|
Elektronika fan va texnika sohasi bo'lib, axborot uzatish, qabul
|
| Sana | 05.11.2022 | | Hajmi | 25.52 Kb. | | #29174 |
Bog'liq Elektronika fan va texnika sohasi bo\'lib, axborot uzatish, qabul KIBER HAVSIZLIK XXXXX, Mustaqil ish mavzulari, Test tuzish, Elektronika va sxemalar 1 test (3), “Elektronika va sxemalar” Muqadamxon 690 21 2, ZIYNATXON Elektronika va sxemalar mustaqil ish 691-21, Elektronika va sxemalar 2 I. Nabiyev, “Elektronika va sxemalar” Ma\'rufjonov Maqsudjon 691 21 2, chiqimchekout.php, 1666978698, Маълумотнома, ЎзР да GxP концециясининг жорий этилиш ҳолати
Elektronika — fan va texnika sohasi bo'lib, axborot uzatish, qabul
qilish, qayta ishlash va saqlash uchun ishlatiladigan elektron qurilmalar
hamda asboblar yaratish usullarini o‘rganish, ishlab chiqish bilan
shug'ullanadi. Elektronika elektromagnit maydon nazariyasi, kvant
mexanikasi, qattiq jism tuzilishi nazariyasi va elektr o'tkazuvchanlik hodisalari
kabi fizikbiiimlargaasoslanadi. Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar
texnologiyasining takomillashuvi bilan chambarchas bog'liq bo‘lib, hozirgi
kungacha to‘rt bosqichni bosib o‘tdi.
Birinchi bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g'altaklari, magnitlar,
kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga
o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi.
Ikkinchi bosqich Li de Forest tomoniaan 1906-yilda triod lampasining
ixtiro qilinishidan boshlandi. Triod elektr signallami o'zgartiruvchi va eng
muhimi, quvvat kuchaytiruvchi birinchi aktiv elektron asbob boidi. Elektron
lampalar yordamida kuchsiz signallami kuchaytirish imkoniyati hisobiga
radio, telefon so‘zlashuvlarni, keyinchalik esa, tasvirlarni ham uzoq
masofalarga uzatish imkoniyati (televideniye) paydo bo‘ldi. Bu davrning
elektron asboblari passiv elementlar bilan birga aktiv elementlar — elektron
lampalardan iborat edi.
Uchinchi bosqich Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan
1948-yilda elektronikaning asosiy aktiv elementi bo'lgan bipolyar
tranzistorning ixtiro etilishi bilan boshlandi. Bu ixtiroga Nobel mukofoti
berildi. Tranzistor elektron lampaning barcha vazifalarini bajarishi bilan
birga uning: past ishonchlilik, ko‘p energiya sarflash, katta o ‘lchamlari
kabi asosiy kamchiliklaridan xoli edi.
Tolrtinchi bosqich integral mikrosxemalar (IMS) asosida elektron
qurilma hamda tizimlar yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri
deb ataldi.
Mikroelektronika — fizik, konstruktiv-texnologik va sxemotexnik
usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar - IMSlar va ularning
qo'llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo‘lida izlanishlar olib borayotgan
elektronikaning bir yo‘nalishidir.
Hozirgi kunda telekommunikatsiya va axborotlashtirish tizimining
rivojlanish darajasi tom ma’noda mikroelektronika va nanoelektronika
mahsulotlarining ularda qo'llanilish darajasiga bog‘liq. Birinchi IMSlar 1958-yilda yaratildi. IMSlaming hajmi ixcham, og‘irligi
kam, energiya sarii kichik, ishonchliligi yuqori bo'lib, hozirgi kunda uch
konstruktiv-texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali,
yarimo'tkazgichli va gibrid.
1965-yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Murqonuniga muvofiq
bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki
marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 104-10° ta bo'lgan o'ta
yuqori (O'YU IS) va giga yuqori (GYU IS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda.
