2-amaliy topshiriq
MAVZU
:
Integral mikrosxema (IMS), IMSlarning asosiy xususiyatlari, IMS
elementi va komponenti, pardali, gibrid va yarimo‘tkazgich IMSlar farqi, nima
sababdan tranzistor tuzilmasi IMS turli elementlarini tayyorlash
Reja
1. Integral mikrosxema (IMS) nima ?
2. IMSlarning asosiy xususiyatlari nimada ?
3. IMS elementi va komponenti deb nimaga aytiladi ?
4. Pardali, gibrid va yarimo‘tkazgich IMSlar farqini tushuntiring.
5. Nima sababdan tranzistor tuzilmasi IMS turli elementlarini
tayyorlash asosi
bo‘lib xizmat qiladi ?
Integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi
bo’lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar.
Integral mikrosxema (IMS)
elektr jihatdan o’zaro bog’langan elektr
radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar)
majmui bo’lib, yagona
texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida
yagona konstruktsiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funktsiyasini
bajaradi.
IMSlarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish
bilan
birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa
funktsiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret
elementlardamos keluvchi sxemani yig’ish talab qilinardi.
IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud:
konstruktiv
va
texnologik
.
Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki
sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan
bo’lib, yagona hisoblanadi. IMS elementlarining
hammasi yoki bir qismi va
elementlararo bog’lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli
integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarhga ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo’ladigan tuzilmaga ko’ra IMSlarning
uchta prinsipial turi mavjud:
yarim o’tkazgichli, pardali
va
gibrid
. Har bir IMS turi
konstruktsiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini
ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Element
deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor,
kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va
u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruktsiyada yasaladi.
IMS komponentasi
deb uning diskret element funktsiyasini bajaradigan,
lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo’lib
asos turi
hisoblanadi. Bu
belgiga ko’ra IMSlar ikki turga bo’linadi:
yarim o’tkazgichli
va
dielektrik
.
Asos sifatida yarim o’tkazgichlimateriallar orasida kremniy va galliy
arsenidi keng qo’llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir
qismi yarim o’tkazgichli monokristall plastina ko’rinishida asos ichida joylashadi.
Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi.
Yarim
o’tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta
integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda
cheklangan bo’lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik
asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi,
ularning
xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari
tanlovining kengligi.
Pardali va Gibrid mikrosxemalar
Pardali IS
– bu dielektrik asos sirtiga surtilgan
elementlari parda
ko’rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda
turli materiallardan
yupqa paradalar ko’rinishida cho’kmalar hosil qilish yo’li bilan olinadi.
Parda hosil qilish usuli va unga bog’liq bo’lgan qalinligiga ko’ra
yupqa
pardali IS
(parda qalinligi 1 – 2 mkm gacha) va
qalin pardali IS
(parda qalinligi 10
– 20 mkm gacha va katta) larga bo’linadi.
Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu
sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va h.k.)
dan tashkil topadi.
Gibrid IS (yoki GIS)
– bu pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv
elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan
mikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz yoki
mikro miniatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid IMSlar uchun aktiv
elementlar bo’lib hisoblanadilar.
Gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi:
nisbatan qisqa ishlab
chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish
imkoniyati: keng nomenal turaga ega bo’lgan passiv elementlar hosil qilish
imkoniyati; MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli
mikrosxemalar chiqishi.
Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratildi. IMSlarning hajmi ixcham, og‘irligi
kam,
energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori bo‘lib, hozirgi kunda uch
konstruktiv texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali,
yarimo‘tkazgichli va gibrid.
Past temperaturali keramika texnologiyasi
