|
O’zbekiston respublikasi raqamli texnologiyalari vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi
|
| bet | 2/4 | | Sana | 02.11.2023 | | Hajmi | 0.52 Mb. | | #93092 |
Bog'liq Elektronika mustaqil ish 8-mavzu. Qish. R T, PEDAGOGIK TEXNOLOGIYALARNI LOYIXALASHTIRISH VA REJALASHTIRISH, 6 - mavzu. O\'quv animatsion roliklar tayyorlash dasturlari bilan ishlash, Пахта хом ашёсини сақлаш ва қайта ишлаш (3), 6-amaliyot, Ta\'limda AT1 2021-(TS va MG), jadval Qudratov Alijon, Бухгалтерия Ўқув қўлланмаси 2021 1С, O\'rinova Shahlo ij, 4.9-шакл. ОАК (2), ANNOTATSIYA, Amirillayeva, 1-MA\'RUZA, 5.амалий, Html Haqida Qullanma copy| Integral mikrosxema (IMS) ko’p sonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va ularni bir – biriga ulovchi o’tkazgichlarni yagona konstruktsiyaga birlashtirishni (konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot o’zgartirishlar bajarilishini (sxemotexnik integratsiya); yagona texnologik tsiklda, bir vaqtning o’zida sxemaning elektroradio elementlari (ERE) hosil qilinishini, ulanishlar amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko’p sonli bir xil integral mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya) ni aks ettiradi. IMS, yagona texnologik tsiklda, yagona asosda tayѐrlangan va axborot o’zgartirishda ma’lum funktsiyani bajaruvchi o’zaro elektr jihatdan ulangan ERElar majmuasidir. IMS elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron asbob sifatidagi asosiy xususiyati shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi ѐki signalni kuchaytirishi mumkin. Diskret elementlar asosida shu funktsiyalarni bajarish uchun tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qo’lda yig’ish zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avvalam bor kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar bir – biri bilan metallash yo’li bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham, payvand ham qilinmaydi. Buning natijasida yig’ish, montaj qilish ishlarining sifatini oshirish masalasi echildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi. Hozirgi kunlarda tayѐrlash usuli va bunda hosil bo’ladigan tuzilmasiga ko’ra IMSlarni bir – biridan printsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarimo’tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxema tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruktsiyasi bilan farq qiladi.Element deb, konstruktsiyasi bo’yicha kristall ѐki asosdan ajralmaydigan, ERE funktsiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.IMS komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan IMSning bo’lagiga aytiladi. Yig’ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga o’rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, kondensatorlarning maxsus turlari, kichik o’lchamli induktivlik g’altaklari va boshqalar sodda komponentlarga, murakkab komponentlarga esa – bir nechta elementdan tashkil topgan, masalan, diod ѐki tranzistorlar yig’malari kiradi. Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar yarimo’tkazgich IMS deb ataladi. Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar pardali IMS deb ataladi. Pardalar turli materiallarni past bosimda yupqa qatlam sifatida o’tkazish yo’li bilan hosil qilinadi. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog’liq parda qalinligiga muvofiq IMSlarni yupqa pardali (qalinligi 1-2 mkm) va qalin pardali (qalinligi 10 mkmdan yuqori) larga ajratiladi. Adabiѐtlarda ko’p hollarda IMS ѐzuv o’rniga IS deb ѐziladi.Hozirgi kunda pardali diod va tranzistorlarning parametrlari barqaror bo’lmagani sababli, pardali IMSlar faqat passiv elementlarga (rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) ega. Pardali texnologiyada element parametrlarining ruxsat etilgan tarqoqligi 1÷2 % dan oshmaydi. Passiv elementlar parametrlari va ularning barqarorligi hal qiluvchi ahamiyat kasb etganda bu juda muhim bo’ladi. Shu sababdan pardali ISlar ba’zi filtrlar, faza o’zgarishiga sezgir va tanlovchi sxemalar, generatorlar va boshqalar tayѐrlashda ishlatiladi.Gibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
3
|
| |
