DIP(ing. D ual I n-liniya P ackage) - mikrosxemaning uzun tomonlarida ikkita qator pinli quti. Ilgari va ehtimol hozir ham DIP to'plami ko'p pinli mikrosxemalar uchun eng mashhur paket edi. Bu shunday ko'rinadi:
3.5-rasm. Ikkita qator pinli mikrosxemaning tuzilishi.
Sodda barqaror tok generatori sxemasi
Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma barqaror tok generatori (BTG) deb ataladi. Yuklamadan oqayotgan tokning qiymati kuchlanish manbai, zanjir parametrlari va temperatura o‘zgarishlariga bog‘liq bo‘lmaydi.
3.6-rasm. Ideal BTG VAXi.
BTGning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish toki qiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladi.
O‘zgarmas tok qiymatini faqat cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo‘lgan ideal tok manbai ta’minlashi mumkin. Ideal tokmanbai VAXi gorizontal AV to‘g‘ri chiziqdan iborat (3.6-rasm). UB sxemada ulangan Btning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo‘ladi. Demak, UB sxemada ulangan tranzistor amalda tok generatori vazifasini bajarishi mumkin. Lekin temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda ikkita yoki undan ko‘p tranzistor ishlatiladi.
Eng sodda BTG sxemasi 3.7-rasmda ko‘rsatilgan. Sxemada I1 tok zanjiriga to‘g‘ri siljitilgan diod ulanishli, tayanch tranzistor deb ataluvchi VT1 tranzistor ulangan. U juda kichik qarshilikka ega. Shuning uchun VT1 kuchlanish generatori va zifasini o‘taydi. URYu boshqariluvchi zanjir bilan ketma-ket ulangan VT2 tranzistorning emitter-baza o‘tishini kuchlanish bilan ta’minlaydi.
VT2 tranzistor emitter-baza kuchlanishi bilan boshqarilgani munosabati bilan uning xususiyatlari UB sxemaning xususiyatlariga mos keladi. Ma’lumki, UB ulangan sxemada aktiv rejimda kollektor toki kollektordagi kuchlanishga deyarli bog‘liq bo‘lmaydi (3.7-rasm). Shuning uchun ixtiyoriy RYudan o‘tayotgan tok I2 tayanch kuchlanish UEB2 bilan aniqlanadi. I2 = I1 ekanligini amalda ko‘rsatamiz.
3.7-rasm.Sodda BTG sxemasi.
IE1 va IE2 toklar yuqori aniqlikda
(3.1)
Ifoda bilan approksimatsiyalanadi, bu yerda, I0– teskari siljitilgan EO‘ning to‘yinish toki. Tranzistorlarning IE0 va φT parametrlari aynan bir xil bo‘lgani uchun UBE1= UBE2 shartdan
. (3.2)
3.7-rasmdan
, .
(3.2)ni e’tiborga olgan holda
(3.3)
yozish mumkin.
|
