|
Bipolyar tranzistorlarning tasnifi
|
| bet | 1/2 | | Sana | 02.12.2022 | | Hajmi | 0.51 Mb. | | #32886 |
Bog'liq Elektronika va sxemalar BIpolyar tranzistor Sut emizuvchilar sinfi ekologiyasi va evolyutsiyasi, O’ZBEKISTONDA UCHRAYDIGAN ZAHARLI ILONLAR VA ULAR ZAHARINING XUSUSIYATLARI, 1 – mа’ruzа. Elektr o’lchash usullari va asboblari bo’yicha umum, DORIXONA SHAROITIDA DORI VOSITALARINI TAYYORLASH VA DORI VOSITALARINI SIFATINI NAZORAT QILISH ISHLARINI TASHKIL QILISH., Loyiha pasporti, АННОТАЦИЯ, Г. Тейлорнинг энергетик назарияси, Sobitov Komoliddin Sobirjon o‘g‘li, Global muammolarni tugaish yo’llari, wnvMYewdfYuBAOx70DVzkMOz32irRhQh5xPmwGnl, Amaliyot 02, 2-ámeliy, 1111, jahon-adabiyotida-postmodernizmning-kelib-chiqishi-tarixi-va-hozirgi-holati
Toshkent axborot texnologiyalari universitetining Urganch filialining
2-kurs 972-21-guruh talabasi
Sheraliyev Akmaljonning Elektronika va sxemalardan ishlagan
Mustaqil ishi
Bipolyar tranzistorlarning tasnifi
Bipolyar tranzistor ikkitadan iborat yarimo'tkazgichli qurilma o'zaro ta'sirli o'tishlar va uch yoki undan ortiq pinlar, kuchaytiruvchi xossalari in'ektsiya hodisalariga bog'liq va kichik zaryad tashuvchilarni qazib olish.
Bipolyar tranzistor uchta asosiy sohadan iborat: emitent (E), asos (B) va kollektor (K). Har bir hudud bor
ohmik aloqa. Bu hududlar elektron teshik bilan ajratilgan o'rtasida o'zaro ta'sir mavjud bo'lgan o'tishlar. ga qarab hududlarning o'tkazuvchanlik turi tranzistorlar p-n-p va n-p-n tuzilmalarini ajratib turadi.
Tranzistor elektron zanjirda ham kalitda, ham kirishda ishlashi mumkin kuchaytirish rejimi. Tranzistor kuchaytirgichga ega bo'lishi uchun xususiyatlari, tayanch hududining qalinligi diffuziyadan kamroq bo'lishi kerak bu mintaqada ozchilik zaryad tashuvchilarning uzunligi, ya'ni. katta qism emitent tomonidan yuborilgan tashuvchilar qayta birlashtirilmasligi kerak tayanch maydoni. Transistorning qaysi terminali ekanligiga qarab
kirish va chiqish davrlari uchun umumiy bo'lgan uchta mumkin bo'lgan sxemalar mavjud bipolyar tranzistorlarni kiritish: umumiy emitent (OE), umumiy bilan baza (OB) va umumiy kollektor (OK).
Hozirgi vaqtda bipolyar tranzistorlarni ishlab chiqarish uchun juda ko'p dizayn va texnologik variantlar mavjud. Qadimgi konstruktsiyalarning tranzistorlari (40-yillar) qotishmalarga muvofiq ishlab chiqarilgan texnologiya.
Transistorda qotishma n-p o'tish joylari hosil bo'ladi ustida bir hil yarimo'tkazgich kristaliga sintez natijasida metall yoki qotishmaning sayoz chuqurligi (o'n mikrometrgacha); donor yoki akseptor dopantlarni o'z ichiga oladi.
Dopantlarning emitent, tayanch va ichida taqsimlanishi Bunday tranzistorning kollektori deyarli bir xil. Sababli termoyadroviy yordamida metall termoyadroviy old qismining bir hil bo'lmasligi qiyin katta maydonli tranzistorni yarating (0,1, 2 sm dan ortiq) va taglikning qalinligi dan kam 20-30 mikron. Zamonaviy bipolyar tranzistorlar asosida ishlab chiqariladi planar yoki epitaksial-planar texnologiya bo'yicha kremniy.
|
| |
