|
Azərbaycan hava yollari” qapali səhmdar cəMİYYƏTİ MİLLİ aviASİya akademiyasi fakültə
|
| bet | 2/3 | | Sana | 17.03.2023 | | Hajmi | 283.5 Kb. | | #45897 |
Bog'liq 5.sah tranzistoru 1. fazal sisteml r haqq nda mumi m lumatİnduksiya olunmuş kanallı sahə tranzistoru əvvəlkindən onunla fərqlənir ki, burada stok və istok arasında kanal mövcud deyil. Zatvorda gərginlik olmadıqda stok və istok arasında gərginliyin polyralığından asılı olmayaraq cərəyan axmır, çünki p-n- keçidlərdən biri həmişə əksinə qoşulur. Əgər zatvora istoka nəzərən müsbət gərginlik verilərsə, yaranmış eninə lektrik sahəsinin təsiri altında elktronlar stok və istko oblastlarından zatvor oblastının səthində toplaşacaq. Zatvora verilmiş gərginliyin müəyyən bir qiymətindən sonra zatvor oblastında toplaşan elektronların konsentrasiyası buradakı deşiklərin konsentrasiyasından çox olacaq və burada elektrik keçiriciliyin inversiyası baş verəcək, yəni nazik n-tip kanal formalaşacaq. Beləliklə istok-stok dövrəsində cərəyan yaranacaq. Zatvordakı gərginliyn artması ilə kanalın müqaviməti azalır və istok-stok dövrəsindəki cərəyan artır. Şək.5.3- də induksiya olunmuş n- kanallı və induksiya olunmuş p- kanallı sahə tranzistorlarının şərti işarəsi göstrilmişdir.
Şək.5.3.
Sahə tranzistorlarını müxtəlif gücləndirici və çevirici açar sxemlərində, həmçinin, bipolyar tranzistor əsasında qurulmuş çoxkaskadlı sxemlərdə razılaşdırıcı elementlər kimi tətbiq edirlər. Eyni zamanda, azküylü gücləndiricilərin giriş kaskadlarında (onların məxsusi küylərinin səviyyəsi 0,5 ... 1 dB) da tətbiq olunur. Sahə tranzistorlarındakı açar sxemləri bipolyar tranzistorlardakından sadə və qənaətcildir.
Sahə tranzistorlarının üstün cəhətləri onların böyük temperatur stabilliyinə, sabit cərəyana görə böyük giriş müqavimətinə (idarəolunan p-n keçidli tranzistor üçün 106 – 109 Om, izolə edilmiş idarəedici elektrodlu tranzistor üçün 109 – 1015 Om) və yüksək texnoloji imkanlara malik olmasındadır. Sahə tranzistorları 1,5 QHs və daha yüksək tezliklərdə işləyə bilir. Küylərin səviyyəsi digər yarımkeçirici cihazlara nisbətən azdır.
5.2. Unipolyar tranzistorların qoşulma scemləri
Bipolyar tranzistorlarda olduğu kimi sahə tranzistorlarının da üç tip qoşulma sxemi möcuddur (şək.5.4): Üİ, ÜS və ÜZ. Qoşulma sxemi üç elektroddan hansının həm çıxış şəm giriş üçün ümumi olduğundan asılıdır. ÜZ sxem bipolyar tranzistorların ÜB sxeminə anaolojidir və cərəyan üzrə güclənmə vermir. Belə sxem praktikada az istifadə olunur. ÜS sxem həm də istok təkrarlayıcısı adlandırılır və bipolyar tranzistorlarda emitter təkrərlayıcısı sxemi ilə analojidir. Belə sxemin gərginlik üzrə ötürmə əmsalı vahidə yaxındır. Giriş müqaviməti kiçik, çıxış müqaviməti isə kiçikdir.
Şək.5.4.
|
| |
