|
Raqamli Texnalogiyalar Vazirligi Muhammad al-Xorazinjirinmiy nomidagi
|
| bet | 4/5 | | Sana | 20.05.2024 | | Hajmi | 0,82 Mb. | | #245350 |
Bog'liq Ikromjonov A Elektronika va sxemalar 2SWOT - TAXLILI` METODI
Metodning maqsadi: Mavjud nazariy bilimlar va amaliy tajribalarni taxlil qilish , taqqoslash orqali muammoni xal etish yo`llarini topishga bilimlarni mustaxkamlash, takrorlash, baxolashga, mustaqil tanqidiy fikrlashni, nostandart tafakkurni shakillantirishga xizmat qiladi.
S –(strength) -kuchli tomonlari
W –(weakness)- kuchsiz tomonlari
O –(opportunity)-imkoniyatlari
T –(threat) to`siqlar
S
|
Maydoniy transistorni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimini kuchli tomonlari
|
Maydoniy transistorlar, kuchi va energiya muvozanatini yaxshi ta'minlaydi, bu esa ulash sxemalari va kuchaytirgich bosqichlarida keng doiradagi ilovalar uchun kafolat beradi.
|
W
|
Maydoniy transistorni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimini kuchsiz tomonlari
|
Ishtirokchilarning kuchli signalni kuchli ta'sir ostida kuchaytirishning qiyinliklari va kutilmagandir.
|
O
|
Maydoniy transistorni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimini imkoniyatlari
|
Maydoniy transistorlar, klassik tranzistorlarga nisbatan kuchli, ammo ularning ishlashiga oid qonuniy tartibotlar va kamroq nazorat talab qiladi.
|
T
|
Maydoniy transistorni ulash sxemalari va tranzistorlarning kuchaytirgich bosqichlaridagi ishlash rejimini to`siqlari
|
Kuchaytirgich bosqichlari va ulash sxemalari tezlik va dukhovni miqdori bo‘yicha qulayliklarni oshirishga yordam beradi.
|
|
| |