Mikroelektronikaning qariyb yarim asrlik rivojlanish davri mobaynida
IMSlarning keng nomenklaturasi ishlab chiqildi. Telekommunikatsiya va
axborot-kommunikatsiya tizimlarini loyihalovchi va ekspluatatsiya qiluvchi
mutaxassislar uchun zamonaviy mikroelektron element bazaning
imkoniyatlari haqidagi bilimlarga ega bo'lish muhim.
Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli,
hozirgi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan birqatorda elektronikaning
yangi yo'nalishi — nanoelektronika jadal rivojlanmoqda.
Nanoelektronika o'lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo'lgan
yarimo'tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo'lib, mikroelektronikaning
mikrominiatyurlash yo'lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U qattiq jism
fizikasi, kvant elektronikasi, fizikaviy-kimyo va yarimo'tkazgichlar
elektronikasining so'nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning
bir qismini tashkil etadi.
So'nggi yillarda nanoelektronikada muhim amaliy natijalarga erishildi,
ya’ni zamonaviy telekommunikatsiya va axborot tizimlarning negiz
elementlarini tashkil etuvchi: geterotuzilmalar asosida yuqori samaradorlikka
ega lazerlar va nurlanuvchi diodlar yaratildi; fotoqabulqilgichlar, o'ta yuqori
chastotali tranzistorlar, birelektronli tranzistorlar, turli xil sensorlar hamda
boshqalar yaratildi. Nanoelektron O'YIS va GYIS mikroprotsessorlarni
ishlab chiqarish yo'lga qo'yildi.
Shvetsiya Qirolligi fanlar akademiyasi ilmiy ishlarida tezkor tranzistorlar,
lazerlar, integral mikrosxemalar (chiplar) va boshqalami ishlab chiqish bilan
zamonaviy axborot kommunikatsiya texnologiyalariga asos solgan olimlar:
J.I. Alferov, G. Kremer, Dj.S. Kilbini Nobel mukofoti bilan taqdirladi.
Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda funksional
elektronika rivojlanmoqda. Elektronikaning bu yo'nalishi an’anaviy
elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar)dan voz
kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, akustik va
h.k.)lardan foydalanish bilan bog'liq. Funksional elektronika asboblariga
akustoelektron, magnitoelektron, kriogen asboblar va boshqalar kiradi.
Xususiy yarimo‘tkazgichda zaryad tashuvchining yashash vaqti
kristalning xususiyatlari va kristall panjarada nuqsonlar hamda
rekombinatsiya markazlarini hosil qiluvchi kiritmalar mavjudligi bilan
belgilanadi. Shuning uchun zaryad tashuvchilaming o ‘rtacha yashash
vaqti qiymati keng oraliqda o ‘zgaradi (germaniyda 10СН-10СЮ mks,
kremniyda 50^-500 mks).
Tashqi energetik ta ’sirlar natijasida yarimo'tkazgichdagi EZTlar
konsentratsiyasi muvozanat holdagi konsentratsiyaga nisbatan ortib
ketishi mumkin. T a’sirlar to ‘xtatilgandan so‘ng nomuvozanat zaryad
tashuvchilar rekombinatsiyalanadilar va konsentratsiya ilgarigi
muvozanat holatiga qaytadi.
Nomuvozanat zaryad tashuvchilar paydo boiishi quyidagi sabablar
bilan bog‘liq:
— yarimo'tkazgichningyoritilishi. Yorugiik kvantlari elektronlarni
valent zonadan o'tkazuvchanlik zonaga o ‘tkazishi mumkin. Bunda
yarimo‘tkazgichda yangi foto elektron-kovak juftliklari hosil bo‘ladi;
— zarbdan ionlanish. Elektron yoki kovak kuchli elektr maydon
ta ’sirida tezlashib katta energiyaga ega bo‘ladi va neytral atom bilan
to‘qnashib uni ionlashtiradi, yangi elektron-kovak juftliklarni hosil
qiladi;
— injeksiya. Masalan, elektr toki o'tganda n — yarimo'tkazgichga
p — yarimo‘tkazgichdan nomuvozanat zaryad tashuvchilar kirib kelib
noasosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini oshiradi.
Nomuvozanat zaryad tashuvchilar rekombinatsiya tezligini
aniqlashga harakat qilamiz.
