|
3-Mavzu: Bipolyar va amydoniy tranzistorlar. Ko’p qatalmli yarim o’tkazgich asboblar. Reja
|
| bet | 4/5 | | Sana | 29.11.2023 | | Hajmi | 20,24 Kb. | | #107614 |
Bog'liq 3-Mavzu Bipolyar va amydoniy tranzistorlar. Ko’p qatalmli yarim-fayllar.orgMTning asosiy parametrlari:
Xarakteristika tigkligi
USI = const bo‘lgandagi ;
Ichki (differensial) qarshilik
UZI = const bo‘lgandagi ;
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti
IS = const bo‘lgandagi .
Kichik signal parametrlari o‘zaro ifoda bilan bog‘langan.
a) b) v)
3.7 – rasm.
MTda elektrodlar uchta bo‘lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy istok (UI), umumiy stok (US) va umumiy zatvor (UZ). Bunda MT elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o‘zgaruvchan tok (signal) bo‘yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. Asosiy ulanish sxemasi bo‘lib UI ulanish xizmat qiladi.
r – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYA – tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi doim o‘tkazgichli sohadan dielektrik qatlami yordamida izolyasiyalangan. SHu sababli MDYA – tranzistorlar zatvori izolyasiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYA – tranzistorlar (metall – oksid - yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
MDYA – tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta’sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. YArim o‘tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
R – kanali induksiyalangan MDYA - tranzistor tuzilmasi 15.3. a –rasmda va uning shartli belgisi 15.3. b- rasmda keltirilgan.
3.8 – rasm.
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan chiqish – I, stokdan chiqish – S, zatvordan chiqish – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan chiqish.
Stok va istoklarning r+ - sohalari n – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita r – n o‘tish hosil qilganligi sababli, USI kuchlanishining biror qutblanishida bu o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki IS deyarli nolga teng bo‘ladi.
3.9 – rasm.
Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutblikdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO2 dielektrik qatlami orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag‘allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma’lum qiymati U0 ga etganda, yuqori qatlamda elektr o‘tkazuvchanlik kovak o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog‘lovchi r- turdagi kanal shakllanadi. bo‘lganda yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki IS ortadi. 15.4 – rasmda n – kanali induksiyalangan MDYA - tranzistorning stok – zatvor va chiqish (stok) xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma’lum kuchlanish berilganda ning ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli ko‘rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va etarlicha katta qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga intiladi. Tok ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‘liq.
|
| |
