|
Academic Research in Educational SciencesBog'liq elektron-zanjirlar-va-mikrosxemotexnika-qurilmalarining-asoslari 5 маъруза, 17-Ameliy jumis , Comparison and calibration of measuring instruments - lecture 2 (3), Elektr o\'lchash asboblarini rostlash va ta\'mirlash (P.Ismatullayev va b.) (1), POSSIBLITIES OF USING SMART TECHNOLOGIES IN TEACHING ROBOTICS 1, SIES 1006, O\'lchash usullari va vositalari. MamajonovA.A. Sattorov M.O., Elektronika (X.Aripov, A.Abdullayev va b.), elktronika asoslari..., O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi p, ELEKTROTEXNIKA VA ELEKTRONIKA Ўқув қўлланма.Mahmudov, 1-mavzu elektr zanjirlari va ularni elementlari, Labaratoriya-2, Labaratoriya-4Academic Research in Educational Sciences
Volume 3 | Issue 10 | 2022
ISSN: 2181-1385
Cite-Factor: 0,89 | SIS: 1,12 | SJIF: 5,7 | UIF: 6,1
18
October, 2022
https://t.me/ares_uz Multidisciplinary Scientific Journal
va K ko‗rsatilgan bo‗lib, ular diodning elektrodlari deb ataladi. Diodning p
- tomoniga ulangan elektrod anod deb, n - tomoniga ulangani esa - katod
deb ataladi. Diodning statik VAXi 2 - rasmda keltirilgan.
Yarimo‗tkazgich diodning to‗g‗ri va teskari yo‗nalishlaridagi
qarshiliklari bir - biridan keskin farq qiladi: to‗g‗ri yo‗nalishda siljitilgan
diodning qarshiligi qiymati kichik, teskari siljitilgan diodniki esa - katta
bo‗ladi. Shu sababdan diod bir tomonga elektr tokini yaxshi o‗tkazadi,
ikkinchi tomonga esa - yomon o‗tkazadi.
Stabilitron - yarim o‗tkazgichli diod bo‗lib , uning ishlash prinsipi p-
n o‗tishga teskari kuchlanish berilganda elektr teshilish sohasida tokning
keskin ortishi kuchlanishning uncha katta bo‗lmagan o‗zgarishiga olib
kelishiga asoslangan. Stabilitronning shartli belgisi
2.b –rasmda
keltirilgan.
Stabilitron sxemalarda
kuchlanishni
barqarorlash uchun ishlatiladi.
Stabilitronning asosiy parametri bo‗lib, tokning I
S T. min
dan I
S T. max
gacha keng o‗zgarish oralig‗ida barqarorlash kuchlanishi U
S T
hisoblanadi
(2a- rasm).
Stabilitron VAX sidagi ishchi soha elektr teshilish sohasida
joylashadi.
Barqarorlash
kuchlanishi
diod
bazasidagi
kiritma
konsentratsiyasi bilan aniqlanadigan p-n o‗tishga bog‗liq. Agar yuqori
konsentratsiyaga ega bo‗lgan yarim o‗tkazgich qo‗llanilsa, u holda p-n
o‗tish tor bo‗ladi va tunnel teshilish kuzatiladi. U
S T
ishchi kuchlanishi 3-4
V dan oshmaydi.
Yuqori voltli stabilitronlar keng p-n o‗tishga ega bo‗lishi kerak,
shuning uchun ular kuchsiz legirlangan kremniy asosida yasaladilar.
Ularda ko‗chkisimon teshilish sodir bo‗ladi, barqarorlash
kuchlanishi esa 7 V dan ortmaydi. U
S T
3 dan 7 V gacha
bo‗lgan oraliqda teshilishning ikkala mexanizmi ishlaydi.
|
| |
