|
V2: По умолчанию для Elektronika va sxemalar2 I: ЭваС 2 узб
|
| Sana | 27.02.2024 | | Hajmi | 28.65 Kb. | | #163307 |
Bog'liq V2 По умолчанию для Elektronika va sxemalar2 I ЭваС 2 узб (1) Kichik guruh yoshidagi bolalarni geometrik shakl haqidagi, edc8e5ff-010c-4961-a354-3a712896ce89 (1), AKT, faxi kurs ishi yangi, 1.2-ma’ruza Elektr energiyani boshqa turdagi energiyaga o‘zgarish qonuniyatlari., 57469, 57469, Sinxron generator, elektr tarmoqlari turlari, DAVLAT KREDITI, Tushunish va tushuntirishning dialektikasi Bajardi 11-20-guruh
V1: top
V2: По умолчанию для Elektronika va sxemalar2
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =2 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =3 bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =4÷5 bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K < 1 bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 1 < K ≤ 2 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 2 < K ≤ 4 bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: ……… integral mikrosxemalarda signal uzluksiz funksiya sifatida o’zgaradi.
+: analog
-: raqamli
-: gibridli
-: diskret
I: ЭваС 2 узб
S: ……… integral mikrosxemalar diskret ko’rinishda berilgan signallarni o’zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
+: raqamli
-: analog
-: gibridli
-: implus
I: ЭваС 2 узб
S: ………. usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi.
+: Choxralskiy
-: zonali eritish
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi
+: zonali eritish
-: Choxralskiy
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: ……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
+: epitaksiya
-: zonali eritish
-: Choxralskiy
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: …… kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo’l bilan oksidlashdan iborat jarayon.
+: termik oksidlash
-: Choxralskiy
-: zonali eritish
-: epitaksiya
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.
+: legirlash
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: ………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi
+: diffuziya yordamida legirlash
-: ion legirlash
-: termik oksidlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: ………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.
+: ion legirlash
-: yemirish
-: zonali eritis
-: diffuziya yordamida legirlash
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga …………. deyiladi.
+: yemirish
-: ion legirlash
-: zonali eritish
-: legirlash
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
+: fotolitografiya
-: yemirish
-: ion legirlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: …… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
+: pardalar
-: fotolitografiya
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: ……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
+: planar
-: planar – epitaksial
-: integral
-: integral
I: ЭваС 2 узб
S: ………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
+: planar – epitaksial
-: planar
-: integral
-: polikristal
I: ЭваС 2 узб
S: …….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
+: integral rezistorlar
-: integral kondensatorlar
-: intergal diodlar
-: integral tranzistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: ……. hosil qilish uchun ixtiyoriy p–n o’tish: kollektor – asos, baza – kollektor, emitter – baza, yashirin n+ - qatlam – izolyatsiyalovchi p – soha ishlatilishi mumkin.
+: integral kondenstorlar
-: integral rezistorlar
-: intergal diodlar
-: integral simistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: …………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi
+: integral diodlar
-: integral tiristorlar
-: integral simistorlar
-: integral varistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+: ko’p emitterli
-: n-MDYA
-: p-MDYA
-: ko’p kollektorli tranzistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+: ko’p kollektorli tranzistorlar
-: n-MDYA
-: p-MDYA
-: ko’p emitterli
I: ЭваС 2 узб
S: ………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda
+: MDYA
-: Darlington
-: Shottki tranzistor
-: Shiklay
I: ЭваС 2 узб
S: komplementar MDYA –invertorlarda ….. qo`laniladi
+: n-MDYA va p-MDYA
-: ko’p emitterli tranzistorlar
-: ko’p kollektorli tranzistorlar
-: n-p-n va p-n-p BT
I: ЭваС 2 узб
S: komplementar BT – invertorlarda ….. qo`laniladi
+: n-p-n va p-n-p
-: n-MDYA va p-MDYA
-: n-MT va p-MT
-: ko’p emitterli tranzistorlar BT
I: ЭваС 2 узб
S: Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
+: to`yinish
-: berk
-: invers
-: aktiv
I: ЭваС 2 узб
S: Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
+: berk
-: to`yinish
-: invers
-: aktiv
I: ЭваС 2 узб
S: Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma ………… deb ataladi.
