|
? : Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining
|
| bet | 1/2 | | Sana | 22.02.2024 | | Hajmi | 32.71 Kb. | | #160784 |
Bog'liq test Elektronika topilgan javoblar 1. Anketa (talabalar), 3-mavzu, conference, 12 labaratoriya ishi, Маълумотлар тузилмаси ва алгоритмлар узб, Abduvositaka, Saralash algoritmlari, Akademik yozuv 2 Omonboyev Rashidbek 12, kontakt hodisalar, golosariy, Operatsion tizimlar uz, 1 - lesson (internet), 2-маруза мавзуси Симулятор, dars tahlili, 6666666666666666666666666666666666666
1-fayl
? :Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining
takomillashuvi bilan chambar-chars bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha …….
bosqichni bosib o‘tdi.
+ :to‘rt
- :uch
- :ikki
- :besh
? :……. bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar,
kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga
o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi.
+ :birinchi
- :ikkichi
- :uchinchi
- :to‘rtinchi
? :…………….. bosqich Li de Forest tomonidan 1906 yilda triod lampasining ixtiro
qilinishidan boshlandi.
+ :ikkinchi
- :birinchi
- :uchinchi
- :to‘rtinchi
? :…………… bosqich Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan 1948 yilda
elektronikaning asosiy aktiv elementi bo‘lgan bipolyar tranzistorning ixtiro
etilishi bilan boshlandi.
+ :uchinchi
- :birinchi
- :ikkinchi
- :to‘rtinchi
? :………. bosqich integral mikrosxemalar asosida elektron qurilma hamda tizimlar
yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataldi
+ :to‘rtinchi
- :ikkinchi
- :birinchi
- :uchinchi
? :...........– fizik, konstruktiv – texnologik va sxemotexnik usullardan
foydalanib yangi turdagi elektron asboblar – integral mikrosxemalar va ularning
qo’llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo’lida izlanishlar olib borayotgan
elektronikaning bir yo’nalishidir
+ :mikroelektronika
- :nanoelektronika
- :funksional elektronika
- :akustikelektronika
? :1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji ………. qonuniga muvofiq
bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy integral mikrosxemalardagi elementlar
soni ikki marta ortmoqda.
+ :G. Mur
- :Dj. Bardin
- :V. Bratteyn
- :V. Shoklila
? :…………. o‘lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar
elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy
davomi hisoblanadi.
+ :nanoelektronika
- :mikroelektronika
- :funksional elektronika
- :akustikelektronika
? :integral mikrosxemalarning, shu jumladan mikroprosessorlar va xotira
mikrosxemalarining asosiy aktiv elementi bo’lib kremniyli ………– tranzistorlar
xizmat qiladi.
+ :MDYA
- :BT
- :Shottki transistor
- :Shottki baryerli
? :Yarimo’tkazgich …………. eng yuqori chastotali tranzistorlar, lazerlar, hamda
inegral sxemalar (chiplar) yaratishning asosi bo’ldi.
+ :geterotuzilmalar
- :gomotuzilmalar
- :tuzilmalar
- :gomogen tuzilmalar
? :Optik aloqa tizimlari …….. ……….. optik modullarga ega
+ :uzatuvchi va qabul qiluvchi
- :uzatuvchi
- :qabul qiluvchitoplovchi
- :toplovchi
? :……… optik modul elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun
xizmat qiladi.
+ :uzatuvchi
- :qabul qiluvchi
- :toplovchi
- :uzatuvchi va qabul qiluvchi
? :…….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi
+ :nulanuvchi diod
- :fotodiod
- :qabul qiluvchi diod
- :fotoqabulqilgich
? :……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi
+ :nulanuvchi diod
- :fotodiod
- :qabul qiluvchi diod
- :fotoqabulqilgich
? :…….. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi
+ :fotodiod
- :nulanuvchi diod
- :nurlanuvchi manba
- :qabul qilgich
? :……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
+ :fotodiod
- :nulanuvchi diod
- :nurlanuvchi manba
- :qabul qilgich
? :…………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va
generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob.
+ :Lazer
- :fotodiod
- :nulanuvchi diod
- :optron
? :Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda …………..
rivojlanmoqda.
+ :funksional elektronika
- :elektrovakumli elektronika
- :diskret elektronika
- :geliotexnika
? :…………. asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi
+ :magnitoelektron
- :kriogenelektron
- :optoelektron
- :akustikoelektron
? :…………. deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan,
elektroradioelementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga
aytiladi.
+ :element
- :sxema
- :tizim
- :shaxobcha
? :integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan ……… yo’li bilan ulanadi
+ :metallash
- :oksidlash
- :ligirlash
- :diffuziyalash
? :Integral mikrosxema ……… deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin
montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan integral mikrosxemaning bo’lagiga
aytiladi.
