Axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarni rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali

Download 326,59 Kb.
Sana	27.05.2024
Hajmi	326,59 Kb.
	#254622

BAJARDI: KI-S 22-05_O’zb GURUX TALABASI

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI
AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARNI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
SAMARQAND FILIALI

ELEKTIRONIKA VA SXEMALAR 1 FANIDAN
2-Mustaqil ishi

BAJARDI: KI-S 22-05_O’zb GURUX TALABASI

Raxmanov Turdiali
QABUL QILDI: Jumanov.X

Mustaqil ishi 2

Mavzu: Integral injeksion mantiq
Reja:
1.intgral injeksion mantiq I ²M negiz elementi .
2.I ²M ME zanjiri.
3. MDY — va BTIar asosidagi invertorlarni taqqoslash.
4.Xulosa.
Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va 0’KIS larni keng qo‘llashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari ortmoqda: ishonchlilik, xalaqitbardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lcham- lari, narxi kamaymoqda va h.k. KIS MElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDY — texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshi- rish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan ВТ asosida integral-injeksion mantiq (I ²M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi.I2M negiz elementi sxemasi 1- a-rasmda keltirilgan. Element VT1(p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nech- ta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. I ²M turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbayi bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta’minlaydi.Bunday tok bilan ta’minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda o‘zgartirib uning tezkorligini o'zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA1 mA gacha o‘zgarishi mumkin, ya’ni VT1 tranzistor EO‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga o‘zgartirish mumkin.

1-rasm: I ²M negiz elementning prinsipial sxemasi (a), topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (c).

I ²M IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi (1, b-rasm), u o‘z navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko'rsatilgan). n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning o‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bo‘lib hisob- lanadi. Elementlaming bunday tayyorlanishi funksional integratsiya deyi ladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalami izolatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. I ²M elementi rezistorlardan xoli ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristalda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.
Elementning ishlash prinsipi. Ikkita ketma-ket ulangan IM elementlar zanjiri 2-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga berilgan kuchla nish U°KIR < U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistoming ikka la o‘tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan tok I ²M, qayta ula-nuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi. Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VJ21 tranzistoring to‘g‘ri siljitilgan p-n o‘tishi kuchlanishiga teng bo‘ladi, ya’ni U1 CHIQ = U'0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish UIkir > U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p2 sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor to‘yinish rejimiga o‘tadi. P2soha potensiali injektor potensialiga deyarli teng bo‘ladi. VT2 tranzistoming emitter-baza o‘tishi to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi va elektro- nlarning bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi. Kollek- torga kelayotgan elektronlar P2sohadan kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada kollektor potensiali pasayadi va baza potensiali- dan kichik bo‘ lib qoladi. VT2 tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi va element chiqishi- da to'yingan tranzistor kuchlanishiga teng bo‘lgan kichik sathli kuchla nish o‘rnatiladi. Real sharoitda u 0,1 0,2 V ga teng. Shunday qilib, I ²M negiz ME uchun quyidagi munosabatlar haqiqiydir: U° = 0,10,2 V; U1 = 0,60,7 V. Bundan I ²M negiz ME uchun mantiqiy o'tish UM0’ = 0,40,6 V ekanligi kelib chiqadi.

2-rasm: I ²M ME zanjiri.
IIM MEning ishlash prinsipi.
Elementning ishlash prinsipi. Ikkita ketma-ket ulangan I ²M elementlar zanjiri 11.1-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga berilgan kuchlanish U0KIR2M negiz elementning sxemasi (a), topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (v).
Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VT2 tranzistorining to‘g‘ri siljitilgan p-n o‘tishi kuchlanishiga teng bo‘ladi, ya’ni U1ChIQ = U* ≈ 0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish U1KIR>U* bo‘lsa, u holda, qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p2 sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor to‘yinish rejimiga o‘tadi. p2 soha potensiali injektor potensialiga deyarli teng bo‘ladi. VT2 tranzistorning emitter-baza o‘tishi to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi va elektronlarning bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi. Kollektorga kelayotgan elektronlar p2 sohadan kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada, kollektor potensiali pasayadi va baza potensialidan kichik bo‘lib qoladi. VT2 tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi va element chiqishida to‘yingan tranzistor kuchlanishiga teng bo‘lgan kichik sathli kuchlanish o‘rnatiladi. Real sharoitda u 0,1÷0,2 V gateng. Shunday qilib, I ²M negiz ME uchun quyidagi munosabatlar haqiqiydir: U0 = 0,1÷0,2 V; U1 = 0,6÷0,7 V. Bundan I2M negiz ME uchun mantiqiy o‘tish UMO‘ = 0,4÷0,6 V ekanligi kelib chiqadi.
11.1-rasmdagi sxemadan foydalanib 2VA-EMAS va 2YoKI-EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi Melarni tuzish mumkin. Masalan, 11.3-rasmda ikkita invertorni metall o‘tkazgichlar bilan tutashtirish yo‘li bilan 2YoKI-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin. Bu vaqtda ikkala invertor VT1tranzistorda hosil qilingan yagona ko‘p kollektorli (ikkikollektorli) injektordan ta’minlanadi. Keltirilgan sxemadan ko‘rinib turibdiki, chiqishlar kirishdagi o‘zgaruvchilarga nisbatan umumiy nuqtaga parallel ulansa YoKI-EMAS mantiqiy amal bajariladi. Chiqish signallariga nisbatan esa VA amali bajariladi. Shuni ta’kidlash kerakki, invertorlarning ikkinchi kollektorlari yordamida qo‘shimcha kirish signallarini inkor etish mantiqiy amalini ( ) bajarish mumkin, bu esa, o‘z navbatida ME imkoniyatlarini kengaytiradi.
I2M sxemalar tezkorligi injeksiya toki IIga kuchli bog‘liq bo‘lib, tok ortgan sari ortadi. Bu vaqtda AQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDj ni tashkil etadi. Element qayta ulanishining o‘rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1-2 tartibga kichik bo‘ladi. Mantiqiy o‘tish kichikligi tufayli I2M elementining halaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) bo‘ladi. Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va O‘KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil Islar sifatida qo‘llaniladi. 11.3-rasm. YoKI-EMAS amalini I2M mantiqiy elementlar asosida tashkil etish sxemasi.
Integral-injeksion mantiq (IIM) haqida tushuncha. IIM elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. I ²M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeMdan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi. Mikro elektron apparatlar rivoji KIS va O‘KISlarni keng qo‘llashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari; ishonchlilik, halaqit bardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lchamlari, narxi kamaymoqda va h.k. KISMElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDYa – texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral – injeksion mantiq (I2M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi. I2M negiz elementi sxemasi 11.1-a rasmda keltirilgan. Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar Btlardan tashkil topgan. VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi I ²M turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta’minlaydi. Bunday tok bilan ta’minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda o‘zgartirib uning tezkorligini o‘zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA ÷ 1 mA gacha o‘zarishi mumkin, ya’ni VT1 tranzistor EO‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi), tok qiymatini 6 tartibga o‘zgartirish mumkin. I ²M IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi (11.1b-rasm), u o‘z navbatida barcha invertor emitterlarini birlashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko‘rsatilgan). n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning o‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bo‘lib hisoblanadi. Elementlarning bunday tayyorlanishi funksional integratsiya deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalarni izolyatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. I ²M elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.

2-mustaqil ish masalasiga javob:

Конец формы

Download 326,59 Kb.