+: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………..ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat
+: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: O’zgarmas tok qiymatini cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan …………ta’minlashi mumkin
+: ideal tok manbai
-: ideal kuchlanish manbai
-: Real tok manbai
-: Real kuchlanish manbai
I: ЭваС 2 узб
S: Aktiv rejimda …………sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo’ladi
+: UB
-: UE
-: UK
-: integral diod
I: ЭваС 2 узб
S: temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda elektrodlari tutashtirilgan ………… tranzistor ishlatiladi
+: kollektor - baza
-: baza-emitter
-: kollektor -emitter
-: emitter - kollektor
I: ЭваС 2 узб
S: Sodda ……sxemasida: 2 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta kuchlanish manbai mavjud
+: barqaror tok generatori
-: Uilson tok ko’zgus
-: chiqish kaskadi
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 3 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+: Uilson tok ko’zgusi
-: Uilson tok ko’zgusi
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 2 ta transistor, 3 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+: Aktiv tok transformatori
-: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 1 ta transistor, 1 ta resistor, 1 ta BTG va unga parallel ulangan resistor, 2 ta manbai mavjud
+: kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema
-: Darlington sxema
-: aktiv tok transformatori sxema
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: differensial kuchaytirgichda ………. kirishlari mavjud
+: invers va noinvers
-: invers va taqiqlovchi
-: taqiqlovchi va invers
-: invers va sinxranizatsiyalash
I: ЭваС 2 узб
S: sinfaz signallar:
+: amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar
-: amplitudalari teng va fazalari har xil signallar
-: amplitudalari teng bo`lmagan lekin fazalari bir xil signallar
-: amplitudalari har xil va fazalari bir xil signallar
I: ЭваС 2 узб
S: …… - amplitudalari teng va fazalari bir xil bo`ladi
+: sinfaz signallar
-: ikki qutbli signallar
-: nosinfaz signallar
-: implus signallar
I: ЭваС 2 узб
S: Dinamik yuklamali differensial kuchaytirgich sxemasida ….. BTG qo`laniladi
+: ikkita
-: uch
-: bir
-: to’rt
I: ЭваС 2 узб
S: Differensial kuchaytirgichning ……. xil ulanish sxemasi mavjud
+: to’rt
-: ikki
-: uch
-: bir
I: ЭваС 2 узб
S: differensial kuchaytirgichning asosiy parametrlaridan biri - ……. hisoblanadi
+: sinfaz signallarni so’ndirish koeffisienti
-: kuchaytirish koeffisienti
-: kuchaytirish koeffisienti
-: so`ndirish koeffisienti
I: ЭваС 2 узб
S: Quvvat kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlarida ……… dan foydalaniladi.
+: tarkibiy tranzistorlar
-: fototranzistor
-: tristorlar
-: simistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: …….. - cheksiz katta kuchaytirish koeffisientiga, katta kirish qarshiligi va nolga teng bo’lgan chiqish qarshiligiga ega
+: ideal kuchaytirgich
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: differensial kuchaytirgich
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: …….. -inverslaydigan va inverslamaydigan kirishlarga, bir xil signal berilganda nolga teng bo’lgan chiqish kuchlanishiga va cheksiz katta keng o’tkazish polosasiga ega
+: ideal kuchaytirgich
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: differensial kuchaytirgich
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: …….. - kichik signal rejimida kuchaytirgichning tokni uzatish koeffisienti
+: h21e
-: h12e
-: h22e
-: h11e
I: ЭваС 2 узб
S: Kaskad kuchaytirish koeffisienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida …………dan foydalaniladi.
+: tarkibiy tranzistorlar
-: bipolyar tranzistor
-: Shotki tranzistor
-: fototranzistor
I: ЭваС 2 узб
S: …………. sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega
+: B
-: A
-: G
-: S
I: ЭваС 2 узб
S: Nochiziqli buzilishlarni kamaiytirish uchun tranzistorlarning ………… elektrodlariga siljituvchi kuchlanish beriladi
+: baza
-: kollektor
-: emitter
-: qobig`iga
I: ЭваС 2 узб
S: ……. operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi
+: differensial kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ……….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallanganqurilma
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich ……….. kirishga ega
+: ikkita
-: bitta
-: uchta
-: to`rtta
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning …………… kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal 1800 ga siljidi
+: inverslaydigan
-: inverslamaydigan
-: ikki
-: noinvers
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning ………….. kirishga berilsa, u holda chiqishdagi signal kirish signali bilan bir xil fazada bo’ladi.
