Tenzo datchiklar




Download 0.58 Mb.
bet3/3
Sana27.10.2022
Hajmi0.58 Mb.
#28354
1   2   3
Bog'liq
Tenzodatchiklar
BOSHLANG\'ICH SINF O\'QITUVCHILARNING PEDAGOGIK JARAYONI TASHKIL ETISH MAHORATI, 1, Harorat datchiklari, 1667043854, Doniyorjon, 1-мавзу, ИЧТЭваР. МНА кирил 2021 , Jismoniy sifatni rivojlantiruvchi harakatli o’yinlarni o’tkazish, Оilа tаrbiyasi mаzmuni vа mоhiyati nabiyeva Kamolaxon Xoshimova -azkurs.org, Shaxs, @kompyuterscience 5-sinf Informatika IV chorak test, 292 01.06.2022, 4- маъруза, Buxgalteriya hisobi-1
Tenzorezistorlar.
Bu rezistorlarning ishlash prinsipi tenzoeffektga – mexanik deformatsiya ta’sirida metall yoki yarim o‘tkazgich elektr qarshiligining o‘zgarishiga asoslangan.
Ma'lumki, o'tkazgichning elektr qarshiligi

ifoda bilan aniqlanadi, bunda p - o'tkazgich yasalgan materialning solishtirma elektr qarshiligi, l, S - o'tkazgichning mos ravishda uzunligi va ko'ndalang kesim yuzasi.
Mexanik deformatsiyalanishda o'tkazgich elektr qarshiligining o'zagrishi uning uzunligi ∆l/l, ko'ndalang kesim yuzasi ∆S/S yoki solishtirma elektr qarshiligi ∆p/p ning o'zgarishlari natijasida yuz beradi. Deformatsiya natijasida o'tkazgich qarshiligi o'zgarishining shu o'zgarishga sababchi bo'lgan uning uzunligi o'zgarishiga nisbati tenzosezgirlik deb ataladi:

Tenzorezistor materiali plastik deformatsiyalanganda uning hajmi va solishtirma elektr qarshiligi o'zgarmaydi. Shuning uchun ham plastik deformatsiyalanuvchi tenzorezistorlarda tenzosezgirlik koeffitsiyenti 2 ga teng bo'ladi.


Tenzorezistorlar konstantan, nixrom va vismutdan tayyorlanadi. Bu sohada kremniy va uning qotishmalari ham keng qo'llaniladi. Yarim o'tkazgichli tenzorezistorlarda tenzosezgirlik koeffitsiyenti metall tenzorezistorlarnikidan farqli ravishda bir necha yuzga teng bo'ladi. Bundan tashqari, kremniyda qarshilikning harorat koeffitsiyenti uncha yuqori emas.
Konstruktiv jihatdan tenzorezistorlar metall sim, yupqa folga yoki yarim o'tkazgichli plastina shakllarda yasaladi (2 - rasm). Tenzorezistorlar yupqa qog'ozga yoki lok qobiqqa yelemlab qo'yiladi. Tenzosezgir element qismalariga ingichka mis simlar payvandlanadi.



2 - rasm. Tenzorezistor qurilma:


a -simli; b -yupqa folga; c -yarim o'tkazgichli.

Tenzorezistor nazorat qilinuvchi ob'ektning deformatsiyalanuvchi qismiga yelim yordamida yopishtirib qo'yiladi. Deformatsiyasi o'lchanadigan ob'ekt haroratiga qarab turli xil yelimlardan foydalaniladi. Masalan, o'lchovlar 1800C gacha bo'lgan haroratlarda o'tkazilganda, bakelit- fenol yelim, bakelit yoki viniflek loklardan foydalaniladi. Tashqi harorat juda yuqori (800 0C gacha) bo'lganda esa kremniy organik sementlar yoki polisiloksanli birikmalar asosida tayyorlangan yelimlar qo'llaniladi. Tenzorezistorlardan ko'p marta foydalanish maqsadida termoplastik yelimlar ishlab chiqilgan. Bunda tenzorezistor yelimlangan joy ma'lum haroratgacha qizdirilib, keyin u ajratilib olinadi.


Namlik yuqori bo'lgan sharoitlarda tenzorezistor yelimlangandan so'ng uning ustki qatlami namga chidamli maxsus lok bilan qoplanadi. Bu qatlam tenzorezistorni namdan tashqari mexanik shikastlanish va izolyasiya qarshiligini o'zgarib qolishdan saqlaydi.
Tenzorezistorlarda deformatsiya ta'sirida qarshilikning o'zgarishi Omning bir necha ulushiga to'g'ri keladi. Shuning uchun o'lchash aniqligi va sezgirligini oshirish maqsadida tenzorezistorlar ko'prik sxemalariga ulanadi. Statik o'lchashlarni bajarishda muvozanatlangan, statik va dinamik o'lchashlarni amalga oshirishda muvozanatlanmagan ko'prik sxemalaridan foydalaniladi.
Afzalliklari: tuzilishi sodda, inersiyasi kam, o'zgartirish funksiyasi chiziqli.
Kamchiliklari: deformatsiyasi o'lchanayotgan ob'ektga mahkamlash qiyin, ko'p marta foydalanishda noqulay, xatoligi nisbatan yuqori (graduirovka xatoligi 5% va undan ham ortiq bo'lishi mumkin).
Tenzorezistorlar turli sohalarda keng ko'lamda qo'llaniladi.
Asosiy o‘tkazuvchanligi elektron o‘tkazuvchanlikdan iborat bo‘lgan kristall p — TUR kristall yoki yarim o‘tkazgich deyiladi. Margimushga o‘xshash o‘z valent elektronlarini bog‘lanishga

beruvchi begona element donor modda yoki oddiy donor deb ataladi.


Ikkinchi misolimizda germaniy kristaliga uch va­lentli bor (V) elementa kiritilsin. Bunda Bor ato- mi qo‘shni to‘rt germaniy atomi bilan birikkanida bitta bog‘lanish o‘rni yetishmay qoladi (3b-rasm). Elektr jihatdan hosil bo‘lgan zaryad yetishmovchiligi (defekt) neytral hisoblanadi. Lekin tashqi issiqlik energiyasi ta’sirida bu defektga qo‘shni germaniy kristalidan bog‘langan elektron ko‘chib o‘tishi mumkin. Bunda Bor atomi manfiy ionga aylanib, elektron ko‘chgan o‘rinda kavak hosil bo‘ladi. Shuning uchun hosil bo‘lgan asosiy o‘tkazuvchanlik — kavak o‘tkazuvchanligi bo‘lib, elektron o‘tkazuvchanligi asosiy bo‘lmaydi.
Download 0.58 Mb.
1   2   3




Download 0.58 Mb.