• FANIDAN MUSTAQIL ISHI
  • Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti farg‘ona filiali




    Download 362.65 Kb.
    Pdf ko'rish
    bet1/5
    Sana01.06.2023
    Hajmi362.65 Kb.
    #68635
      1   2   3   4   5
    Bog'liq
    ZIYNATXON Elektronika va sxemalar mustaqil ish 691-21
    Elektronika fan va texnika sohasi bo\'lib, axborot uzatish, qabul, KIBER HAVSIZLIK XXXXX, Mustaqil ish mavzulari, Test tuzish, Elektronika va sxemalar 1 test (3), “Elektronika va sxemalar” Muqadamxon 690 21 2, Elektronika va sxemalar 2 I. Nabiyev, “Elektronika va sxemalar” Ma\'rufjonov Maqsudjon 691 21 2, chiqimchekout.php, 1666978698, Маълумотнома, ЎзР да GxP концециясининг жорий этилиш ҳолати


     
     
     
     
    MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI 
    TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI 
    UNIVERSITETI FARG‘ONA FILIALI 
    “KOMPYUTER INJINIRING” FAKULTETI 
    691-21 GURUH TALABASI 
     
    ODILJONOVA ZIYNATXON
     
    “Elektronika va sxemalar 2” 
    FANIDAN 
     
    MUSTAQIL 
    ISHI 
     
     


    Mavzu: Maydoniy tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va 
    parametrlari, ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi 
     
    Reja: 
    1.Tranzistorlar 
    2.Maydoniy tranzistorlar 
    3.Maydoniy transistor xarakteristikalari va parametrlari 
    4.Maydoniy tranzistorlarning ish rejimlari 
    5.Xulosa Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr 
    tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun 
    moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika 
    qurilmalarining asosiy elementi. 
    Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga 
    ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar 
    tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan 
    yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n 
    oʻtish hisobiga ishlaydi va baza- emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. 
    Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) 
    yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan 
    asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni 
    boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga 
    oshiriladi. 
    TRANZISTORLAR 
    Hozirgi kunda analog texnikalar 
    olamida bipolyar tranzistorlar 
    (BT) (xalqaro atama — BJT, 
    Bipolar Junction 
    Transistor
    asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli 
    texnikalar sohasida esa, aksincha 
    maydoniy 
    tranzistorlar 
    bipolyar 
    tranzistorlarni siqib chiqargan. 
    Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda 
    qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid 
    koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi. 


    1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John 
    Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan. 
    1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan 
    arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib 
    chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati 
    tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi. 
    Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan 
    oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi 
    adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70- yillariga qadar „T“, „PP“ 
    (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi 
    belgilanishlar ham ishlatilgan. 
    TRANZISTORLAR 
    Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-
    yilda ingliz olimi Maykl Faradey yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi 
    bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi 
    sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi. 
    1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimoʻtkazgich kontaktida 
    bir tomonlama oʻtkazuvchanlik 
    hodisasini aniqladi. 
    1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-
    detektorni ixtiro qildi. 1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz baʼzi bir 
    yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi 
    mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev, maʼlum kuchlanishlarda 
    manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, 
    keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi. Bu 
    davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar 
    fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar 
    tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy 
    berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga 
    ham kelishgan. 
    Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga 
    elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda 
    kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis- 
    radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt 
    va 
    „injiq“ 
    qurilmalar 
    sifatida baho 
    berilgan. 
    Oʻsha 
    vaqtlarda 
    yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan. 
    Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan. 



    Download 362.65 Kb.
      1   2   3   4   5




    Download 362.65 Kb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti farg‘ona filiali

    Download 362.65 Kb.
    Pdf ko'rish