+: inverslamaydigan
-: inverslaydigan
-: ikki
-: bir
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichlar rivojlanishning ……. bosqichidan o’tdilar
+: uch
-: ikki
-: to`rt
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich funksional sxemasi - ………dan iborat
+: uch kaskad
-: ikki kaskad
-: bir kaskad
-: kaskad
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichning………… uning kirish kaskadi va chiqish kaskadlarini bog`laydi
+: muvofiqlashtiruvchi kaskadi
-: barqaror tok generatori
-: Uilson tok ko’zgusi sxemasi
-: barqaror kuchlanish generatori
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich kirish va chiqish qarshiliklari har doim ham asosiy parametrlar tarkibiga kiritilmaydi, ularni kirish va chiqish ……..qiymatlaridan aniqlash mumkin
+: tok
-: qarshilik
-: quvvat
-: elektrod
I: ЭваС 2 узб
S: kuchaytirgich chiqish signali amplitudasini kirish signali amplitudasiga nisbatini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
+: amplituda chastota
-: faza chastota
-: amplituda
-: uzatish
I: ЭваС 2 узб
S: kuchaytirgich chiqishidagi tebranishlar fazasini kirishdagi tebranishlar fazasiga nisbatan siljishini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
+: faza chastota
-: amplituda chastota
-: amplituda
-: uzatish
I: ЭваС 2 узб
S: Elektron qurilmalar, jumladan komputerlarda qayta ishlanayotgan ma’lumotlar, natijalar va boshqa axborotlar ko’p hollarda ………….ko’rinishida ifodalanadi.
+: elektr signallar
-: rasmlar
-: shakillar
-: buyruqlar
I: ЭваС 2 узб
S: Axborotni …… usulda uzatish mumkin
+: analog va raqamli
-: modulyatsiya va demodulyatsiya
-: invers va noinvers
-: sinxron va nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, unga proporsional bo’lgan bir signal ko’rinishida ifodalanadi.
+: analog
-: raqamli
-: diskret
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, har biri berilgan kattalikning bitta raqamiga mos keluvchi bir nechta signallar ketma – ketligi ko’rinishida ifodalanadi
+: raqamli
-: uzluksiz
-: analog
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: ………… elektron qurilma uzluksiz signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan
+: analog
-: raqamli
-: operatsion
-: gibrid
I: ЭваС 2 узб
S: Analog elektron qurilma ………signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan elektron qurilmalar
+: analog
-: raqamli
-: diskret
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: …. analog elektron qurilmalar kamchiligi
+: xalaqitbardoshlikning kichikligi
-: xalaqitbardoshlikning kattaligi
-: xalaqitbardoshlikning cheksizligi
-: xalaqitbardoshlikning o`ta kattaligi
I: ЭваС 2 узб
S: analog elektron qurilmalar kamchiligi bu….
+: axborotlarni uzoq muddat saqlashning murakkabligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning osonligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning imkoni yo`qligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning talabi yo`qligi
I: ЭваС 2 узб
S: analog ko’rinishdagi birlamchi axborotlarni raqamli usullarda qayta ishlash uchun …….. lozim
+: kvantlash va kodlash
-: uzatish va qabul qilish
-: saqlash va uzatish
-: uzatish va saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: analog signalni raqamli signalga o`zgartirish uchun …… lozim
+: kvantlash va kodlash
-: uzatish va qabul qilish
-: saqlash va uzatish
-: uzatish va saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: Uzluksiz signalni ma’lum nuqtalardagi qiymatlari bilan almashtirishga ……….deyiladi.
+: kvantlash
-: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash natijasida signal ixtiyoriy emas, balki aniq, ………. deb ataluvchi qiymatlarni oladi
+: diskret
-: analog
-: bir
-: bir hil
I: ЭваС 2 узб
S: Analog signallarni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar –……… deb ataladi
+: disrket elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: ……….ni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar – disrket elektron qurilmalar deb ataladi
+: analog signallar
-: raqamli signallar
-: diskret signallar
-: kvant signallar
I: ЭваС 2 узб
S: ................da birlamchi signal vaqt bo’yicha kvantlanadi va odatda o’zgarmas chastotadagi impulslar ketma – ketligiga o’zgartiriladi.
