• Kontakt solishtirma qarshiligidagi harorat va legirlash kengligi
  • 3-Ma`ruza Omik kontakt hosil qilish. Materialning solishtirma qarshiligiga bog‘liqligi




    Download 0.54 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet1/3
    Sana26.01.2024
    Hajmi0.54 Mb.
    #146385
      1   2   3
    Bog'liq
    3-ma`ruza
    Инф МАиР, JAHON-AXBOROTRESURSLARI, bino va inshootlarni barpo etish texnologiyasi 1-qism


    3-Ma`ruza 
    1.Omik kontakt hosil qilish. Materialning solishtirma qarshiligiga 
    bog‘liqligi. 
    1.1.Quyosh elementini tayyorlash va xossalarini o‘rganishda omik kontaktlash. 
    Quyosh elementi qurilmasida omik kontaktdan muhim hisoblanadi. Lekin uni 
    tekshirishiga hozircha uncha e’tibor berilmayapti.
    Quyosh elementlarida kontaktlar qarshiligini, quvvati kiritilgan quvvatning 1% 
    yo‘qotiladi. Bu esa kontakt kuchlanishini 6Mβ tushishiga olib keladi. Elementni 
    ishlashda bir martalik quyosh yorug‘lig‘ida to‘la kontakti
    2
    2
    ,
    0
    sm
    Om
    c



    va turli kontaktda ρ
    c

    0,01·Om*sm
    2 
    omik kontakt zaryad tashish 
    uchun o‘zida zahiraga ega, kerak paytda dielektrik yoki yarim o‘tkazgichga kirishi 
    uchun solishtirma qarshilik kuchlanish nolga bo‘lganda quyidagicha munosabatda 
    bo‘ladi:
    O
    V
    dj
    dV
    o
    s



    )
    /
    (

    1-a va b rasmda potensial barer (to‘siq) Φ
    б 
    –balandligi Ф
    м
    va X
    s
    qiymati bilan 
    aniqlanganda metall va yarim o‘tkazgich asosida omik kontakt hosil qilishdagi elektr 
    soha ko‘rsatilgan. Agar yarim o‘tkazgich o‘tkazuvchanligi n-tipli Ф
    м
    X
    s
    dan kichik 
    bo‘lsa omik kontakt past bo‘ladi. P
    s·O
    . Bunday kontaktda P
    s·O 
    ahamyati yarim 
    o‘tkazgichda tushuvchilarning konsentratsiyasiga, xarakteri metallda sochilishiga 
    bor yerga olib keluvchi yarim o‘tkazgich oblastiga, tashuvchilarning bo‘linish 
    chegarasidagi mexanik kvanti qaytargichga bog‘liq.


    Kontakt solishtirma qarshiligidagi harorat va legirlash kengligi 
    Zaryad 
    tashuvchilar 
    ko‘chirish mexanizmi 

    kirishma 
    konsentratsiya
    si (sm
    -3

    P
    so
    (N) 
    P
    so
    (T) 
    Termoelektron 
    emissiya 
    10
    -15

    yu 
    ta’sir 
    qilmaydi 
    T
    -1
    exp(qob
    b
    /kt) 
    Biror 
    balandlikning 
    kamayishida 
    Termoelektron 
    emissiya 
    10
    -15
    ÷10
    19 
    Exp(-BN
    1/4

    T
    -1
    exp(qob
    b
    /kt) 
    Maydon 
    termo 
    elektron emissiya 
    10
    17
    ÷10
    19
    Exp(-BN
    12
    )
    Qiyin 
    bog‘liqlikka 
    ega 
    Maydon 
    emissiyasi 
    (tunellash) 
    10
    19
    Exp(-B
    11
    / N
    1/2
    )
    T
    -1
    exp(qob
    b
    /kt) 
    Har qanday omik kontakt Ndn T dan bog‘liq. 
    Qatlam sirtida yuqori konsentratli kirishma olsih uchun legirlashning quyidagi 
    usullari qo‘llaniladi. 
    1. 
    Qattiq ionli manba yoki bug‘ fazasida yuqori haroratda diffuziya. 
    2. 
    Material kontakt diffuziya (metall yoki eritma) Masalan: P-lnp da Au-
    zn-Au strukturali 
    stinok
    3. 
    Legirlanayotgan 
    kirishmani 
    ionli 
    implatatsiyasi, 
    kelgusida 
    qorishmadagi (kirishmadagi) elektro aktiv va nuqsonlarni yo‘qotishda qayta ishlash. 
    4. 
    n
    +
    -yoki p
    +
    -qatlamlar 
    epitaksil
    aylantirish (quyosh element qatlami bug‘ 
    fazasi yoki suyuqlik fazasi epitaksilyasini kimyoviy usulda o‘tqazish). 
    5. 
    Yarim o‘tkazgich va kristal kontaktida metall oqishi. 

    Download 0.54 Mb.
      1   2   3




    Download 0.54 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    3-Ma`ruza Omik kontakt hosil qilish. Materialning solishtirma qarshiligiga bog‘liqligi

    Download 0.54 Mb.
    Pdf ko'rish