+ :komponenti
- :elementi
- :arxitekturasi
- :topologiyasi
? :Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan
mikrosxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi.
+ :yarimo’tkazgich
- :elektrovakumli
- :pardali
- :gibridli
? :Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan
mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi.
+ :pardali
- :gibridli
- :yarimo’tkazgich
- :elektrovakumli
? :yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+ :1-2 mkm
- :5-10 mkm
- :10-15 mkm
- :100-200 mkm
? :qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+ :10 mkmdan yuqori
- :8 mkmdan yuqori
- :5 mkmdan yuqori
- :1 mkmdan yuqori
? :……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali
passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga
aytiladi.
+ :Gibrid
- :pardali
- :yarimo’tkazgich
- :elektrovakumli
? :Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar
………. integral mikrosxemalarga ajratiladi.
+ :BT va MDYA
- :n va p
- :i va n
- :Shottki va Gan
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =1 bo`lsa –
+ :oddiy
- :o’rtacha
- :katta
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =2 bo`lsa –
+ :o’rtacha
- :oddiy
- :katta
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =3 bo`lsa –
+ :katta
- :o’rtacha
- :oddiy
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =4÷5 bo`lsa –
+ :o’ta katta
- :katta
- :oddiy
- :o’rtacha
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K < 1 bo`lsa –
+ :oddiy
- :o’rtacha
- :katta
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 1 < K ≤ 2 bo`lsa –
+ :o’rtacha
- :oddiy
- :katta
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 2 < K ≤ 4 bo`lsa –
+ :katta
- :o’rtacha
- :oddiy
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa –
+ :o’ta katta
- :katta
- :oddiy
- :o’rtacha
? :integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
+ :oddiy
- :o’rtacha
- :katta
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
+ :o’rtacha
- :oddiy
- :katta
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
+ :katta
- :o’rtacha
- :oddiy
- :o’ta katta
? :integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
+ :o’ta katta
- :katta
- :oddiy
- :o’rtacha
? :……… integral mikrosxemalarda signal uzluksiz funksiya sifatida o’zgaradi.
+ :analog
- :raqamli
- :gibridli
- :diskret
? :……… integral mikrosxemalar diskret ko’rinishda berilgan signallarni
o’zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
+ :raqamli
- :analog
- :gibridli
- :implus
? :………. usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza
kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi.
+ :Choxralskiy
- :zonali eritish
- :epitaksiya
- :termik oksidlash
? :…….. usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi
+ :zonali eritish
- :Choxralskiy
- :epitaksiya
- :termik oksidlash
? :……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa
monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
+ :epitaksiya
- :zonali eritish
- :Choxralskiy
- :termik oksidlash
? :…… kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy
yo’l bilan oksidlashdan iborat jarayon.
+ :termik oksidlash
- :Choxralskiy
- :zonali eritish
- :epitaksiya
? :Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.
+ :legirlash
- :epitaksiya
- :termik oksidlash
- :zonali eritish
? :………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum
sohalarda (lokal) amalga oshiriladi
+ :diffuziya yordamida legirlash
- :ion legirlash
- :termik oksidlash
- :zonali eritish
? :………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi
tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.
+ :ion legirlash
- :yemirish
- :zonali eritis
- :diffuziya yordamida legirlash
? :Yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy
moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga ………….
deyiladi.
+ :yemirish
- :ion legirlash
- :zonali eritish
- :legirlash
? :Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum
shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
+ :fotolitografiya
- :yemirish
- :ion legirlash
- :zonali eritish
? :…… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar,
kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga
oshirish uchun qo’llaniladi.
+ :pardalar
- :fotolitografiya
- :epitaksiya
- :termik oksidlash
? :……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil
qilinadi.
+ :planar
- :planar – epitaksial
- :integral
- :integral
? :………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda
hosil qilinadi.
+ :planar – epitaksial
- :planar
- :integral
- :polikristal
? :…….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi
bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
+ :integral rezistorlar
- :integral kondensatorlar
- :intergal diodlar
- :integral tranzistorlar
? :……. hosil qilish uchun ixtiyoriy p–n o’tish: kollektor – asos, baza –
kollektor, emitter – baza, yashirin n+ - qatlam – izolyatsiyalovchi p – soha
ishlatilishi mumkin.