+: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: raqamli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash turiga qarab …….. elektron qurilmalar impulsli, releyli va raqamli guruhga bo’linadi
+: disrket
-: analog
-: uzluksiz
-: operatsion
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash turiga qarab disrket elektron qurilmalar uch guruhga bo’linadi: ………
+: impulsli, releyli va raqamli
-: impulsli, analog va raqamli
-: analog, releyli va raqamli
-: analog, uzluksiz va raqamli
I: ЭваС 2 узб
S: …………… birlamchi analog signalni zinasimon funksiyaga o’zgartiradi.
+: releyli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: raqamli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: kvantlangan signal bir necha elementar signallardan tuzilgan shartli kombinatsiyalar ko’rinishida ifodalash ……….. deb atalad
+: kodlash
-: kvantlash
-: raqamlash
-: saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: Kodlash turli ma’lumotlar (harflar, tovushlar, ranglar, komandalar va boshqalar)ni ma’lum standart shaklda, masalan ………. simvollari ko’rinishida ifodalash imkonini beradi.
+: ikkilik
-: uchlik
-: sakkizlik
-: o`n oltilik
I: ЭваС 2 узб
S: ………sanoq tizimida ixtiyoriy sonni 0 yoki 1 raqamlari yordamida yozish mumkin ekan
+: ikkilik
-: sakkizlik
-: o`n oltilik
-: o`nlik
I: ЭваС 2 узб
S: Kichik asosga ega bo’lgan sanoq tizimidan katta asosga ega bo’lgan sanoq tizimiga o’tish
+: mumkin
-: bo`lmaydi
-: noaniq
-: aniq emas
I: ЭваС 2 узб
S: Hisoblash va axborot texnikasi evolusiyasi qurilmalar o’rtasida axborot almashinish uchun ……. – bitli kattalikni paydo qildi
+: 8
-: 2
-: 4
-: 16
I: ЭваС 2 узб
S: 8 – bitli katalik ….. deb ataladi.
+: bayt
-: bit
-: kilobit
-: kilobayt
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy inkor bu ….
+: inversiya
-: ko`paytirish
-: bo`lish
-: ayrish
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy inkor bu ….
+: EMAS amali
-: HAM amali
-: YOKI amali
-: HAM-EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy qo’shish bu ….
+: YOKI amali
-: EMAS amali
-: HAM amali
-: YOKI -EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy ko’paytirish bu ….
+: HAM amali
-: YOKI amali
-: EMAS amali
-: HAM-EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: Funksiya qiymatlarini ifodalovchi jadval ………. jadvali deb ataladi.
+: haqiqiylik
-: to`liq
-: aniq
-: noaniq
I: ЭваС 2 узб
S: Bir funksiya argumentlarini boshqa funksiya argumentlari bilan almashtirish amali …………. deb ataladi.
+: superpoztsiya
-: distributlik
-: assotsiativlik
-: aksiomalar
I: ЭваС 2 узб
S: ………………..da birlamchi analog signal ham vaqt bo’yicha, ham kattaligi bo’yicha kvantlanadi.
+: raqamli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: ……….. – integral elektron qurilma bo’lib, raqamli signal ko’rinishida berilgan axborotlarni talab etilgan holda o’zgartirishga mo’ljallangan.
+: raqamli itegral sxema
-: raqamli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: …………… yordamida axborotni yozish va o’qish, o’chirish va qayta tiklash, hamda saqlanayotgan axborotni indikatsiya qilish mumkin.
+: triggerlar
-: operatsion kuchaytirgich
-: operatsion kuchaytirgich
-: bistabil yacheyka
I: ЭваС 2 узб
S: Sanoq tizimlarining …….. turlari mavjud
+: pozitsion va nopozitsion
-: invers va noinvers
-: real va noreal
-: ikkilik va o`nlik
I: ЭваС 2 узб
S: …………deb kirish signallari ustida aniq bir mantiqiy amal bajaradigan elektron qurilmaga aytiladi
+: mantiqiy element
-: operatsion kuchaytirgich
-: bistabil yacheyka
-: indikatorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Ishlash prinsipiga ko’ra …… MElarga bo’linadi
+: kombinatsion va ketma-ketli(tadriji)
-: parallel va ketma-ketli
-: gibridli va ketma-ketli
-: kombinatsion va gibridli
I: ЭваС 2 узб
S: …………….. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: kombinatsion
-: ketma-ketli(tadriji)
-: gibridli
-: parallel
I: ЭваС 2 узб
S: ……………. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: ketma – ketli(tadriji)
-: kombinatsion
-: gibridli
-: parallel
I: ЭваС 2 узб
S: ………..deb shunday elektron qurilmaga aytiladi-ki, uning kirishdagi boshqaruv kuchlanishi qiymatiga bog’liq holda ikkita turg’un holatdan birida: uzilgan yoki ulangan bo’lishi mumkin.