Termodinamik muvozanat holatda (r=const) birlik hajmdagi
generatsiya tezligi p j T p rekombinatsiya tezligiga teng bo‘ladi, bu
yerda тр — n yarimo‘tkazgichda kovaklarning yashash vaqti. Muvozanat
buzilganda rekombinatsiya tezligi p !тр (p>pn) ga teng bo ‘ladi.
Natijada n — yarimo‘tkazgichning birlik hajmida, vaqt birligida p n / r p
kovaklar generatsiyalanib р/тр kovaklar rekombinatsiyaga uchraydi.
Kovaklar konsentratsiyasining o'zgarish tezligi
Funksional elektronika
Yarimo‘tkazgich IM Slar analog mikroelektron apparatlar hisoblash
texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini tashkil etadi.
M ikroelektronika rivojining asosiy tendensiyasi integrasiya darajasini
M ur qonuniga muvofiq orttirishdan iborat. Integratsiya darajasini
oshirishning b itta y o ‘li tran zisto r tuzilm alarning o ‘lcham larini
kichiklashtirishdan iborat. Bunda bipolyar IMSlar komponentalari bir-
biridan va yarim o‘tkazgich asosdan qo‘shimcha konstruktiv elem entlar
yordam ida elektr jih atd an izolatsiyalanadi. K om ponentlar ichki
ulanishlarni metallash yo‘li bilan funksional sxemaga birlashtiriladi,
chunki ulanayotgan sohalar turli elektr o ‘tkazuvchanlikka (elektron
yoki kovakli) ega. Sxema elementlari o‘lchamlarining kichiklashishi
(diod, tranzistor, rezistorlar) sxema zichligini oshiradi va, natijada,
signal o ‘tish vaqtini, ya’ni qurilmalar tezkorligini oshiradi. Integrasiya
darajasining oshishi bilan kristalning o‘zaro ulanishlar bilan band pogon
sig'imga ega ulushi ortadi. Aloqa liniyasi pogon sig‘imga ega bo‘lsin.
Agar aloqa liniyasi uzunligi I bo'lsa, va u orqali t sekund davomida
amplitudasi U b o ‘lgan impuls uzatilsa, har bir impuls bilan liniyaga
P = (CIU2)/1 q u w at kiritiladi. Impuls quw atini oshirib m antiq
elem en t qayta u lan ish tezligini o shirishi m um kin. Sxem aga
kiritilayotgan impuls quw at oshirilishi bilan unda ko‘proq ajralayotgan
issiqlikni olib ketish ham kerak. Shuning uchun zamonaviy sxemotexnik
elektronika qurilm alarida axborotlarni qayta ishlash tezligi sekundiga
10 9-^-1010 o p e ra ts iy a d a n o shm aydi. B unday x a ra k te ristik a la r
axborotlarning katta massivlariga real vaqt masshtabida ishlov berishga
imkoniyat bermaydi (obrazlarni aniqlash, konstruksiyalarni sintez qilish,
bilimlar bazasini boshqarish, sun’iy intellekt yaratish va h.k.).
Elektronika rivojining tezkorlikni oshirishga yo‘naltirilgan alternativ
yo‘llaridan biri a n ’anaviy elem entlardan chetlashishdan va katta
massivga ega axborotlarga ishlov berishda axborot tashuvchi sifatida
qattiq jismdagi dinamik bir jinslimasliklardan foydalanishdan iborat.
Bu bir jinslimasliklar dinamik deb atalishiga sabab shundaki, ular
turli fizik hodisalar yordamida hosil bo‘ladi, siljishi, shaklini, holatini
o'zgartirishi, boshqa bir jinslimasliklar bilan ta ’sirlashishi mumkin.
IM Slarda kom ponentli tuzilishdan chetlashish va dinam ik bir
jinslikm aslilardan foydalanishga asoslangan yo'nalish “funksional
elektronika” nomini oldi. Funksional elektronika (FE) rivojlanishining
b o s h la n g ‘ich b o sq ic h id a tu rib d i. F E n in g k o ‘p q u rilm a la ri
mikroelektronikaning raqamli qurilmalari bilan ishlashga moslashgan.