+ :integral kondenstorlar
- :integral rezistorlar
- :intergal diodlar
- :integral simistorlar
? :…………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi
+ :integral diodlar
- :integral tiristorlar
- :integral simistorlar
- :integral varistorlar
? :Tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning
mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+ :ko’p emitterli
- :n-MDYA
- :p-MDYA
- :ko’p kollektorli tranzistorlar
? :Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning
mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+ :ko’p kollektorli tranzistorlar
- :n-MDYA
- :p-MDYA
- :ko’p emitterli
? :………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi
BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha
sodda
+ :MDYA
- :Darlington
- :Shottki tranzistor
- :Shiklay
? :komplementar MDYA –invertorlarda ….. qo`laniladi
+ :n-MDYA va p-MDYA
- :ko’p emitterli tranzistorlar
- :ko’p kollektorli tranzistorlar
- :n-p-n va p-n-p BT
? :komplementar BT – invertorlarda ….. qo`laniladi
+ :n-p-n va p-n-p
- :n-MDYA va p-MDYA
- :n-MT va p-MT
- :ko’p emitterli tranzistorlar BT
? :Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa
tranzistor …… rejimda ishlaydi
+ :to`yinish
- :berk
- :invers
- :aktiv
? :Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos signal berilsa
tranzistor …… rejimda ishlaydi
+ :berk
- :to`yinish
- :invers
- :aktiv
? :Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi
elektron qurilma ………… deb ataladi.
+ :barqaror tok generatori
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
- :differensial kuchaytirgich
- :chiqish kaskadi
? :………..ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish
toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat
+ :barqaror tok generatori
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
- :differensial kuchaytirgich
- :chiqish kaskadi
? :O’zgarmas tok qiymatini cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan …………
ta’minlashi mumkin
+ :ideal tok manbai
- :ideal kuchlanish manbai
- :Real tok manbai
- :Real kuchlanish manbai
? :Aktiv rejimda …………sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok
generatori VAXiga yaqin bo’ladi
+ :UB
- :UE
- :UK
- :integral diod
? :temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun
amalda elektrodlari tutashtirilgan ………… tranzistor ishlatiladi
+ :kollektor - baza
- :baza-emitter
- :kollektor -emitter
- :emitter - kollektor
? :Sodda ……sxemasida: 2 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta kuchlanish manbai
mavjud
+ :barqaror tok generatori
- :Uilson tok ko’zgus
- :chiqish kaskadi
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
? :………. sxemasida: 3 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+ :Uilson tok ko’zgusi
- :barqaror tok generatori
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
- :chiqish kaskadi
? :………. sxemasida: 2 ta transistor, 3 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+ :Aktiv tok transformatori
- :barqaror tok generatori
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
- :chiqish kaskadi
? :………………… ko’p kaskadli o’zgarmas tok kuchaytirgichlarda kaskadlarni kuchlanish
bo’yicha o’zaro muvofiqlashtirishda keng qo’llaniladi.
+ :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
- :Darlington sxema
- :aktiv tok transformatori sxema
- :Uilson tok ko’zgusi sxema
? :………. sxemasida: 1 ta transistor, 1 ta resistor, 1 ta BTG va unga parallel
ulangan resistor, 2 ta manbai mavjud
+ :kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema
- :Darlington sxema
- :aktiv tok transformatori sxema
- :Uilson tok ko’zgusi sxema
? :differensial kuchaytirgichda ………. kirishlari mavjud
+ :invers va noinvers
- :invers va taqiqlovchi
- :taqiqlovchi va invers
- :invers va sinxranizatsiyalash
? :sinfaz signallar:
+ :amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar
- :amplitudalari teng va fazalari har xil signallar
- :amplitudalari teng bo`lmagan lekin fazalari bir xil signallar
- :amplitudalari har xil va fazalari bir xil signallar
? :…… - amplitudalari teng va fazalari bir xil bo`ladi
+ :sinfaz signallar
- :ikki qutbli signallar
- :nosinfaz signallar
- :implus signallar
? :Dinamik yuklamali differensial kuchaytirgich sxemasida ….. BTG qo`laniladi
+ :ikkita
- :uch
- :bir
- :to’rt
? :Differensial kuchaytirgichning ……. xil ulanish sxemasi mavjud
+ :to’rt
- :ikki
- :uch
- :bir
? :differensial kuchaytirgichning asosiy parametrlaridan biri - ……. hisoblanadi
+ :sinfaz signallarni so’ndirish koeffisienti
- :kuchaytirish koeffisienti
- :kuchaytirish koeffisienti
- :so`ndirish koeffisienti
? :Quvvat kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlarida ……… dan foydalaniladi.
+ :tarkibiy tranzistorlar
- :fototranzistor
- :tristorlar
- :simistorlar
? :…….. - cheksiz katta kuchaytirish koeffisientiga, katta kirish qarshiligi va
nolga teng bo’lgan chiqish qarshiligiga ega
+ :ideal kuchaytirgich
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
- :differensial kuchaytirgich
- :Uilson tok ko’zgusi sxema
? :…….. -inverslaydigan va inverslamaydigan kirishlarga, bir xil signal
berilganda nolga teng bo’lgan chiqish kuchlanishiga va cheksiz katta keng
o’tkazish polosasiga ega
+ :ideal kuchaytirgich
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
- :differensial kuchaytirgich
- :Uilson tok ko’zgusi sxema
? :…….. - kichik signal rejimida kuchaytirgichning tokni uzatish koeffisienti
+ :h21e
- :h12e
- :h22e
- :h11e
? :Kaskad kuchaytirish koeffisienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish
maqsadida …………dan foydalaniladi.
