• Laboratoriya ishi №13 Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalarini o‘lchash va tadqiq etish Ishning maqsadi
  • Zatvori izolyatsiyalangan MTlar
  • Ўзбекскистон алоқа ва ахборотлаштириш агентстлиги




    Download 5.18 Mb.
    bet20/24
    Sana14.05.2023
    Hajmi5.18 Mb.
    #59442
    1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24
    Bog'liq
    E va sxema 1. 2021-2022 us.qo'llanma (2)
    Masofaviy ta’lim usullari va texnologiyalari. “O’quv jarayonida masofaviy texnologiyalarni qo’llash.Masofaviy ta’lim tizimlari va texnologiyalar, 5f042dfc86b9b, AZOT xossalari, Atmosfera havosini muhofaza qilish, 1-mavzu, Umumiy fizikadan masalalr tuplami. S. R. Polvonov., 1. Jismlarning erkin tushishi va erkin tushish tezlanishi deb ni, “Tokning magnit maydoni ” mavzusini o’qitishda innavatsion ta’lim texnalogiyalaridan foydalanish metodikasi, inflatsiya riski, 123, 1, Axborot exnalogiyalarining zamonaviy dasturiy ta, C tilida dasturlash, kurs ishi, Milliy va harakatli o`yinlar
    IE = - 4 mA

    IK (mA)

    0

    1

    2

    2,5

    3

    3,5

    4

    4,5

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    -

    UKB (V)














































    IE = - 8mA

    IK (mA)

    0

    1

    2

    2,5

    3

    4

    5

    6

    7

    8

    9

    10

    12

    14

    16

    UKB (V)














































    IE = - 12mA

    IK (mA)

    0

    1

    2

    2,5

    3

    4

    5

    6

    7

    8

    9

    10

    12

    14

    16

    UKB (V)














































    12.3. 12.1 va 12.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni UKB=const bo‘lganda, IE=f(UEB)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni IE=const bo‘lganda, IK=f(UKB)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11B va h12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h21B va h22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan)
    , bo‘lganda bo‘lganda , bo‘lganda , bo‘lganda
    Nazorat savollari
    1. BT UB ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.
    2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
    3. Baza toki tashkil etuvchilari nomin i ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
    4. IKB0 va IKE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi ?
    5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to‘yinish sohalarini ko‘rsating.
    6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.
    7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?


    Laboratoriya ishi №13
    Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalarini o‘lchash va tadqiq etish
    Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va differensial parametrlarini o‘rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta’sirini tadqiq etish.
    Nazariy qism
    Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilarning kristall hajmidagi elektr maydon ta’sirida dreyf harakatlanishiga asoslangan uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo‘tkazgich asbob maydoniy tranzistor (MT) deyiladi. MTlarda tok hosil bo‘lishida faqat bir turli asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba’zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda, BTlardagi kabi tezkorlikka ta’sir etuvchi injeksiya va ekstraksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilarning to‘planish jarayonlari mavjud emas.
    MTlarda tok bo‘ylama elektr maydon ta’sirida erkin zaryad tashuvchilarning dreyf harakati tufayli hosil bo‘ladi. Tok hosil qiluvchi o‘tkazgich qatlam kanal deb ataladi va u nkanalli va p – kanalli bo‘lishi mumkin. Kanal chekkalariga elektrodlar o‘rnatilgan bo‘lib, ularning biri istok, ikkinchisi esa stok deb ataladi. Elektrodlardan qay biri istok, qaysinisi stok deb olinishining ahamiyati yo‘q. Zaryad tashuvchilar qaysi elektroddan kanalga oqsa, o‘sha elektrod istok deb, zaryad tashuvchilarni kanaldan o‘ziga qabul qiluvchi elektrod esa stok deb belgilanadi. Uchinchi elektrod – zatvor yordamida kanaldagi tok qiymati ko‘ndalang elektr maydon bilan boshqariladi.
    Tuzilmasi va kanal sohasi o‘tkazuvchanligini boshqarish usuliga ko‘ra MTlarning bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor.
    1. Zatvori izolyatsiyalangan MTlarda metall zatvor va kanal orasida yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday MT metall – dielektrik – yarimo‘tkazgich (MDYa) tuzilmaga egaligi sababli MDYa-tranzistor deb ham ataladi. Uning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan turlari mavjud bo‘lib: birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa, kanal sohasi zatvorga ma’lum qutbli va qiymatli kuchlanish berilganda hosil bo‘ladi (induksiyalanadi). Ko‘ndalang elektr maydon yupqa dielektrik orqali o‘tib, kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi.
    2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarimo‘tkazgichning bevosita kontakti zatvor sifatida ishlatiladi. Ishchi rejimda to‘g‘rilovchi kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi yarimo‘tkazgichning kambag‘allashgan sohasi qalinligini o‘zgartirib, tok o‘tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad tashuvchilar soni va undan oqadigan tok qiymatini boshqaradi.
    3. p–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlarda zatvor sifatida kanal o‘tkazuvchanligiga nisbatan teskari o‘tkazuvchanlikka ega yarimo‘tkazgichdan foydalaniladi. Natijada, ular orasida p–n o‘tish hosil bo‘lib, ishchi rejimda ushbu p–n o‘tish teskari siljitiladi. Bunda zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p–n o‘tishning kambag‘allashgan sohasi kengligini va shu bilan tok o‘tkazuvchi kanal sohasining ko‘ndalang kesimini, undagi zaryadlar sonini o‘zgartiradi va natijada, kanaldagi tok qiymati o‘zgaradi. p–n o‘tish kambag‘allashgan sohasi kengligining o‘zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlarning asosiy xususiyatlari bir xil bo‘lgani sababli, bundan buyon zatvor sifatida faqat p–n o‘tishdan foydalanadigan MTlarni o‘rganamiz.
    Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 13.1-rasmda keltirilgani kanali p- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.