Ular birinchi navbatda yuqori tezkorlik va 105-H 0 7 bit sig‘imga ega
xotira qurilmalaridir.
Funksional elektronikaning eng istiqbolli ba’zi asboblari ishlash
prinsiplarini ko‘rib chiqamiz.
Zaryad aloqali asbob (ZAA) (13.17-rasm) yupqa dielektrik qatlam
D bilan qoplangan va yuzasiga 12 ta boshqaruvchi metall elektrodlar
tizimi joylashtirilgan yarimo‘tkazgich kristaldan (masalan, p — turli)
iborat. Shunday qilib, 12 ta MDY — tizim hosil qilinadi. Tizimlar soni
N elementlar orasidagi masofaga, yozuvchi impuls davomiyligiga bogiiq
bo‘ladi va N = 200 ga yetishi mumkin. Har bir elektrod kengligi 10-H2
mkm ni, ular orasidagi masofa esa 2h-4 mkm ni tashkil etishi mumkin.
M DY — tuzilm adagi fizik jarayonlar 11.6-paragrafda ko ‘rib
chiqilgan edi. Barcha elektrodlarga bo‘sag‘aviy kuchlanish Ug berilganda
dielektrik bilan yarim o‘tkazgich orasida kambag‘allashgan soha hosil
bo‘ladi, bu soha potensial chuqur deb ataladi. Alohida elektroddagi
kuchlanish qiym ati axborotni saqlash kuchlanishi USAQ > U() gacha
o ‘zgartirilganda, ushbu elektrod ostidagi kam bag‘allashgan soha
yarimo'tkazgichning boshqa yuzalariga qaraganda “chuqurroq” bo‘ladi.
Potensial chuqurda elektronlarni (paketini) to ‘plash mumkin. Demak,
M DY - tuzilm a m a’lum vaqtgacha potensial chuqurdagi zaryadga
mos axborotni eslab qoluvchi element sifatida xizmat qilishi mumkin.
Elektron paket dinamik bir jinslikmaslikni tashkil etadi. Elektron paketni
saqlash jarayonida m a’lum elektrod (zatvor) ostida termogeneratsiya
hisobiga qo‘shim cha elektronlar hosil bo‘lishi mumkin. Agar zaryad
o‘zgarishining ruxsat etilgan qiymati 1 % ni tashkil etsa, axborotni
saqlash vaqti esa bir necha sekunddan oshmaydi. Shuning uchun
ZAA dinamik turdagi asbobdir. Birlamchi to ‘plangan va m a’lum aniq
potensial chuqur bilan bog'liq zaryadlar, yarim o‘tkazgich sirti bo‘ylab
potensial chuqur siljitilgan holda ko‘chirilishi mumkin. Buning uchun
zatvorlardagi kuchlanishlar aniq ketma-ketlikda o'zgartirilishi mumkin.
Zaryadni m a’lum yo‘nalishda ko‘chirish uchun har bir elektrod
uch fazali boshqarish tizimining Fp F„ F? takt shinalaridan biriga
ulanadi. Dem ak, ZAAning bir elementi uchta M DY — tuzilmali
yacheykadan iborat bo‘ladi. Agar ZAA qo‘shni elektrodlariga berilgan
kuchlanishlar qiymat jihatdan bir-biridan farq qilsa, qo‘shni potensial
chuqurlar orasida elektr m aydon hosil b o ‘ladi. U shbu m aydon
yo‘nalishi shundayki, elektronlar kattaroq potensialga ega sohaga dreyf
harakat qiladi, y a’ni “ sayozroq” potensial ch u q u rd an nisbatan
“chuqurroq”qa ko‘chadi.
Agar zaryad birinchi elektrod ostida to ‘plangan b o ‘lsa-yu, uni
ikkinchi elektrod ostiga siljitish zarur bo‘lsa, unga kattaroq kuchlanish
beriladi, bunda zaryad yuqoriroq kuchlanishli elektrod ostiga ko‘chadi.
