O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Elektronika va Radiotexnika kafedrasi
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan
Mustaqil ishi
Mavzu: « UMUMIY EMITTER SXEMASI BO’YICHA YIG’ILGAN BIPOLYAR TRNZISTORNI KIRISH VA CHIQISH XARAKTERITIKALARINI ANIQLASH»
Bajardi: САЕ -001 guruh talabasi
Allaberdiyev Elyor
TOSHKENT 2023
Мавзу: Умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характеристикаларини аниқлаш
Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторининг кириш ва чиқиш характеристикаларини ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш.
1. 2N2369A транзисторининг параметрларини тахлил қилиш
1.1 УЭ схемаси асосида 2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.
УЭ схемасига асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. BC847С
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм
1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш
Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
2N2369A транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи
1-жадвал
U=0v
|
U=10v
|
I, mkA
|
U, mV
|
I, mkA
|
U, mV
|
25
|
590
|
25
|
702
|
50
|
608
|
50
|
727
|
75
|
619
|
75
|
744
|
100
|
627
|
100
|
757
|
125
|
633
|
125
|
768
|
150
|
638
|
150
|
778
|
175
|
642
|
175
|
786
|
200
|
646
|
200
|
794
|
250
|
652
|
250
|
808
|
300
|
657
|
300
|
820
|
350
|
661
|
350
|
831
|
400
|
665
|
400
|
841
|
Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм).
(2- расм). 2N2369A транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги
УЭ схемасига асосан 2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)
Ib = const
3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш
База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.
2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ)
2-жадвал
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм).
4-расм.2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги
1.2 2N2369A транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.
2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
“А” нуқтанинг координаталри: Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ.
“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:
5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш
2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи
Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз.2N2369A транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В
ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:
ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ
6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш
h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
2N2369A транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 8,06 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз.
7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш
“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.
Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА
Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:
ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА
h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:
8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В
Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:
ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА
У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:
1.3.2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:
1.4. 2N2369A транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:
ХУЛОСА
Биз бу мустақил ишни бажариш жараёнида умумий емиттердаги биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характйеристикаларини ўргандик. Мен 2N2369A биполяр транзистор оиласидан BC847С транзисторни кириш ва чиқиш хусусиятларини кўриб чиқдим. Мултисим дастурида схемани йиғиб ток кучлари ва кучланишларни ўзгартириб қийматларини ҳисоблаб чиқдим. Кириш ва чиқиш характеристикаларига маълумот бериб ўтмоқчиман:
Кириш характеристикалари:
Умумий эмиттер схемасида биполяр транзисторнинг кириш характеристикаси база-эмиттер диода режимидаги кириш характеристикасига ўхшаш бўлади. Бу кўрсаткич ҳақида маълумот олиш учун, база-эмиттер диода режимидаги кириш характеристикасини аниқлаб олиш лозим.
Чиқиш характеристикалари:
Умумий эмиттер схемасида биполяр транзисторнинг чиқиш характеристикалари коллектор токи (IC) ва коллектор эмиттер бўлаклари орасидаги вольтаж (VCE) бўйича аниқланади. Юқоридаги диода режимидаги кириш характеристикасида кўриб турган ҳолда, транзистор база токи (IB) ҳақида маълумот олиш учун, база токи ва эмиттер-база пайвандлари орқали аниқлаб олиш мумкин.
Умумий эмиттер схемасида транзисторнинг электрон характеристикалари таҳминан кўплаб чиқади. Бу қарашда схеманинг танловига, транзистор параметрларига, таққослашга, схеманинг ишлаш частотасига, температура ва бошқа факторларга эга бўлишига боғлиқ.
Mavzu: Raqamli va analog IMSlar
Reja:
Integral mikrosxemalar yaratilish tarixi
Raqamli integral mikrosxemalar
Analog integralmikrosxemalar
Xulosa
| 