    13.1-rasm
    Stok toki zatvorga kuchlanish berish orqali boshqariladi, ya’ni boshqarilayotgan p-n o‘tishga teskari kuchlanish UZI>0 beriladi. UZI dagi berkitish kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi. Natijada berilgan USI kuchlanish qiymatida kanal kengligi kichrayadi, uning qarshiligi RK ortadi, demak stok bilan istok oralig‘idagi stok toki IS kamayadi. 13.2- rasmda boshqarish xarakteristikasi IC= f (UZI) keltirilgan.

    13.2-rasm
    Boshqaruvchi p-n o‘tishning hajmiy zaryad sohasi va asos bilan kanal orasidagi p-n o‘tish birikkandagi (stok toki IC nolga teng bo‘ladigan) zatvor kuchlanishi qiymati bo‘sag‘aviy kuchlanish U BO‘S deb ataladi.
    To‘yinish rejimida ishlayotgan maydoniy tranzistor boshqaruv xarakteristikasini quyidagi bog‘liqlik bilan approksimatsiyalash qulay.
    (13.1)
    bu yerda IC maxmaksimal stok toki zatvor – istok kuchlanishi nol UZI = 0 ga mos keluvchi boshlang‘ich stok toki.
    Boshqaruv xarakteristikasidan (13.2- rasm) xarakteristika tikligi aniqlanishi mumkin.
    .
    (13.1) approksimatsiyadan foydalanilganda tiklik quyidagicha aniqlanadi:
    , (13.2)
    Maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasi 13.3 – rasmda keltirilgan. Xarakteristikaning boshlang‘ich sohasi (USISI.TO‘Y) chiziqli rejimga mos keladi. Bu rejimda kanal butun istok-stok oralig‘ida mavjud bo‘ladi, shuning uchun USI ortgan sari, chiziqli qonunga mos ravishda stok toki ham ortadi.
    USISI.TO‘Y da tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi, bu sohada stok toki IS stok kuchlanishi USI ga kuchli bog‘liq bo‘lmaydi. Ikki rejim chegarasi hisoblangan to‘yinish kuchlanishi USI.TO‘Y zatvordagi kuchlanish UZI ga bog‘liq bo‘ladi va quyidagi formuladan aniqlanadi: USI.TO‘Y =UZI–UBO‘S.. Chiqish xarakteristikasidan (13.3 - rasm) chiqish qarshiligi aniqlanishi mumkin


    13.3-rasm
    Bu kattalik to‘yinish rejimida hisoblansa, katta qiymatga ega bo‘ladi, shuning uchun tranzistor kuchaytirgich sifatida ishlatilayotganda sxemaning sokinlik nuqtasi shu rejimda tanlanadi. Chiziqli rejimda tranzistor chiqish qarshiligi zatvordagi kuchlanish UZI ga bog‘liq va taxminan tanlangan ishchi nuqtada USI kuchlanishini IS tokka nisbati ko‘rinishida yoki 13.3 – formuladan aniqlanishi mumkin.
    , (13.3)
    bu yerda .
    2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
    2.1.7.4- rasmda keltirilgan sxema, o‘lchash asboblari o‘lchanadigan KP103 maydoniy tranzistor pasport ko‘rsatmalari bilan tanishib chiqing. (6-ilovaga qarang)
    Sokol rasmini chizib oling va tadqiq etilayotgan tranzistorning chegaraviy parametrlari USI.ChYeG, IS.ChYeG, PChYeG qiymatlarini yozib oling. 13.4 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing.

