|
13– laboratoriya ishi maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarni tadqiq etish Ishning maqsadi
|
| bet | 1/2 | | Sana | 08.06.2023 | | Hajmi | 45.91 Kb. | | #71055 |
Bog'liq MTA Majmua(2021), 1, 4-Karno kartadan foydalanib mantiqiy ifodalarni minimallash, Kalendar reja algoritm, Ishchi dastur(Dasturlash I) 24.11.2021, 1 -amaliyot, 4-Lab, Yurtimiz mustaqillikga erishishidan oldin milliy urf odat, 7-8-mavzuDT larni sertifikatlashtirish, Axborotlarni izlash va ajratib olish fanidan mustaqil ish Mavzu, Abdulla Oripov O\'zbekiston (qasida), 2 lab Yarashov Diyorbek, TATU NF Hemis axborot tizimi, Algo 1-299, prezentatsiya
13– LABORATORIYA ISHI
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarni
tadqiq etish
Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor (MT) larni kalit rejimida ishlash xossalarini o‘rganish. MTni yuklama rezistori sifatida qo‘llanilishini o‘rganish.
1. Qisqacha nazariy ma’lumotlar.
Bu ishni bajarishda stok toki zanjiridagi qarshilik qiymatining uzatish xarakteristikasi ko‘rinishiga ta’sirini o‘rganib chiqing. Egri (kvazi) chiziqli yuklama sifatida turli maydoniy tranzistorlar qo‘llanilganda uzatish xarakteristikalar turlicha bo‘lishiga ahamiyat bering.
Mantiqiy signallar sathlarini aniqlashda kalitning uzatish xarakteristikasi UChIQ=f(UKIR) dan foydalanilishiga e’tibor bering. (13.1- rasm)
13.1 – rasm. Elektron kalitning uzatish xarakteristikasi
Mantiqiy nol U0 hamda mantiqiy bir U1 sathlar uzatish xarakteristikasi va uning ko‘zguli aksi (punktir chiziq) kesishgan nuqtalardan aniqlanadi.
ΛU = U1 – U0 mantiqiy signallarning sathlar farqi deb ataladi.
2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi:
2.1. MT da yasalgan kalit uzatish xarakteristikasiga yuklama qarshiligining ta’sirini UChIQ=f(UKIR) tadqiq etish.
n- turdagi kanali induksiyalangan MDYa tranzistorda bajarilgan kalit sxemasi 13.2- rasmda keltirilgan. Sxema Ye2 = 9V manbadan ta’minlanadi. Kirish kuchlanishi UKIR rostlanuvchi Ye1 kuchlanish manbaidan beriladi. Chiqish kuchlanishi UChIQ va iste’mol qilinayotgan tokni o‘lchash uchun raqamli voltmetr va ampermetrlardan foydalaning. VT1 sifatida K176LP1 mikrosxemadagi n-kanalli tranzistorlarning birini oling. Ishlash qulay bo‘lishi uchun ilovada keltirilgan mikrosxema prinsipial sxemasini chizib oling va elektrodlari raqamlarini belgilab oling.
Tajribani quyidagi tartibda olib borish tavsiya etiladi:
n - MDYa tranzistorlarda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasini tadqiq etish;
13.2 – rasm. . n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi.
MDYa tranzistor stok zanjiriga chiziqli rezistor R=51 kOm ni ulang;
kuchlanish manbai qiymatini E2 =9 V qilib o‘rnating;
kirish kuchlanishini 0 ÷9V gacha o‘zgartirib borib, UChIQ = f(UKIR) va IIST=f(UKIR) bog‘liqligini o‘lchang;
qarshilikning R=10 kOm va 3,5 kOm qiymatlari uchun o‘lchashlarni takrorlang;
tajriba natijalaridan foydalanib UChIQ=f(UKIR) bog‘liqlik grafiklarini chizing.
Olingan natijalarni 13.1 – jadvalga kiriting.
13.1 – jadval
Ukir, V
|
0
|
0,5
|
1
|
1,5
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
Uchiq, V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iist, mA
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
