|
Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor
|
| bet | 3/6 | | Sana | 07.01.2024 | | Hajmi | 462,03 Kb. | | #131375 |
Bog'liq Parmanova jumagulning 1 dars ishlanma, YO‘L POYI VA ASOS QURILISHLARIDA SIFATNI NAZORAT QILISH, IJIRSET Paper1, Развитие интеллектуальных способностей учащихся на уроках русского, 7878, Diqqat-WPS Office, O\'ZBEK TILI TO\'G\'RISIDAGI HUQUQIY-ME\'YORIY, ICT TG G9 NT R7 lw, Texnologiyalari, Davlat tilida ish yuritish hujjatlari 2, fitrat to\'g\'irlangani oxirgi versiya3, blanka, лекции по КС для ТО, E.Ramanberganov Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor
P – n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o’tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa– tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo’lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o’tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko’ndalang elektr maydoni ta‘sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o’tkazgichning yuqori qatlamida o’tkazuvchanlikni o’zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o’tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o’tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 30 a –rasmda va uning shartli belgisi 30 b- rasmda keltirilgan.
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan.
Stok va istoklarning p+ - sohalari n – turdagi yarim o’tkazgich bilan ikkita p–n o’tish hosil qilganligi sababli, USI kuchlanishining biror qutblanishida bu o’tishlardan biri teskari yo’nalishda ulanadi va stok toki IS deyarli nolga teng bo’ladi.
b)
– rasm.
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta‘sir ettirilsa, hosil bo’lgan elektr maydoni ta‘sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o’tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi.
Ko’rib o’tilgan jarayonlar 34 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: USI=const bo’lgandagi IS= f (UZI) bilan ifoda-langan.
U ЗИ
U ЗИ
0 bo’lganda esa
kambag’allashish rejimida ishlaydi.
b)
– rasm.
Boyish rejimida stok xarakteristikalari UZI = 0 da olingan boshlang’ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag’allashish rejimida esa – pastda joylashadi (34 b- rasm).
a) b)
– rasm.
S, Ri va statik differensial parametrlar xuddi p –n –o’tish bilan
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) ifodalardan mos ravishda aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo’ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig’imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko’rsatkichlarga ega. R ZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo’lib 10 12-10 15 Om ni tashkil etadi.
Elektrodlararo sig’imlar qiymati SZI, SSI lar uchun -10 pF dan, SZS uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko’rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.
|
| |