+: elektron kalit
-: trigger
-: indikatorlar
-: bistabil yacheyka
I: ЭваС 2 узб
S: Bir turdagi MDYA – tranzistorlarda hosil qilingan kalitlarning kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq bo’lgan statik rejimda kalitdan doim ….. oqib o’tadi.
+: tok
-: kuchlanish
-: quvvat
-: sig`im
I: ЭваС 2 узб
S: KMDYA elektron kalit……iborat
+: n – MDYA
p – MDYA
-: n-p-n p-n-p
-: n – MT p – MT
-: n – BT p – BT
I: ЭваС 2 узб
S: KMDYA tranzistorli elektron kalit nechta tranzistordan iborat
+: Ikkita
-: Bitta
-: Uchta
-: to`rta
I: ЭваС 2 узб
S: Bipolayar tranzistorli elektron kalit
+: invertor
-: qo`shish
-: ko`paytirish
-: ayrish
I: ЭваС 2 узб
S: ko’p emitterli tranzistor asosidagi sxema
+: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: integral –injektsion mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: ko’p emitterli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: ko’p kollektorli tranzistor asosidagi sxema
+: integral –injektsion mantiq
-: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: ko’p kollektorli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: …………… sxemasi: 1 ta manba, ko`p emitterli transistor, bipolyar transistor, 2 ta resistor, chiqish elektrodi dan tashkil topgan.
+: sodda invertorli tranzistor – tranzistorli mantiq ME
-: integral –injektsion mantiq
-: KMDYA
-: emitterlari bog’langan mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.
+: integral –injektsion mantiq
-: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: murakkab tranzistor – tranzistorli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat iste’mol ……
+: qilmaydi
-: qiladi
-: juda ko`p talab qiladi
-: ko`p talab qiladi
I: ЭваС 2 узб
S: ……………….– axborotlarni qabul qilish, uzatish va qayta ishlashda yorug‘lik signallarni elektr signallarga va aksincha o‘zgartirish bilan bajariladigan elektron qurilmalar ishlab chiqish, yaratish va amaliy qo‘llash bilan shug‘ullanadi.
+: optoelektronika
-: nanoelektronika
-: mikroelektronika
-: akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo‘tkazgichli elementlarning elektr qarshiligi ……………………larda qo‘llaniladi.
+: fototrezistor
-: fotodiod
-: fototranzistor
-: fotovarikap
I: ЭваС 2 узб
S: Bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan fotoelektrik asbob ………..deb ataladi.
+: fotodiod
-: fotorezistor
-: fototranzistor
-: fototiristor
I: ЭваС 2 узб
S: …………….– bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan, elyektr energiyani nokogerent yorug‘lik nuriga o‘zgartuvchi yarimo‘tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir
+: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
-: fototranzistor
-: fotovarikap
I: ЭваС 2 узб
S: …………….- qattiq jismli yarimo‘tkazgichli fotoelektron asbob bo‘lib, uchta qatlamga ega
+: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotodiod
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: Fotoranzistor- qattiq jismli yarimo‘tkazgichli fotoelektron asbob bo‘lib, …… qatlamga ega
+: uchta
-: ikkita
-: beshta
-: to`rta
I: ЭваС 2 узб
S: Fotorezistorlar ….. turga bo‘linadi
+: ikkita
-: uchta
-: to`rtta
-: beshta
I: ЭваС 2 узб
S: Fotorezistorlar……… asoslangan bo`ladi
+: ichki va tashqi fotoeffektga
-: ichki va gibridli fotoeffektga
-: gibridli va tashqi fotoeffektga
-: gibridli va kombinasion fotoeffektga
I: ЭваС 2 узб
S: Nurlanuvchi diodlarning energetik xarakteristikasi sifatida …………….. dan foydalaniladi.
