nanoelektronikaga aylandi.Hozirgi vaqtda 45 nmli
texnologik jarayon keng
tarqalgan.Bu jarayon optik litografiyaga asoslanishini aytib o‘tamiz.
Mikroelektron qurilmalar (IMSlar) yaratishning ananaviy, planar jarayon
kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga
kelib
qolishi mumkin, bunda qurilmalar o‘lchamlarini kamaytirish va ularni
tuzilish murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponentsial oshishi
kuzatiladi. Muammoni nanotexnologiyalar usullarini qo‘llagan
holda yangi sifat
darajasida yechishga to‘g‘ri keladi. MDYA tranzistorlarda zatvorosti dielektrigi
ananaviy ra-vishda SiO
2
ishlatiladi, 45nm o‘lchamli texnologiyaga o‘tilganda
dielektrik qalinligi 1nmdan kichik bo‘ladi. Bunda zatvor
osti orqali sizilish toki
ortadi.Kristalning 1sm
2
yuzasida energiya ajralish 1kVtga yetadi. Yupqa dielektrik
orqali tok oqish muammosi SiO
2
ni dielektrik singdiruvchanlik koeffitsienti ε katta
boshqa dielektriklarga, masalan ε ~20÷25 bo‘lgan gafniy yoki tsirkoniy oksidlariga
almashtirish yo‘li bilan xal etiladi.
Kelgusida tranzistor kanali uzunligi 5 nmgacha kamaytirilganda,
tranzistordagi kvant hodisalar uning xarakteristikalariga katta ta’sir ko‘rsata
boshlaydi
va xususan, stok – istok orasidagi tunnellashuv toki 1 sm
2
yuzada
ajraladigan energiyani 1 kVt ga yetkazadi.Planar texnologiyaning zamonaviy
protsessorlar, xotira qurilmalari va boshqa raqamli IMSlar hosil qilishdagi
yutuqlari o‘lchamlari 90nm, 45nm va hatto 28nmni tashkil etuvchi IMSlar ishchi
elementlarini hosil qilish imkonini yaratganligi bugungi kunda ko‘pchilik
tadqiqotchilar tomonidan nanotexnologiyalarning qo‘llanilish natijasidek
qaralmoqdaligini aytib o‘tamiz. Bu mavjud ISO/TK 229 nuqtai nazaridan to‘g‘ri.
Lekin planar jarayon bi-rinchi IMSlar paydo bo‘lishi bilan, o‘tgan asrning 60-
yillarida hech qanday nanotexnologiyalar mavjud bo‘lmagan vaqtda paydo bo‘ldi
va shundan beri printsipial o‘zgargani yo‘q.
1999-yildan boshlab fazoviy koordinatalarning biri bo‘ylab
tranzistorning
o‘lchami bir necha o‘n nmga (1 nm=10
-9
m) kamaydi, ya’ni mikroelektronika
o‘rniga nanoelektronika keldi. Ta’riflar-ning bittasiga muvofiq
