|
1-Mustaqil ish topshirdi: tershirdi: samarqand-2024 mavzu: kontakt hodisalari reja: Yarimo' tkazgichlarda
|
| bet | 2/5 | | Sana | 15.05.2024 | | Hajmi | 335,47 Kb. | | #235513 |
Bog'liq fizika ma\'ruzaYarimoʻtkazgichli asboblar — yarimoʻtkazgichlarda yuz beradigan elektron jarayonlar asosida ishlaydigan elektron asboblar. Elektronikada turli signallarni oʻzgartirishda, energetikada esa bir turdagi energiyani boshqa turdagi energiyaga aylantirishda qoʻllaniladi. Vazifasi, ishlash tarzi, materiali, tuzilishi va texnologiyasi, ishlatilish sohasiga qarab tasniflanadi: elektr kattaliklarini ikkinchi elektr kattaliklariga oʻzgartiradigan elektr oʻzgartirgich asboblar (diod, tranzistor, tiristor va boshqalar); yorugʻlik signallarini elektr signallariga va aksincha aylantiruvchi optoelektron asboblar (optron, fotorezistor, fotodiod, fototranzistor, fototiristor, yarimoʻtkazgichli lazer, yorugʻlik tarqatuvchi diod va boshqalar); issiqlik energiyasini elektr energiyasiga va, aksincha, aylantiruvchi termoelektr asboblar (termoelement, termoelektr generator, quyosh batareyasi, termistor va boshqalar); magnitoelektr asboblar; pyezoelektr va tenzometrik asboblar (asosiy sinf) va h. k. Integral sxemalar (elektr oʻzgartiruvchi va optoelektronli boʻlishi mumkin) ayrim sinfga kiradi. Yarimoʻtkazgichli asboblar yarimoʻtkazgich materialga qarab, germaniyli, kremniyli va h.k. boʻlishi mumkin. Tuzilishi va texnologik alomatiga koʻra, Yarimoʻtkazgichli asboblar nuqtali va yassi xillarga, ishlatilish sohasiga qarab, yuqori chastotali, yuqori voltli, impulsli va boshqalarga ajraladi.
Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy holatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich bir sohasi p–turdagi, ikkinchisi esa – n turdagi monokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n – sohalarning ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi va bu sohalar chegarasidagi ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o‘tish yoki p-n o‘tish deb ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalar ishlash prinsipining r-n o‘tish xossalariga asoslangan.
P-n o‘tish o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n – sohadagi elektronlar va p – sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori mavjud. Xona temperaturasida r – turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy ionlarining konsentratsiyasi Na kovaklar konsentratsiyasi rrga, n– turdagi yarim o‘tkazgichda donor musbat ionlarining konsentratsiyasi Nd elektronlar konsentratsiyasi nn ga teng bo‘ladi. Demak, p- va n – sohalar o‘rtasida elektronlar va kovaklar konsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar birlashtirilganda elektronlarning p – sohaga, kovaklarning esa n – sohaga diffuziyasi boshlanadi.
Diffuziya natijasida n– soha chegarasida elektronlar konsentratsiyasi musbat donor ionlari konsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida р- soha chegarasidagi kovaklar konsentratsiyasi kamayib boradi va u akseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydilar (6.1-rasm). Plyus va minusli aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi.
Hosil bo‘lgan ikki hajmiy zaryad qatlami r-n o‘tish deb ataladi. Bu qatlam harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‘allashtirilgan. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi р- va n – soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Ba’zi hollarda adabiyotlarda bu qatlam
|
| |
