Maydoniy tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlari, ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi




Download 1,1 Mb.
Pdf ko'rish
bet1/2
Sana11.06.2024
Hajmi1,1 Mb.
#262583
  1   2
Bog'liq
1. Anketa (talabalar), 3-mavzu, conference, 12 labaratoriya ishi, Маълумотлар тузилмаси ва алгоритмлар узб, Abduvositaka, Saralash algoritmlari, Akademik yozuv 2 Omonboyev Rashidbek 12, kontakt hodisalar, golosariy, Operatsion tizimlar uz, 1 - lesson (internet), 2-маруза мавзуси Симулятор, dars tahlili, 6666666666666666666666666666666666666


Mavzu:
Maydoniy tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlari
ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi
Reja:
1.Tranzistorlar
2.Maydoniy tranzistorlar
3.Maydoniy transistor xarakteristikalari va parametrlari
4. Maydoniy tranzistorlarning ish rejimlari
5.Xulosa


Tranzistor
(
inglizcha
:
transfer
— koʻchirmoq va rezistor) —
elektr
tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash 
(hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika 
qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy 
(unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (
p-tipli
va
n-tipli
) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan 
yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan
p-n oʻtish
hisobiga ishlaydi va baza-
emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) 
yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular 
kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni 
oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.


TRANZISTORLAR
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT,
Bipolar 
Junction Transistor
) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy 
tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham 
elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid 
koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun
William Shockley
,
John Bardeen
va
Walter 
Brattain
fizika boʻyicha
Nobel mukofoti
bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga 
tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish 
va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli,
elektromagnit rele
va mexanik uzib-ulagichlarga 
ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq 
indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-
yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi 
belgilanishlar ham ishlatilgan.


TRANZISTORLAR
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi
Maykl 
Faradey
yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar 
elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi
Karl Ferdinand Braun
metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik 
hodisasini aniqladi.
1906-yili injener
Grinlif Vitter Pikkard
nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz
fizigi Uilyam Ikklz
baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi 
mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa
Oleg Losev
, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega 
boʻlgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi.
Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng 
oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday 
fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham 
kelishgan.
Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu 
soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-
radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida 
baho berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.
Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan.



Download 1,1 Mb.
  1   2




Download 1,1 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Maydoniy tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlari, ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi

Download 1,1 Mb.
Pdf ko'rish