|
1– laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Ishning maqsadi
|
| bet | 1/3 | | Sana | 11.03.2024 | | Hajmi | 456.42 Kb. | | #169958 |
Bog'liq 1-Lab (5) Dars tahlili tayyor, 5 mavzu, Astronomiyada uzunlik birliklari, Amaliy mashg`ulot 14 (1), 12. \'\'TA\'LIM TO‘G‘RISIDA\'\'GI QONUN HAQIDA MA\'LUMOT, kombinatorika elementlari, gestures in different cultures, 2.Namuna amaliyot topshiriq, 13-maktab Oripova Dilfuza Boshlang\'ich ustoz, Transformatorlardagi isroflar va FIK, Uch fazali transformatorlar cho‘lg‘amlarini ulanish sxemalari va, 15.05.203, 63c5982b34321 1 Харбий институт, file (2), tarmoq xavfsizligi 206 talik
1– LABORATORIYA IShI
IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish.
Ishning maqsadi: Berilgan printsipial sxemadan IMS strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish
Qisqacha ma’lumot: Integral mikrosxema (IMS) o’ta ixcham, o’ta pishiq, kichik tannarxga ega bo’lgan va kam quvvat iste’mol qiladigan radioelement yasash yo’lidagi urinishlar mahsulidir.
IMS elementi deb, konstruktsiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradio elementlari (ERE) funktsiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi.
IMS komponenti deb, diskret element funktsiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan IMSning bo’lagiga aytiladi.
Zamonaviy mikrosxemalar texnologik tayyorlash jarayoniga va bajarish funktsiyalariga qarab ikki turga bo’linadi: yarimo’tkazgichli (monolit) va qatlamli mikrosxemalarga.
Yarimo’tkazgichli integral sxema – bu komponentalari yarimo’tkazgich plastinkasining sirti qismida tayyorlanadigan yaxlit mikrosxemadan iborat.
1.1-rasm. IMS topologiya qirqimi va yarimo’tkazgichlar
ko’rinishidagi printsipial sxemasi
Aksariat hollarda integral sxema tayyorlashda kremniy kristali ishlatiladi.
Bu turdagi integral sxema (IS) aktiv (diodlar, tranzistorlar) va passiv (qarshiliklar, kondensatorlar, induktiv g’altaklar) komponentalardan tashkil topgan bo’ladi.
Qatlamli IS – komponentalari taglik sirtiga har xil qatlamlarni o’tqazish orqali tayyorlanadigan mikrosxema hisoblanadi.
Dielektrik taglik sifatida alyuminiy oksidi, shisha va keramikalar qo’llaniladi.
Qatlamli IS asosan passiv elementlar - qarshiliklar, kondensatorlar va induktiv g’altaklarni tashkil qiladi.
Ulardan asosan RC-filtrlar tuziladi.
Bulardan tashqari yana duragay IS mavjud bo’lib, bu mikrosxema ham dielektrik asosidagi passiv elementlar va diskret aktiv elementlarning bog’lanishidan tashkil topadi.
Odatda diskret aktiv elementlar ISlarda aktiv elementlar deb yuritiladi.
Bu elementlar asosan ixchamlashtirilgan qobiqsiz diod va tranzistorlardan tashkil topgan bo’ladi.
Aralash IS – bu mikrosxemaning aktiv elementlari yarimo’tkazgich materiali asosida tayyorlanib, yarimo’tkazgichli ISga o’xshash bo’ladi, passiv elementlari esa qatlamli mikrosxemalar kabi (qarshilik, kondensator, induktiv g’altak) tayyorlangan bo’ladi.
Ular umumiy taglikka izolyatsiyalangan holda joylashtiriladi.
Hozirgi paytda yarimo’tkazgich IMS larning ikki turi mavjud: biqutbiy IS va metall-oksid-yarimo’tkazgich (MDYa) integral sxemalar.
IMSlarning bir-biridan farqi, asosan, aktiv elementlarning ishlashi va ISlarning tayyorlash texnologiyasiga bog’liqdir.
Ikki qutbli IS asosini n-p-n yoki n-p-n turdagi ikki qutbli tranzistorlar, MDYa-turdagi ISlar asosini maydoniy tranzistorlar tashkil etadi.
Integral sxemani tayyorlash jarayonlarini asosan tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi tashkil qiladi, qolgan barcha elementlar ham qo’shimcha texnologik jarayonsiz, tranzistorni tayyorlash orqali yasaladi.
1.2-rasm. Integral tranzistorlar
1.3-rasm. Tipik biqutbiy integral tranzistor geometriyasi (a) va ko’ndalang kesimi (b). 1-emitter; 2-baza; 3-kollektor; 4-qatlam.
|
| |
