|
Qo’RG’oshin silikat shishada ruteniy oksidining diffuziyasi
|
| Sana | 21.05.2024 | | Hajmi | 0,5 Mb. | | #248588 |
Bog'liq Qo\'rg\'oshin silikat shishaga ruteniy oksidlarining diffuziyasi 1
QO’RG’OSHIN SILIKAT SHISHADA RUTENIY OKSIDINING DIFFUZIYASI
Abduraxmonov G., Dexqonov A.T., Tursunov M.E.
Mirzo Ulug`bek nomidagi O`zbekiston Milliy Universiteti
Qo’rg’oshin silikat shisha (QSSh) ga ruteniy oksidlari diffuziyalanib tayyorlangan qalin qatlamli rezistorlar (QQR) elektronika sohasida keng qo’llaniladi. Lekin QSSh ga ruteniy oksidlari diffuziyasi haqida deyarli ma’lumotlar uchramaydi.[1]
Odatda diffuziya jarayoni konsentratsiya C ning keng oralig‘ida sodir bo‘ladi-ki, diffuziya koeffitsienti D(C) ning konsentratsiya tufayli o‘zgarishi namoyon bo‘lishi va legirlash darajasi, legirlash chuqurligi kabi, o‘zgarmas D uchun hisoblanganidan ancha farq qilishi mumkin. Ustiga ustak, D ning o‘zgarmasligi tajriba natijalariga zid. Chunonchi, agar namunaning bir uchida o‘zgarmas quvvatli manbadan diffuziya bo‘layotganda chiziqli diffuziya tenglamasi [2]
(1.1)
ning yechimi namunaning har qancha uzoq bo‘lgan ikkinchi uchida diffuzant atomlarining darhol paydo bo‘lishini taqozo qiladi. Bunda t – vaqt, - Laplas operatori [3]. Bir o‘lchamli sharoitda va diffuziya manbai cheksiz quvvatga ega bo‘lganda (1) tenglamaning yechimi
(1.2)
ko‘rinishda bo‘ladi, tajribada esa boshqacha taqsimlanish kuzatiladi.
RuO2 ning S71-K (2SiO2∙PbO) qo‘rg‘oshin-silikat shishaga 850°S da 2 soat davomida diffuziyasi natijasida hosil bo‘lgan taqsimlanish profili 1-rasmda ko‘rsatilgan.
1-rasm. QSSh va RuO2 dan tayyorlangan namuna sxematik ko’rinish
Namunalar qiya shlif usulida tayyorlandi va shlif burchagi 0,5°, ya’ni rasmdagi 1 mm masofa namuna ichkarisiga tomon 0,88 mkm ga to‘g‘ri keladi. Ru atomlarining konsentratsiyasi qiya shlif bo‘ylab har 1 mm masofada o‘lchandi (jami 18 nuqta).
2-rasm. QSSh ga RuO2 ning qiya shlif usulida tayyorlangan namunalarning SEM tasvirlari
Shisha va ligatura (RuO2) kukunlari aralashmasi 850°S da 10 minut davomida pishirilgandagi namunalar SEM-EDS da o’rganilganda (2-rasm) ruteniy atomlari konsentratsiyasi namuna yuzasidan 25 mkm chuqurlikkacha o’zgarmasligi ma’lum bo’ldi. Demak, bunday legirlangan shishada ruteniy atomlarining diffuziya masofasi 25 mkm dan ancha katta. Keyingi tajribalar ko’rsatishicha, bu diffuziya jarayoni nochiziqli ekan.
Foydalanilgan adabiyotlar
Gulmurza Abdurakhmanov, Electrical Conduction in Doped Silicate Glasses (Thick Film Resistors), New Insights into Physical Science Vol.4
Gulmurza Abdurakhmanov, Gulbahor S. Vakhidova, Lutfullo X. Tursunov, Interaction of RuO2 and Lead-Silicate Glass in Thick-Film Resistors, World Journal of Condensed Matter Physics, 2011, 1, 1-5
И. Н. Бекман, Математика диффузии. - М., ОнтоПринт, 2016.
2. Abe A. and Taketa Y. Electrical conduction in thick film resistors // J. Appl. Phys. 1991. – V. 24. - P. 1163 - 1171.
|
| |
