• MT asosiy parametrlari. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib xarakteristika tikligi
  • Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot




    Download 0,65 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet4/14
    Sana08.06.2024
    Hajmi0,65 Mb.
    #261652
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14
    Bog'liq
    Elektronika va sxemalar 2

    Stok xarakteristika 
    - bu ma‘lum 
    U
    ZI
     =const 
    qiymatlaridagi 
    I
    S
     =f (U
    SI

    bog‘liqlik. 
    U
    SI
     
    ortishi bilan 
    I
    S
     
    deyarli to‘g‘ri chiziqli o‘zgaradi (tekis o‘zgarish 
    rejimi) va 
    U
    SI
    = U
    SI.TO‘Y.
     
    qiymatiga yetganda (

    nuqta) 
    I
    S
     
    ortishi to‘xtaydi. 
    a)
     
    b) 
     
    3– rasm. 
    MT asosiy parametrlari. 
    Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan 
    biri bo‘lib 
    xarakteristika tikligi 
    hisoblanadi. 
    Bu yerda 
    Smax 
    – 
    U
    ZI
    =0 bo‘lgandagi maksimal tiklik. (3.a) (3.b) ifodalardan 
    ko‘rinib turibdiki, 
    U
    ZI
     
    ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika 
    tikligi kamayadi. 
    Statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini 
    ham aniqlash mumkin. 
    Tranzistorning 
    differensial (ichki) qarshiligi 
    istok va stok oralig‘idagi kanal 
    qarshiligini ifodalaydi. 
    Bu koeffisient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga 
    nisbatan qanchalik ta‘sir ko‘rsatishini ifodalaydi. ―Manfiy‖ ishora kuchlanish 
    o‘zgarishi yo‘nalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. Har doim ham bu 
    koeffisientni xarakteristikadan aniqlab bo‘lmaganligi sababli, bu kattalikni 




    quyidagicha hisoblash mumkin: 
    3.2
     
    Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor 
    P – n 
    o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda 
    MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim 
    dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa– tranzistorlar 
    zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami 
    SiO
    2
    dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar 
    (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar. 
    MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta‘sirida 
    dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida 
    o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori 
    qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi. 

    – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 4 

    –rasmda va uning 
    shartli belgisi 4 
    b
    - rasmda keltirilgan. 
    Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – 
    Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan. 
    Stok va istoklarning p
    +
     
    - sohalari 

    – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita p


    o‘tish hosil qilganligi sababli, 
    U
    SI
     
    kuchlanishining biror qutblanishida bu 
    o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki I
    S
    deyarli nolga teng bo‘ladi. 
    a)
     
    b) 
    4– rasm. 
    Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari 
    qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO
    2
    dielektrik qatlami orqali 
    yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar 
    (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) 
    ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‘allashib, kovaklar 
    bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma‘lum 
    qiymati 
    U
    0
     
    ga yetganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak 
    o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‘lovchi 
    p
    -
    turdagi kanal shakllanadi. 




    СИ 
     
    Bu vaqtda stok toki 
    I
    S
     
    ortadi. 5 – rasmda p – kanali induksiyalangan MDYa 
    - tranzistorning stok 
    – zatvor VAXsi keltirilgan. 
    4– rasm. 
    5 – rasm. 
    5– rasmda 

    - kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning chiqish (stok) 
    xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma‘lum kuchlanish berilganda 

    ning 
    ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli ko‘rinishda ortib 
    boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va 
    yetarlicha katta qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga intiladi. 
    Tok ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‘liq. 

    Download 0,65 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14




    Download 0,65 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot

    Download 0,65 Mb.
    Pdf ko'rish