    13.4-rasm
    2.2. Stok kuchlanishining USI=1/3USI.ChYeG va 2/3USI.ChYeG qiymatlari uchun ikkita boshqaruv xarakteristikasini o‘lchang (USI.ChYeG qiymati pasport ko‘rsatmalaridan olinadi). O‘lchash natijalarini 13.1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv xarakteristikasini quring. Tajribada UZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S gacha o‘zgartiring.
    2.3. Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (UZI=0; 0,25UBO‘S; 0,5UBO‘S) chiqish xarakteristikalar oilasi IS=f(USI) ni o‘lchang.
    Tajriba o‘tkazishdan avval ISUSI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling. (13.4 - rasm)
    13.1 – jadval

    UZI, V

    IS, mA

    USI=1/3USI ChYeG

    USI=2/3USI ChYeG









    Izoh: RS.ChYeG chizig‘ini qurish uchun USI kuchlanishining 0 dan USI.ChYeG qiymatlari oralig‘ida ixtiyoriy bir nechta qiymatlari tanlanadi va shu nuqtalarda stok toki IS=PS ChYeG/USI hisoblanadi.



    13.4-rasm
    Tajribada olingan nuqtalarni 13.2 – jadvalga kiriting va tayyorlangan grafikda ularni belgilang (13.4 - rasm). Bunda tranzistor uchun ishlash ruxsat etilgan sohadan chiqib ketmaslikka e’tibor bering.
    13.2 – jadval

    USI, V

    IS, mA

    UZI=0

    UZI=0,25UBO‘S

    UZI=0,5UBO‘S












    2.4. Tranzistor stok tokiga temperatuning ta’sirini tadqiq etish. Tadqiq etilayotgan tranzistorni termostatga joylashtiring va tegishli temperatura qiymatini o‘rnating, stok kuchlanishning USI=1/3USI.ChYeG qiymatida va T=40 0S va 80 0S temperaturalarda ikkita boshqaruv xarakteristikasi IS=f(UZI) ni o‘lchang.


    O‘lchash natijalarini 13.3 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib T=40 0S va 80 0S temperaturalardagi ikkita boshqaruv xarakteristikasi IS=f(UZI) ni quring.
    13.3 - jadval

    UZI, V

    IS, mA

    T=40 0S

    T=800S










    3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
    3.1. 2.2. bandda o‘lchangan boshqaruv xarakteriskalarini 13.1 – ifoda yordamida approksimatsiyalang. Approksimatsiya natijalarini qurilgan IS=f(UZI) grafigida aks ettiring.
    3.2. Boshqaruv xarakteristikalaridan foydalanib, tranzistor tikligini
    USI=1/3USI.ChYeG ishchi nuqtada aniqlang

    S qiymatini xuddi shu nuqta uchun 13.2 – formula yordamida ham aniqlang.
    3.3. 2.3 – bandda o‘lchangan chiqish xarakteristikalar oilasida USI TO‘Y=UZI – UBO‘S oraliqqa mos keluvchi, chiziqli rejim bilan to‘yinish rejimi orasidagi chegarani ko‘rsating.
    3.4. Chiqish xarakteristikalar oilasidan foydalanib, quyidagi ishchi nuqtalar uchun tranzistor chiqish qarshiligini aniqlang:
    - to‘yinish rejimida (USI=1/3USI ChYeG, UZI=0,25 UChYeG);
    - chiziqli rejimda USI=0 va zatvor kuchlanishining uchta qiymatida (UZI=0; 0,25UBO‘S; 0,5UBO‘S).
    Hisoblashlar natijalarini 13.4 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib chiziqli rejim uchun rChIQ ning UZI ga bog‘liqlik grafigini quring.
    13.4 – jadval

    UZI,V

    RChIQ, kOm

    USI=1/3USI ChEG

    USI=0

    UZI=0







    UZI=0,25UChEG







    UZI=0,5UChEG






    3.5. 2.4 – bandda o‘lchangan boshqaruv xarakteristikalarida, turli temperaturalarda o‘lchangan boshqaruv xarakteristikalari kesishadigan termo barqaror nuqtaning IST va UZIT koordinatalarini aniqlang.


    4. Hisobot mazmuni.
    1) tadqiq etilayotgan tranzistor pasport ko‘rsatmalari;
    2) o‘lchash sxemasi;
    3) o‘lchangan bog‘liqliklar jadval va grafiklari;
    4)boshqaruv xarakteristikasining approksimatsiya, hisoblangan tranzistor xarakteristikasining tikligi S va chiqish xarakteristikalari rChIQ natijalari.



    Download 5.18 Mb.
    1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24




    Download 5.18 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Ўзбекскистон алоқа ва ахборотлаштириш агентстлиги

    Download 5.18 Mb.