R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilga

R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan

• R–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1.3 – rasmda n– kanalli r–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan

Kanalning o‗tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi , bu yerda - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‗lmaganda kanal uzunligi Sl

• Kanalning o‗tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi , bu yerda - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‗lmaganda kanal uzunligi Sl
• bo‗ylab zatvor ostidagi kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir xil bo‗ladi. Berilgan qutblanishda zatvor va istok oralig‗iga tashqi kuchlanish berilsa UZI r–n o‗tish teskari yo‗nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi bo‗ylab kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi ortadi, lekin chiqish toki IS = 0 bo‗ladi, chunki USI=0 (5.2 a - rasm).

Xulosa:

• Xulosa:
• Xulosa o’rnida shuni aytish mumkinki, Bu mavzular elektronika, injiniring va kompyuter texnologiyalari sohasidagi muhim asboblar va texnologiyalarni o'rganishda va dasturlashda juda ahamiyatli. Bipolyar tranzistorlar, ko‘p qatlamli yarim o‘tkazgich asboblar, maydoniy tranzistorlar (MT), va integral mikrosxemalar texnologiyaviy rivojlanish va innovatsiyalarning muhim qismlarini tashkil etmoqda. Bu sohalardagi yangiliklar va rivojlanishlar, elektronika va kichik chipta asboblar sohasidagi mahsulotlarni yanada samarali va ko'p funksiyali qilishga olib kelmoqda.