+ :tarkibiy tranzistorlar
- :bipolyar tranzistor
- :Shotki tranzistor
- :fototranzistor
? :…………. sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega
+ :B
- :A
- :G
- :S
? :Nochiziqli buzilishlarni kamaiytirish uchun tranzistorlarning …………
elektrodlariga siljituvchi kuchlanish beriladi
+ :baza
- :kollektor
- :emitter
- :qobig`iga
? :……. operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi
+ :differensial kuchaytirgich
- :barqaror tok generatori
- :o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
- :chiqish kaskadi
? :……….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga
mo’ljallanganqurilma
+ :operatsion kuchaytirgich
- :barqaror tok generatori
- :differensial kuchaytirgich
- :chiqish kaskadi
? :operatsion kuchaytirgich ……….. kirishga ega
+ :ikkita
- :bitta
- :uchta
- :to`rtta
? :Agar signal operatsion kuchaytirgichning …………… kirishiga berilsa, u holda
chiqishdagi signal + :1800 ga siljidi
- :inverslaydigan
- :inverslamaydigan
- :ikki
- :noinvers
? :Agar signal operatsion kuchaytirgichning ………….. kirishga berilsa, u holda
chiqishdagi signal kirish signali bilan bir xil fazada bo’ladi.
+ :inverslamaydigan
- :inverslaydigan
- :ikki
- :bir
? :operatsion kuchaytirgichlar rivojlanishning ……. bosqichidan o’tdilar
+ :uch
- :ikki
- :to`rt
- :besh
? :operatsion kuchaytirgich funksional sxemasi - ………dan iborat
+ :uch kaskad
- :ikki kaskad
- :bir kaskad
- :kaskad
? :operatsion kuchaytirgichning………… uning kirish kaskadi va chiqish
kaskadlarini bog`laydi
+ :muvofiqlashtiruvchi kaskadi
- :barqaror tok generatori
- :Uilson tok ko’zgusi sxemasi
- :barqaror kuchlanish generatori
? :operatsion kuchaytirgich kirish va chiqish qarshiliklari har doim ham asosiy
parametrlar tarkibiga kiritilmaydi, ularni kirish va chiqish ……..qiymatlaridan
aniqlash mumkin
+ :tok
- :qarshilik
- :quvvat
- :elektrod
? :kuchaytirgich chiqish signali amplitudasini kirish signali amplitudasiga
nisbatini + :chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
- :amplituda chastota
- :faza chastota
- :amplituda
- :uzatish
? :kuchaytirgich chiqishidagi tebranishlar fazasini kirishdagi tebranishlar
fazasiga nisbatan siljishini chastotaga bog’liqligi ..............
xarakteristikasi deb ataladi
+ :faza chastota
- :amplituda chastota
- :amplituda
- :uzatish
? :Elektron qurilmalar, jumladan komputerlarda qayta ishlanayotgan ma’lumotlar,
natijalar va boshqa axborotlar ko’p hollarda ………….ko’rinishida ifodalanadi.
+ :elektr signallar
- :rasmlar
- :shakillar
- :buyruqlar
? :Axborotni …… usulda uzatish mumkin
+ :analog va raqamli
- :modulyatsiya va demodulyatsiya
- :invers va noinvers
- :sinxron va nosinxron
2-faly
Bosqichni bosib o‘tdi
Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining takomillashuvi bilan chambar-chars bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha 4
bosqichni bosib o‘tdi.
4- bosqich integral mikrosxemalar asosida elektron qurilma hamda tizimlar yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataldi
mikroelektronika– fizik, konstruktiv – texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar – integral mikrosxemalar va ularning qo’llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo’lida izlanishlar olib borayotgan elektronikaning bir yo’nalishidir
nanoelektronika o‘lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi.
integral mikrosxemalarning, shu jumladan mikroprosessorlar va xotira mikrosxemalarining asosiy aktiv elementi bo’lib kremniyli M D ya– tranzistorlar xizmat qiladi.
Yarimo’tkazgich geterotuzilmalar eng yuqori chastotali tranzistorlar, lazerlar, hamda inegral sxemalar (chiplar) yaratishning asosi bo’ldi.
QQOM (qabul qiluvchi optic modul) optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda funksional elektronika rivojlanmoqda.
element deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga aytiladi.
integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan
|
| |
