|
Классификация по степени интеграции
|
bet | 6/6 | Sana | 20.05.2024 | Hajmi | 2,13 Mb. | | #245779 |
Bog'liq 10-maruzaКлассификация по степени интеграции:
Наименование ИС
|
Вид ИС
|
Технология изготовления
|
Число элементов и компонентов в корпусе N
|
Малая ИС (МИС)
|
Цифровая
Аналоговая
|
Биполярная, МДП
Биполярная
|
1…100
1…30
|
Средняя ИС (СИС)
|
Цифровая
Аналоговая
|
МДП
Биполярная
Биполярная, МДП
|
101…1000
101…500
31…100
|
БИС
|
Цифровая
Аналоговая
|
МДП
Биполярная
Биполярная, МДП
|
1001…10000
501…2000
101…300
|
СБИС
|
Цифровая
Аналоговая
|
МДП
Биполярная
Биполярная, МДП
|
>10000
>2000
>300
|
Степень интеграции К =|lgN|:
К=1 N<=10
K=2 N<=100
K=3 N<=1000
K=4 N<=10000
K=5 N<=100000
K=6 N<=1000000
Ожидается К=7
Nazorat savollari
1. Integral mikrosxema nima ?
2. IMSlarning asosiy xususiyatlari nimada ?
3. IMS elementi va komponenti deb nimaga aytiladi ?
4. Pardali, gibrid va yarimo’tkazgich IMSlar farqini tushuntiring.
5. Nima sababdan tranzistor tuzilmasi IMS turli elementlarini tayyorlash asosi bo’lib xizmat qiladi ?
6. IMS elementlari qanday qilib bir – biridan izolyatsiyalanadi ?
7. Planar va planar – epitaksial usullari bilan tayyorlangan tranzistorlar nimasi bilan bir – biridan farqlanadi ?
|
| |