Keyingi taktda yuqoriroq kuchlanish navbatdagi elektrodga beriladi
va zaryad unga ko‘chadi. Zaryad ko‘chirishning uch taktli tizimida
1,4,7,10 va shunga o ‘xshash elektrodlar Ft shinaga, 2,5,8,11 elektrodlar
F2 shinaga, 3,6,9,12 va shunga o‘xshash elektrodlar esa 7 , shinaga
ulanadi.
Z ary ad larn in g elek tro d lararo sirkulatsiyasi b a rc h a ZA A lar
qo‘llanishlarning asosi hisoblanadi. Zaryadlarni ko'chirish imkoniyati
ZAAlar asosida siljituvchi registrlar va xotira qurilm alar yaratish
imkonini beradi. Registr deb ikkilik kod asosida berilgan ko‘p razryadli
axborotni yozish, saqlash yoki siljitish uchun qo‘llaniladigan qurilmaga
aytiladi.
Signalning zaryad paketlarini bir necha usullar bilan, masalan,
p - n o'tishdan zaryad tashuvchilarni m etall elektrodlar ostiga
injeksiyalash, MDY — turdagi tuzilmada yuza bo‘ylab ko‘chkisimon
teshilish yoki metall elektrodlar orasidagi aniq joylar orqali yorugMik
kiritib elektron-kovak juftliklarni generatsiyalash bilan hosil qilish
mumkin.
Nom uvozanat zaryad hosil qilish va uni p — n+ o ‘tishlardan
foydalangan holda ZAAdan chiqarish usuli 13.17-rasmda ko'rsatilgan.
Elektronlar paketini birinchi zatvor ostiga kiritish uchun n+— p
o ‘tishga to ‘g‘ri siljitish beriladi. Paket zaryadi qiymati kirish signali
amplitudasi ortishi bilan p — n o‘tish VAXiga muvofiq eksponensial
qonun bilan ortadi va uning uzluksizligiga bog‘liq bo‘ladi. Signal
kiritishning ushbu usuli afzalligi — bir necha nanosekundni tashkil
etuvchi tezkor ishlashidan iborat. Chiqishdagi n+— p o ‘tishga teskari
siljitish berilgani uchun 11 zatvordan 12 zatvorga o ‘tuvchi elektronlar
elektr maydon ta’siriga uchraydi va chiqish zanjirida tok impulsi hosil
qiladi.
ZAAning ikkita: axborot zaryadini saqlash va uzatish rejimlari
mavjud. Ushbu turdagi ZAAlar uchun axborotni saqlashning maksimal
vaqti 100 msek-ИО sek ni tashkil etadi. Takomillashgan (yashirin kanalli
va ikki fazali boshqaruvga ega ZAAlarda hamda kremniy oksidiga
purkalgan kremniy nitridi Si3N4 li dielektrik qatlamli M NOYa —
tuzilmalarda) yozib olingan axborotni saqlash vaqti bir necha o ‘n
ming soatlarni tashkil etadi. ZAAlarda yaratilgan xotira qurilmalar
raqamli texnikada qo‘llaniladi va katta (8ч-16 Kbit) sig‘imga ega.
Foto qabul qiluvchi ZAAlar. Zaryadli paket nafaqat injeksiya yo'li
bilan balki sirtni lokal yoritish yo‘li bilan ham hosil qilinishi mumkin.
Bu holda zaryad aloqali fotosezgir asbob (ZAFA) hosil boMadi.
Yoritilganda mos zatvor ostida yoritilganlik F ga proporsional zaryad
hosil bo‘ladi. Natijada zatvorlar ostidagi zaryadlar majmui tasvirni
xarakterlaydi. Elektrodlar chiziq (satr) yoki matrisa shaklida joylashadi.
Elektrodlarga xos oMchamlar: uzunligi 5 mkm, kengligi 40 mkm.
Elektrodlar orasidagi masofa 1ч-2 mkm. Matrisa ko‘rinishidagi ZAFAda
elektrodlar soni Ю* dan katta bo‘lishi mumkin. Shuning uchun ZAA
katta integral sxemadek qaralishi mumkin.
