltirilgan.
8.2-jadval


Download 188.59 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8




Download 188.59 Kb.

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Bipolar tranzistorlar asosidagi kuchaytirgich kaskadlar

Download 188.59 Kb.