+: kvant chiqishi
-: kvant kirishi
-: energetik zona
-: nurdan
I: ЭваС 2 узб
S: Yapon Syudzi Nakamure 1993 yili ko‘k yorug‘lik diodini yaratdi. Bu kashfiyot qizil (Red), yashil (Green) va ko‘k (Blue) yorug‘lik diodlari yordamida ………… olish imkonini yaratdi.
+: ixtiyoriy rang (RGB)
-: qizil rang
-: yashil rang
-: sariq rang
I: ЭваС 2 узб
S: …….– soatlar, o‘lchov asboblari, maishiy texnika indikatorlarida 0 dan 9 gacha bo‘lgan sonlarni va ba’zi harflarni ko‘rsatib berish uchun mo‘ljallangan element.
+: yettisegmentli yorug‘lik diodili indikator
-: segmentli yorug‘lik diodili indikator
-: yorug‘lik diodili indikator
-: diodili indikator
I: ЭваС 2 узб
S: ………… fotodiod kabi yorug‘lik nuridan foydali va sifatli kuchlanish hosil qilishda ishlatiladi.
+: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotoqarshilik
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: ……………larning asosiy vazifasi – raqamli hamda analog signal uzatuvchi va qabul qiluvchilarni samarali galvanik ajratishdir.
+: optron
-: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: ………….raqamli va impuls qurilmalarda, analog signallarni uzatuvchi qurilmalarda, avtomatika tizimlarida yuqori voltli ta’minlash manbalarida kontaktsiz boshqarish va boshqalar uchun qo‘llaniladi.
+: optojuftliklar
-: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: fotorezistor - yarimo‘tkazgichli asbob (datchik) bo‘lib, yorug‘lik nuri ta’sirida ……………..o‘zgartiradi
+: o‘z ichki qarshiligini
-: tok kuchini
-: kuchlanishni
-: quvvatini
I: ЭваС 2 узб
S: ………….optik aloqa liniyalarida, indikasiya qurilmalarida, optoelektron juftliklarda va yaqin kelajakda elektr yoritgich asboblarni almashtirishda qo‘llaniladi.
+: nurlanuvchi diodlar
-: fotodiodlar
-: fototranzistor
-: optron
I: ЭваС 2 узб
S: …………. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallangan, differensial kuchaytirish prinsipiga asoslangan, kuchlanish bo’yicha katta kuchaytirish koeffisientiga ega bo’lgan integral o’zgarmas tok kuchaytirgichiga aytiladi.
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: …………. qo’shish, ayirish, ko’paytirish, bo’lish, integrallash, differensiallash, masshtablash kabi matematik amallarni bajarishga mo’ljallangan
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: …………. analog va raqamli qurilmalarda kuchaytirish, cheklash, ko’paytirish, chastotani filtrlash, generatsiyalash, signallarni barqarorlashda qo’llaniladi
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichlarga …………. teskari aloqa zanjirlari kiritiladi.
+: musbat va manfiy
-: n va p
-: sinxron va nosinxron
-: sinfaz va nosinfaz
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning inverslaydigan kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal ……ga siljidi
+: 1800
-: 900
-: 3600
-: 0
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning inverslamaydigan kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal …… fazada bo’ladi.
+: bir xil
-: har hil
-: musbat
-: manfiy
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: Inversiya amali ………….
+: y =
-: y =
-: y = x1+ x2
-: y = x1··x
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Diz’yunksiya amali ………….
+: y = x1+ x2
-: y =
-: y =
-: y = x1··x
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Kon’yunksiya amali ………….
+: y = x1··x
-: y =
-: y =
-: y = x1+ x2
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2HAM-EMAS” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+:
-: у = х1+ х2
-: y =
-:
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2YOKI-EMAS” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+:
-: у = х1+ х2
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: De-Morgan teoremasi
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: De-Morgan teoremasi
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Pirs elementi
+: 2YOKI-EMAS
-: 2HAM-EMAS
-: 2EMAS
-: 2ISTISNO
I: ЭваС 2 узб
S: Sheffer elementi
+: 2HAM-EMAS
-: 2YOKI-EMAS
-: 2 EMAS
-: 2 istisnoli “YOKI”
I: ЭваС 2 узб
S: Fotodiod ...... o‘zgartiradi
+: optik signalni elektr signalga
-: elektr signalni optik signalga
-: elektr signalni elektr signalga
-: issiqlik signalni elektr signalga
I: ЭваС 2 узб
S: Nurlanuvchi diod ......