Uch fazali boshqarish amalga oshirilganda ZAFAning elem entar
yacheykasi (piksel) bitta satrning uchta qo‘shni elektrodiga 1,2,3 (4,5,6
va h.k.) ega boMishi shart. Bunda yacheykaning har bir elektrodi
uchta boshqa-boshqa takt shinalari (fazalari) Fr F2, Z7, ga (13.17-
rasm dagidek) ulanadi. Birinchi takt davom ida 2 (5,8,11 sh .o ‘.)
elektrodga musbat saqlash kuchlanishi USAQ > U0 (10-^20 V) beriladi.
Natijada ushbu elektrod ostida kambag‘allashgan soha hosil bo‘ladi.
Bu soha elektronlar uchun potensial chuqurni hosil qiladi. Sirt
yoritilganda elektron-kovak juftliklar soni lokal yoritilganlik va yoritish
vaqti bilan belgilanadi. Bunda elektronlar potensial chuqurlikda yig‘ilib,
zaryadli paketni hosil qiladi. Paket yetarli vaqt (1-h 100 ms) saqlanishi
mumkin.
Ikkinchi takt davomida 3 elektrodga o ‘qish kuchlanishi U0.Q beriladi.
0 ‘qish kuchlanishi qiym ati saqlash kuchlanishidan katta b o ‘ladi.
Natijada elektronlar 3 elektrod ostidagi chuqurroq potensial chuqurlikka
dreyf siljiydi.
Uchinchi takt davomida 3 elektroddagi kuchlanish qiymati saqlash
kuchlanishi qiymatigacha kamayadi, 2 elektroddan esa potensial olinadi.
Saqlash yoki o ‘qish kuchlanishi berilmagan elektrodlarga ham m a vaqt
katta boMmagan siljituvchi kuchlanish berib qo‘yiladi. Shu bilan
zaryadli paketlar harakatining bir tom onlam a bo'lishiga erishiladi.
Har bir satr oxirida 3.17-rasmdagidek chiquvchi elem ent mavjud.
n+— p o ‘tish orqali chiquvchi zaryad paketlar R yuklama rezistorida
videoimpulslar ketma-ketligini ta'minlaydi. Videoimpulslar amplitudasi
turli sohalar yoritilganligiga proporsional boMadi. Matrisasifat ZAFAda
butun kadr bir vaqtning o ‘zida hosil bo‘ladi, chiziqlida esa — ketma-
ket ikkinchi koordinata bo‘yicha qo‘shimcha yoyish bilan hosil qilinadi.
Bunday tasvir signallarni hosil qiluvchilardan foydalanish kichik
o‘lchamli, kam energiya sarflovchi yarimo'tkazgich uzatuvchi televizion
kameralar, jum ladan, rangli televideniye uchun ham yaratish imkonini
beradi. Piksellarning maksimal formati pikselning minimal o ‘lchami
3-^5 mkmni tashkil etganda 4080x4080 mkmni tashkil etadi. Chastota
30 kadr/sek bo‘lganda iste’mol etilayotgan quw at 0,03-^0,1 m Vt/
pikselni tashkil etadi.
ADABIYOTLAR
1. И.С. Андреев, Х.К. Арипов, Ж.Т. Махсудов, Ш.Б. Рахматов.
Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы
и тиристоры. Част 1: Учебное пособие. — Т.: ТЭИС, 1994. 164 с.
2. И.С. Андреев, Х.К. Арипов, Ж.Т. Махсудов, Ш.Б. Рахматов.
Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы
и тиристоры. Част 2: Учебное пособие. — Т.: ТЭИС, 1994. 98 с.
3. Х.К. Арипов, Н.Б. Алимова, З.Е. Агабекова, Ж .Т Махсудов.
Аналоговая и интегральная схемотехника. Т.: ТЭИС, 2000. 90 с.
4. N. Yunusov, I.S. Andreyev, A.M. Abdullayev, Х.К. Aripov, Y.O.
Inog‘omova. Elektronika bo'yicha asosiy tushuncha va atamalarning
o'zbekcha-ruscha-inglizcha izohli lug'ati. — Т.: TEA1, 1998. — 160 b.
5. И.П. Степаненко. Основы микроэлектроники: Учебное пособие.
М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. 488 с.
|
| |
