2.2. Tranzistorning asosiy xarakteristikasi
Tranzistorning chikish xarakteristikasida Iэ = 0. ga mos kelgan xarakteristika K kalit ochik bulgan holni ifodalaydi. Harakteristikadan kurinadiki kollektor - bazaga quyilgan manfiy kuchlanish qiymati ortishi bilan tokning sezilarli darajada ortishi kuzatilmaydi. Buni tushuntirish uchun tranzistorning potentsial diagrammasi bilan tanishib chikaylik. Unda tranzistorning zaryadlarga kambagallashgan soxalari ham ko‘rsatilgan. Emitter va kollektor soxalarida zaryadlangan zarrachalar kontsentratsiyasi katta bulganligidan kambagal soxa asosan baza katlamida bulib, ikki soxa orasidagi masofa ya’ni bazaning effektiv kalinligi baza kalinligidan kichik bo‘ladi. Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi kollektor o‘tishidagi kambagal katlamning kengayishiga olib keladi. Natijada bazaning effektiv kalinligi kamayadi. Bu xodisa baza kalinligining modulyatsiyasi deb ataladi.
Emitter toki fakat kovaklar xarakati tufayli hosil bulmasdan elektronlar xarakati bilan ham boglik. Kollektorda esa tok fakat kovaklar xarakati tufayli vujudga keladi. Shu sababli emitterning samadorligi
=Iэр / Iэр+ Iэн
orqali aniklanadi. Bu yerda Iэр - kovaklar xarakati tufayli hosil bulgan emitter toki; Iэн -. elektronlar xarakati tufayli hosil bulgan emitter toki.
Emitterning bazaga injektsiyalangan (purkalgan) bir kism kovaklar bazadan asosiy zaryad tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalanadi. Baza orqali o‘tib boruvchi kovaklar, baza uchun asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zarrachalar xisoblanadi. Kuyidagi = Iк- IКБТ./ Iэр nisbat bilan aniklanadigan kattalik baza orqali utuvchi asosiy bo‘lmagan zaryad tushuvchilarni utkazish koefftsenti deb yuritiladi.Emitterning samaradorligi va utkazish koeffitsiyenti tranzistor katta signal bilan ishlagandagi tok uzatish koefftsenti.h21Б. ni belgilaydi.
Bu koeffitsent h21Б= = - da teng. Kollektorga kirib keluvchi tok yo‘nalishi musbat yo‘nalishi musbat yunalish deb qabul qilinganligidan «minus» ishora quyiladi. h21B koeffitsiyenti tranzistorning muxim parametrlaridan biri xisoblanib sifatli tayorlangan tranzistorlarda birga yakin bo‘ladi. Tranzistorni zanjirga ulash umumiy bazali(UB) sxema deb yuritiladi. Bu sxema buyicha ЕЭБ va ЕКБ manbaalarning ulanish usuliga kura tratzistorlar turli rejimda ishlashi mumkin.
Shulardan tranzistor aktiv rejimda ishlaganda undan utuvchi tokni boshkarish samarali bo‘ladi.
2.3. Tranzistorlar elektr zanjirga ulanishi sxemasi
Umuman olganda tranzistorlar zanjirga uch xil usulda ulanishi mumkin. Е1 va Е2. batariyalar hosil kilinadigan tok zanjirida emitter xar ikkalasi uchun umumiydir. Shu sababli bunday ulash umumiy emitterli sxema deb yuritiladi. Xuddi shunday umumiy kollektorli sxemalarni ham tuzish mumkin. Tranzistorlardan signallarni kuchaytirish, impulsli sxemalar tuzish va x larda foydalanish mumkin. Shu sababli tranzistorlarlarga signal ta’sir ettirilganda uning parametirlari qanday o‘zga rishga aloxida ahamiyat beriladi.
Tranzistorlarga kichik signal ta’sir ettirilganda uni chiziqli aktiv nosimmetrik turt kutbli deb qarash mumkin. Kichik signal ta’sir ettirish deyilganda signal amplitudasi 1,5 barabor orttirilganda tranzistor parametrlari 10 % dan ko‘p ga ortmaydigan hol kuzda tutiladi. Shunda turt kutbli parametrlarni xisoblash usulini kullash mumkin. Odatda tranzistorlarning h parametrlarini UB va UE sxemalari uchun xisoblanadi. Bu sxemalar yordamida topilgan parametrlar o‘zaro quyidagicha boglangan. ;
h11б h11э / 1+h21э 2б h12б h11э h22э / 1+ h21э
h21б h21э / 1+h21э ; h22б h22э / 1+ h21э
Shularning eng ko‘p ishlatiladigan UB sxemada h12б = - = Iк / Iэ Uкб соnst
va UEsxema uchun h21э = - = Iк / Iб Uкэ соnst
Bulib ular o‘zaro quyidagicha boglangan = / 1-
Tranzistordan utuvchi toklarni kuchlanishga boglikligi statik volt - amper xarakteristikalari orqali ifodalanadi. Ular kirish va chikish xarakteristikalariga ajratiladi. Kirish xarakteristikasi deyilganda chikish zanjirining kuchlanishi o‘zgarmas saklangan holda, kirish zanjiridagi tokning kirish kuchlanishiga bogliklik grafigi tushuniladi.
Tranzistordan kuchaytirgich sifatida foydalanilganda umumiy emitterli sxemada signalni kuchlanish buyicha 10-200 marta kuchaytirish mumkin. Shu sabali UE sxema boshkalariga nisbatan ko‘proq qullaniladi. Lekin UE sxemada qarshiligi 500-1000 Om, chiqish qarshiligi 2-20 kOM atrofida bo‘ladi.
Kirish qarshiligi kichik bulganida boshqa kurilmalarga moslash davrida qiyinchiliklar tugiladi. UK sxemada kuchlanish buyicha kuchaytirish UE niki bilan bir xil. UB sxemada tok buyicha kuchaytirish bir atrofida kuchlanish buyicha kuchaytirish UE niki kabi bo‘ladi. Kirish qarshiligi bu sxemada juda kichik 10-200 Om atrofida bulganligidan ko‘pincha elektr signallarini generatsiyalash va shunga uxshash qurilmalarda ishlatiladi.
XULOSA
Bipolyar tranzistor (BJT) statik xarakteristikasi uning elektr o'zgarishlarga qanday javob berishini va qanday ishlashini tushunishda muhim rol o'ynaydi. Tranzistorning statik xarakteristikasi – bu uning kiritilgan kuchlanish va oqimlar o'rtasidagi bog'lanishni tavsiflaydi. Bipolyar tranzistorning statik xarakteristikasi uning elektr ishlashini tushunishda va dasturiy-ilovalar uchun optimal sozlamalarni aniqlashda muhimdir. Bu xarakteristika tranzistorning to'g'ri ishlashini ta'minlash va uning parametrlari asosida elektr sxemalarini loyihalash uchun zarur bo'lgan ma'lumotlarni beradi. Tranzistorning statik xarakteristikasi bilan tanishish uning ishlashini yanada yaxshi tushunishga yordam beradi va uning samaradorligini oshirishga imkon beradi.
|