+: elektr yoritgich asbob
-: fotoelektrik asbob
-: termoelektrik asbob
-: elektr o‘zgartiruvchi asbob
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi oddiy IS kichik deb ataladi
+: K<=1
-: 1-: 2-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC o‘rtacha deb ataladi
+: 1-: 2-: K<=1
-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC katta deb ataladi
+: 2-: 1-: K<=1
-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC o‘ta katta deb ataladi
+: K>3
-: 2-: 1-: K<=1
I: ЭваС 2 узб
S: MEning asosiy statik xarakteristikasi chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga boliqligi …………xarakteristikasi deb ataladi.
+: amplituda uzatish
-: amplituda chastota
-: amplituda faza
-: amplituda
I: ЭваС 2 узб
S: ………… boliqligi amplituda uzatish xarakteristikasi deb ataladi.
+: chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga
-: amplitudaning chastotaga
-: amplitudaning fazaga
-: chiqish kuchlanishining kirish tokiga
I: ЭваС 2 узб
S: ………… qurilmalar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: kombinatsion
-: ketma – ketli (tadrijiy)
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: Kombinatsion qurilmalar - ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, ………… mantiqiy qurilmalar
+: xotirasiz
-: xotirali
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: ………… qurilmalar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: ketma – ketli (tadrijiy)
-: kombinatsion
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: Ketma – ketli (tadrijiy) qurilmalar - kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan ………… mantiqiy qurilmalar
+: xotirali
-: xotirasiz
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: …………qo’llash yordamida tranzistor – tranzistorli mantiq elementining tezkorligi oshirilgan
+: Shottki diodli tranzistorlarini
-: Fotodiodli tranzistorlarini
-: Darlington tranzistorlarini
-: Shiklay tranzistorlarini
I: ЭваС 2 узб
S: ………… sxemasi asosida 2HAM-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin
+: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: MTli kalit
-: Shottki barerli kalit
-: BTli kalit
I: ЭваС 2 узб
S: Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
+: Ku=Uchiq/Ukir
-: Ki=Ichiq/Ikir
-: Ki=Uchiq/Ikir
-: Ku=Ichiq/Ukir
I: ЭваС 2 узб
S: Tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
+: Ki=Ichiq/Ikir
-: Ku=Uchiq/Ukir
-: Ki=Uchiq/Ikir
-: Ku=Ichiq/Ukir
I: ЭваС 2 узб
S: “2HAM” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+: у = х1·х2
-: у = х1+ х2
-: y=x
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2ЁКИ” амалини бажарувчи МЭ функцияси
+: у = х1+ х2
-: у = х1·х2
-: y=x
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Elektronikaning rivojlanishi
elektron asboblar texnologi
yasining takomillashuvi
bilan chambar-chars bog‘liq
bo‘lib, hozirgi kungacha …….
bosqichni bosib o‘tdi.
+: to'rt
-: uch
-: ikki
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: ……. bosqich asboblari:
rezistorlar, induktivlik
g‘altaklari, magnitlar,
kondensatorlar,
elektromexanik asboblar
(qayta ulagichlar, rele va
shunga o‘xshash) passiv
elementlardan iborat edi.
+: birinchi
-: ikkinchi
-: uchinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: …………….. bosqich Li de Forest
tomonidan 1906 yilda triod
lampasining ixtiro qilinishidan
boshlandi.
+: ikkinchi
-: birinchi
-: uchinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: …………… bosqich
Dj. Bardin, V. Bratteyn
va V. Shoklilar
tomonidan 1948 yilda
elektronikaning asosiy
aktiv elementi bo‘lgan
bipolyar tranzistorning
ixtiro etilishi bilan
boshlandi.
