|
15-mavzu. Integral injeksion mantiq. Reja
|
| bet | 1/3 | | Sana | 26.06.2024 | | Hajmi | 198,51 Kb. | | #265748 |
Bog'liq 15-ma\'ruza EvaS2 24
15-mavzu. Integral injeksion mantiq.
Reja:
Integral-injeksionmantiq (IIM) haqidatushuncha.
IIM MEningishlashprinsipi.
. Integral-injeksionmantiq (IIM) haqidatushuncha.
IIM elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeM dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi.
Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va O‘KIS larni keng qo‘llashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari; ishonchlilik, halaqitbardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lcVAlari, narxi kamaymoqda va h.k.
KIS MElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDYa – texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral – injeksion mantiq (I2M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi.
I2M negiz elementi sxemasi 15.1-a rasmda keltirilgan. Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. I2M turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta’-minlaydi. Bunday tok bilan ta’minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda o‘zgartirib uning tezkorligini o‘zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA ÷ 1 mAgacha o‘zarishi mumkin, ya’ni VT1 tranzistor EO‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi), tok qiymatini 6 tartibga o‘zgartirish mumkin.
I2M IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi (15.1b-rasm), u o‘z navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko‘rsatilgan). n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning o‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bo‘lib hisoblanadi. Elementlarning bunday tayyorlanishi funksional integratsiya deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalarni izolyatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. I2M elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.
|
| |
