• Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar.
  • Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar




    Download 179,5 Kb.
    bet2/7
    Sana19.02.2024
    Hajmi179,5 Kb.
    #158923
    1   2   3   4   5   6   7
    Bog'liq
    6-ma’ruza. Elektron kalit sxemalari. Bipolyar tranzistorlar asos (1)
    ROBOTO TEXNIKA, O’rnatilgan tizimlar fanidn 1-mustaqil ish-kompy.info, 46233 UMK, 1-ma’ruza Kompyuter tizimlari fanining tarixi va rivojlanish te-fayllar.org, 3-qism Jinoyat huquqi M.X Rustambayev 3 TOM, IJTIMOIY TARMOQLARDA AXBOROT XURUJLARI VA TAHDIDLARI, ecaf26fb-8c08-4965-ab77-d8e10a34254a, F.Mo’minov, . Ochiq axborot tizimlarida axborot-psixologik xavfsizlik., 5110900-Pedagogika va psixologiya, 1. Avtomatlashtirish tushunchasi va uning ta`rifi; Avtomatlashtr, 3-AMALIY MASHG\'ULOT QO\'SHIMCHA, 2-Ma\'ruza taqdimotI, 1-AMALIY MASHG\'ULOT qushimcha, 1urinMIKROPROTSESSOR грифли 100 та укув кулланма, Metrologiya fan dasturi
    9.4. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar

    Kalit elementi sifatida odatda kanali induktsiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar qo’llaniladi, chunki ularda UZI nolga teng bo’lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi (tranzistor berk).


    Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o’tkazuvchanlik turiga ega bo’lgan kanaldan tashkil topgan bo’lishi mumkin. Aktiv tranzistor zatvoriga yuqori potentsialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-100 mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga oshiriladi.
    Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. 9.3 – rasmda n – kanali induktsiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi keltirilgan.



    9.3 – rasm.


    VT0 tranzistor nochiziqli yuklama vazifasini bajaradi. Ketma – ket ulangan tranzistorlar asosi qobiqda qisqa tutashuv bajariladi, zatvor va yuklamadagi tranzistor stoki manba bilan tutashtirilgan. EM = 3UBO’S tanlanadi, bu erda UBO’S – tranzistor ochiladigan kuchlanish. Demak, yuqoridagi tranzistor doim ochiq holatda bo’lib to’yinish rejimida bo’ladi va invertor tokini cheklash uchun xizmat qiladi (dinamik yuklama). VT0 stok toki kattaligi quyidagi formula bilan aniqlanadi




    (9.7) .

    Agar kalit kirishi X ga U0KIRUBO’S kuchlanish berilsa (mantiqiy nol), VT1 tranzistor berk bo’ladi, kalit orqali 10-9-10-10 A tok oqib o’tadi, chiqishdagi kuchlanish esa bo’lib kuchlanish manbai qiymatiga yaqin bo’ladi: UChIQEM (mantiqiy bir).


    Agar kalit kirishi X ga U0KIR UBO’S kuchlanish berilsa, u holda VT1 tranzistor ochiladi va to’yinish rejimiga o’tadi, bu vaqtda stok toki IS1 (9.7) ifoda orqali aniqlanadi, faqat USI0=EM deb olinadi.


    (9.8) .

    VT1 tranzistorning to’yinish rejimidagi kanal qarshiligi


    .


    IS1 tokni kanal qarshiligi R ga ko’paytirib, chiqish kuchlanishini olamiz
    (9.9) .

    Amaliyotda U1KIREM (9.9) dan ko’rinib turibdiki, kichik chiqish kuchlanishi qiymatini UChIQ ta’minlash uchun V0V1 nisbat bajarilishi kerak. V kattaligi kanal kengligini uning uzunligiga nisbati bilan aniqlanadi (Z/L).


    Bu kalit kichik tezkorlikka ega, chunki chiqish impulsining fronti tranzistor parametrlari bilan emas, balki chiqish sig’imi zaryadini nochiziqli yuklama tranzistoridan chiqishi bilan aniqlanadi, bu qarshilik qiymati esa yuzlab kOmlarga etadi.

    Download 179,5 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7




    Download 179,5 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar

    Download 179,5 Kb.