+: uchinchi
-: birinchi
-: ikkinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. bosqich integral
mikrosxemalar asosida
elektron qurilma hamda
tizimlar yaratish bilan
boshlandi va mikroelektronika
davri deb ataldi
+: to'rtinchi
-: birinchi
-: ikkinchi
-: uchinchi
I: ЭваС 2 узб
S: ...........– fizik, konstruktiv –
texnologik va sxemotexnik
usullardan foydalanib yangi
turdagi elektron asboblar –
integral mikrosxemalar va
ularning qo’llanish
prinsiplarini ishlab chiqish
yo’lida izlanishlar olib
borayotgan elektronikaning
bir yo’nalishidir
+: Mikroelektronika
-: Nanoelektronika
-: funksional elektronika
-: Akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: 1965 yildan buyon
mikroelektronikaning
rivoji ………. Qonuniga
muvofiq bormoqda,
ya’ni har ikki yilda
zamonaviy integral
mikrosxemalardagi
elementlar soni ikki
marta ortmoqda.
+: G. Mur
-: Dj. Bardin
-: V. Bratteyn
-: V. Shoklila
I: ЭваС 2 узб
S: …………. o‘lchamlari
0,1 dan 100 nm gacha
bo‘lgan yarimo‘tkazgich
tuzilmalar elektronikasi
bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi.
+: nanoelektronika
-: mikroelektronika
-: funksional elektronika
-: akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxemalarning, shu
jumladan mikroprosessorlar va xotira
mikrosxemalarining asosiy aktiv
elementi bo’lib kremniyli
………– tranzistorlar xizmat qiladi.
+: MDYA
-: BT
-: Shottki transistor
-: Shottki baryerli
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich …………. eng
yuqori chastotali tranzistorlar,
lazerlar, hamda inegral sxemalar
(chiplar) yaratishning asosi bo’ldi.
+: geterotuzilmalar
-: Gomotuzilmalar
-: Tuzilmalar
-: gomogen tuzilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: Optik aloqa tizimlari …….. ……….. optik modullarga ega
+: uzatuvchi va qabul qiluvchi
-: Uzatuvchi
-: qabul qiluvchitoplovchi
-: Toplovchi
I: ЭваС 2 узб
S: ……… optik modul elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi.
+: uzatuvchi
-: qabul qiluvchi
-: toplovchi
-: uzatuvchi va qabul qiluvchi
I: ЭваС 2 узб
S: …….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi
+: nulanuvchi diod
-: fotodiod
-: qabul qiluvchi diod
-: fotoqabulqilgich
I: ЭваС 2 узб
S: ……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi
+: nulanuvchi diod
-: fotodiod
-: qabul qiluvchi diod
-: fotoqabulqilgich
I: ЭваС 2 узб
S: …….. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi
+: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: nurlanuvchi manba
-: qabul qilgich
I: ЭваС 2 узб
S: ……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
+: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: nurlanuvchi manba
-: qabul qilgich
I: ЭваС 2 узб
S: …………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob.
+: Lazer
-: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: optron
I: ЭваС 2 узб
S: Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda ………….. rivojlanmoqda.
+: funksional elektronika
-: elektrovakumli elektronika
-: diskret elektronika
-: geliotexnika
I: ЭваС 2 узб
S: …………. asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi
+: magnitoelektron
-: kriogenelektron
-: optoelektron
-: akustikoelektron
I: ЭваС 2 узб
S: …………. deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga aytiladi.
+: element
-: sxema
-: tizim
-: shaxobcha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan ……… yo’li bilan ulanadi
+: metallash
-: oksidlash
-: ligirlash
-: diffuziyalash
I: ЭваС 2 узб
S: Integral mikrosxema ……… deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan integral mikrosxemaning bo’lagiga aytiladi.
+: komponenti
-: elementi
-: arxitekturasi
-: topologiyasi
I: ЭваС 2 узб
S: Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi.
+: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
-: pardali
-: gibridli
I: ЭваС 2 узб
S: Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi.
+: pardali
-: gibridli
-: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
I: ЭваС 2 узб
S: yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+: 1-2 mkm
-: 5-10 mkm
-: 10-15 mkm
-: 100-200 mkm
I: ЭваС 2 узб
S: qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+: 10 mkmdan yuqori
-: 8 mkmdan yuqori
-: 5 mkmdan yuqori
-: 1 mkmdan yuqori
I: ЭваС 2 узб
S: ……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
+: Gibrid
-: pardali
-: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
I: ЭваС 2 узб
S: Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar ………. integral mikrosxemalarga ajratiladi.
+: BT va MDYA
-: n va p
-: i va n
-: Shottki va Gan
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =1 bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
|
| |
