Mavzu: Integral mikrosxemalar.
Reja:
1.Integral
mikrosxema
(IMS)larning turlari va
elementlari.
2.Planar
epitaksial
texnologiya.
3.MDYA-tranzistorlar
asosidagi IMSlar.
4.Raqamli sxemalarning
tasniflanishi.
Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va
elementlari. Bugungi kunda alohida mikrosxemalar
birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmoqda. Bunday
mikrosxemalarga
integral
mikrosxemalar
(IMS)
deyiladi. Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratilgan bo’lib
uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik,
ishonchliligi yuqori hisoblanadi.
1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G.
Mur
qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki
yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki
marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 10
6
÷10
9
ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) va giga yuqori
(GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda.
IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud:
konstruktiv va texnologik.
Konstruktiv belgisi- IMSning barcha elementlari
asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr
jihatdan
birlashtirilgan
va
yagona
qobiqqa
joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi.
Texnologik belgisi-IMS elementlarining hammasi
yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona
texnologik siklda bajariladi.
Shu sababli integral
mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik
tannarxga ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan
tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi
mavjud:
yarim o‘tkazgichli, pardali va
gibrid.
Har
bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema
tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini
ifodalovchi
integratsiya
darajasi
bilan
xarakterlanadi.
Element
deb
biror
elektroradioelement
(tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar)
funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi
va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada
yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element
funksiyasini
bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil
mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga
aytiladi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib
asos turi hisoblanadi:
-
yarim o‘tkazgichli;
-
dielektrik.
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida Si va
GaAs keng qo‘llaniladi.
IMSning barcha elementlari
yoki elementlarning bir
qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida
asos ichida joylashadi.
